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《电子科技文摘》2006,(9)
0622971两亲性聚乳酸嵌段共聚物的制备受性能研究[刊,中]/刘健//北京化工大学学报(自然科学版).—2006,33 (3).—52-55(C) 0622972 TiO_2/SiO_2复合粉体的制备及催化性能的研究[刊,中]/封娜//合肥工业大学学报(自然科学版).—2006,29(6).—651-654(C) 0622973从高铅碲渣中浸出碲的热力学分析及实验[刊,中]/马玉天//中南大学学报(自然科学版).—2006,37(3).—498-504(L) 0622974高纯纳米α-Fe_2O_3粉体的制备及表征[刊,中]/阳征会//中南大学学报(自然科学版).—2006,37(3).—487- 492(L) 0622975具有渐变层半导体DBR的MOCVD外延制备[刊,中]/盖红星//功能材料与器件学报.—2006,12(3).—207-210(G)应用金属有机化合物气相演积(MOCVD)制备了具有渐变层的半导体布拉格反射镜(DBR),分别是抛物线性、线性和突变结构的DBR。三种反射镜结构都设计为8个周期,通过白光反射谱测量突变DBR具有 相似文献
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《电子科技文摘》2006,(4)
0608920沉积温度对HfO2薄膜残余应力的影响〔刊,中〕/申雁鸣//强激光与粒子束.—2005,17(12).—1812-1816(E)0608921超高压制备n型PbTe的性能与分析〔刊,中〕/张丽丽//电源技术.—2005,29(11).—758-761(D)0608922双核铜配合物[Cu2(Ophen)2]·2H2O(Hophen=2-羟基-1,10-啉菲咯啉)的水热合成和晶体结构〔刊,中〕/胡长文//北京理工大学学报.—2005,25(12).—1103-1105,1112(L)0608923超薄层Si OxNy栅介质薄膜的制备与研究进展〔刊,中〕/张弘//河北大学学报(自然科学版).—2005,25(6).—673-679(L)0608924阳极氧化工艺对氧化铝模板孔径的… 相似文献
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《电子科技文摘》2003,(4)
Y2002-63306-276 0307221生长速率对金属有机分子束外延生长 InGaAs/InP(001)晶面横向组分调制的影响=Effects of growthrate on lateral compositional modulation of InGaAs/InP(001)grown by metalorganic m01ecular beam epiraxy[会,英]/Ogasawara,M.//2001 IEEE InternationalConference on Indiurn Phosphide and Related Materi-als.—276~279(E) 相似文献
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