共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
硅单晶是发展电子工业的基础材料,而多晶硅质量的优劣和稳定则直接影响着单晶硅的质量,因此,进一步提高和稳定多晶硅的质量、降低成本是多晶硅生产和研究的主要任务。半导体级多晶硅是由高纯的硅卤化物或氢化物经过氢还原法或热分解法而获得的。硅卤化物的纯度将直接影响多晶硅的质量。目前,广泛采用三氯氢硅氢还原法制取高纯硅。本文就改进三氯氢硅精馏塔的材质、筛板材质及精馏过程的工艺提出一些措施。我们曾将这些措 相似文献
4.
5.
陈兴章 《有色金属材料与工程》2013,34(3):93-99
概述了国内外硅半导体材料(多晶硅、单晶硅、硅片)的产业现状,得出国内外硅半导体材料产业、市场及技术状况的基本结论,并分析了我国硅半导体材料产业发展的机遇、存在的问题及发展的趋势. 相似文献
6.
7.
8.
9.
国内多晶硅工业现状及相关发展政策建议 总被引:3,自引:0,他引:3
多晶硅(细分为电路级多晶硅、区熔用多晶硅和太阳能电池级多晶硅)是用于生产集成电路和分立元件用单晶硅和晶体硅光伏电池片的主要原料,目前全球95%的半导体及太阳能电池是用多晶硅生产的,因此,多晶硅是信息产业和太阳能电池光伏产业的关键基础材料。 相似文献
10.
11.
戴家滋 《有色金属材料与工程》1982,(3)
最近,英国杂志发表文章,评论我国半导体材料硅工业,摘要如下:据确切的消息获知,中国器件级硅材料生产,已发展到足以影响国际市场的规模。目前,中国每年约可制出150吨这种战略材料。其中85%产自上海、天津,两地均以分馏三氯硅烷为基础的西门子法生产。估计,中国每年有100吨多晶硅制成单 相似文献
12.
随着45nm技术的临近,减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限。传统掺杂多晶硅,二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化。此外,沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MOS性能的提升。因此,需采用高k介质、金属栅和应变硅等新材料、新技术以改善Si基MOS管性能。本文在介绍这3种新材料优势的同时,分析了适合未来平面式硅基CMOS技术中的高介电常数材料和金属栅材料的种类,指出了未来电路中新材料的进一步发展方向。 相似文献
14.
15.
16.
17.
葛昶 《有色金属材料与工程》1980,(5)
硅单晶在半导体材料中占有极其重要的位置,而多晶硅的质量又是单品硅质量的基础,多晶硅质量的好坏又取决于化学提纯。精馏塔乃是化学提纯方法必不可少的物质条件之一。要获得高纯度的三氯氢硅,必须选择材料优质和高效的精馏塔。当前,聚四氟乙烯 相似文献
18.