引进硅片处理设备的故障自检系统

在大规模集成电路生产设备中,硅片处理系统包括涂胶/烘干、显影/烘干和擦片/烘干三种主要设备,是光刻工艺中除光刻机而外的关键设备。光刻胶涂层的好坏及光刻后的显影效束、擦洗的干净程度,直接影响集成电路的集成度和成品率。根据光刻工艺的特点,需进行多次掩膜版曝光,显影、清洗等循环过程,如果在此过程中,设备发生故障,特别是在接近最后一道光刻流程时发生故障,使作好管芯的硅片报废,将给生产厂带来巨大的经济损失。因此,对硅片处理设备的可靠性、故障的自动检测、排除、连锁、报警等方面的要求很高。     

硅片处理系统与光刻

<正> 半导体器件的集成度越来越高,最小加工尺寸越来越小,硅片尺寸越来越大,这无疑越来越增加了光刻的难度,对光刻技术与硅片处理系统提出了更高的要求。 光刻,是一种图象复印同刻蚀(化学、物理、或二者兼而有之)相结合的综合性技术。在集成电路的制造过程中,需要经过每次光刻,其质量是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素之一。 光刻的质量,可以由分辨率、光刻精度     

硅片清洗设备的日常维护

对硅片清洗设备的日常维护从清洗工艺的角度进行了分析,并对具体问题的处理方案进行了阐述,从而使清洗设备工作更加稳定。     

IBM开发废硅片的处理技术

据www.IBM.com披露,该公司成功开发了一种可回收瑕疵硅片的处理技术。并将处理过的废弃硅片变成太阳能面板的生产材料。该处理工艺的发明者Eric White称,硅片表面需要新工艺加水和磨砂片来处理,然后放置在洁净环境中待用,完成一块8英寸硅片的处理只需要1分钟。处理后的硅片最终可用于太阳能电池的生产。IBM的伯灵顿工厂和纽约East Fishkill工厂已开始应用这种新处理技术,预计可节约200多万美元。IBM开发废硅片的处理技术$《集成电路通讯》编辑部     

国内外硅片磨抛设备发展述评

硅片磨抛设备的发展轻快。成熟较早；八十年代中期业已进入完善阶段，其产品各具特色。从总结特点出发，评述其水平与发展。     

NOVELLUS推出两款先进表面处理设备

Novellus系统有限公司推出两种300mm硅片制造表面处理设备:GAMMA2130光刻胶清除系统和SIERRA高级干洗系统。与目前市场上同类产品相比,这两种新设备将显著降低设备的拥有成本、提高生产能力和可靠性,加工规格可满足65mm工艺产品的生产。 目前,300mm硅片制造过程中,30道工艺步骤中需要清除光刻胶和残留物。其中,大约一半步骤为前道工序。在剩余的后道工序中,越来越多地采用铜双蚀刻技术以提高互连质量。由于如此多的工艺步骤需要进行表面处理,因此所需的加工设备必须具有很低的拥有成本、相当高的加工能力和可靠性。同时,还应满足生产几代元件产品的需要。     

视觉系统在硅片检测上的应用

机器视觉是利用机器代替人眼来做各种测量和判断.介绍了全自动硅片装片机中利用视觉系统对硅片的边缘进行检测,在线将有缺陷的硅片剔除,将完好的硅片送入下一个环节.大大降低了人工强度和碎片率,减少了人工与硅片的接触,避免了人为因素对硅片的污染,有效地提高了成品率.     

硅片传输单元洁净系统的研制

在集成电路制造的硅片传输过程中,硅片传输机器人等机械设备的运动会产生尘埃粒子污染硅片.为解决这一问题,设计并研制了硅片传输单元的洁净系统,分析了该洁净系统的设计方案和结构设计,计算了它的送回风管直径,并用计算流体力学的方法,对洁净系统内部的硅片传输机器人区域进行了流场的模拟分析.该洁净系统已达到设计要求.     

国外太阳能电池铸锭及切片设备概况

光伏产业涵盖了太阳光能转化为电能的一系列过程,而设备是贯穿整个产业链的基础,光伏产业链的每一个环节都离不开相应的生产设备。主要介绍几种国外太阳能光伏行业领先的多晶硅铸锭生长系统和硅片切割系统的设备概况。     

用于硅片传输系统的机械手设计

介绍了用于硅片传输系统的机械手发展现状,主要针对300 mm全自动探针测试台的工艺需要进行机械手系统设计,对机械手结构以及设计中需要注意的关键技术进行了阐述。该设计可以推广到整个半导体生产线中其他工艺设备的应用,对未来大尺寸半导体生产线的国产化具有很大意义。     

应用于硅片传输系统的机械手设计

介绍了应用于硅片传输系统的机械手发展现状,主要针对12英寸全自动探针测试台的工艺需要进行机械手系统设计,对机械手结构以及设计中需要注意的关键技术进行了阐述。该设计可以推广到整个半导体生产线其他工艺设备的应用,对未来大尺寸半导体生产线的国产化具有很大意义。     

国外半导体设备发展动态和市场趋势

本文简要介绍了国外半导体设备发展的走向和特点，重点列举了关键工艺设备的代表产品发展状况，并阐述了国外半导体设备市场及投资趋势。     

国外薄膜生长设备发展动态

随着集成电路器件物理尺寸的减小，其介质膜的厚度也就相应地随之减小，同时，用于多层布线的金属膜的要求也较以前更为苛刻。本文主要介绍了用于生成半导体器件各种薄膜的技术及其所需设备的发展现状。     

半导体硅片退火后检测工艺的发展探讨

半导体硅片退火工艺对生产硅片具有十分重要的作用,为此,本文加强对硅片的退火技术检测,希望能够控制硅片技术质量。因为自然界当中并不存在单体硅,硅主要以氧化物或者是硅酸盐的形式出现,需要通过提纯与精炼的方式才能够形成硅片。这个过程中硅需要进行退火工艺处理,消除硅片中氧施主的影响,内部缺陷也在这个过程中减少。这个工艺流程是制造半导体硅片的重要环节。退火后的技术检测则是实现硅片生产的最后一个环节,是确保硅片质量的重要基础。本文侧重对半导体硅片退火检测工艺发展情况进行具体阐述。