NEC与MIRAI开发45nm节点LSI互连低k膜

NEC、NEC Electronics和MIRAI Project日前宣布，已经合作采用新技术开发出一种低k膜，有望降低复杂LSI的功耗。     

多层布线技术

以布线材料，布线工艺，布线平坦化技术以及影响布线质量的因素等几个方面详细讨论了多层布线技术，并讨论了当前多层布线技术面临的问题。     

LSI逻辑计划采用自有90nm工艺

LSI逻辑近日宣布：计划采用该公司90nm工艺生产下一代RapidChip平台ASIC系列产品。新的硅片将为系统设计师提供90nm工艺最大的集成度及性能优势，并提供RapidChip平台ASIC技术所拥有的快速上市、NRE支出减少、工程成本降低等优势。RapidChip 90nm系列产品使设计工程师可利用平台ASIC技术的优势．广泛用于包括通讯、存储、工业、医疗、国防和高端消费电子等在内的应用系统。     

集成电路中的多层布线技术

本文参考了国外近期一些有关资料,结合实际经验,对国外目前多层布线的几种方法以及今后发展趋势作了综合论述,同时对国内的多层布线技术的今后发展方向提出一些看法。     

扫描电镜在多层布线技术中的应用

论述了扫描电镜技术在ＶＬＳＩ多层布线技术中的应用。扫描电镜技术为层间介质膜的制备、介质膜表面平坦化及介质通孔的干法腐蚀结果，提供了清晰的照片，有效地指导了多层布线的工艺并获得了用于ＶＬＳＩ的最佳化多层布线工艺条件。     

NEC电子开发出便携产品用DRAM混载LSI

NEC电子开发出使用90nm工艺技术制造的DRAM混载LSI“μPD809400”,并已开始样品供货。该产品在1个芯片上集成了临时保存图像数据的8MBDRAM、内存控制器和图像处理电路、时序控制器等的逻辑电路、稳压器等的模拟电路及输入输出电路。采用该产品,     

NEC开发出40纳米DRAM混载系统LSI制程新技术

NEC电子日前完成开发两种线宽40nm的DRAM混载系统LSI制程技术,使用该制程可以生产最大可整合256Mb DRAM的系统LSI。此次NEC电子推出一种低功耗的UX8GD制程,可使逻辑部份的处理速度最快达800MHz;     

薄膜多层布线工艺分析

薄膜多层布线工艺，采用聚酰亚胺作介质，克服成膜后的“龟裂”、减少通孔的接触电阻和防止“断台”问题，是解决好介质质量的关键。     

薄膜MCM－D中多层布线技术

介绍薄膜MCM-D多层布线设计中建模、EDA仿真及版图设计所遵循的规则及其多层布线工艺技术中应着重考虑的问题。     

东芝和NEC合作开发32nm工艺

继东芝和NEC从2006年2月共同开发45nm工艺技术后,两公司又于2007年11月底达成协议,合作开发下一代32nm工艺。开发工作将仍在东芝公司设在横滨的先进微电子中心进行。这次开发工作仅就32nm基础技术达成了协议,其他技术将另作协议。