一种基于CMOS工艺的电平转换芯片

基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺设计了一种电平转换芯片.整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M的0.6 μm CMOS工艺的工艺库(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS 工艺完成版图设计,并在一款多功能数字芯片上使用,版图面积为1mm×1mm,并参与...     

一种带电平转换功能的双电源电压输出电路

出于性能、功耗和兼容性的考虑,芯片的核心电路与I/O电路一般采用不同的电源电压.文中设计了一种新型2.5V/5V双电源电压输出电路,此电路带有新型电平转换电路,能够将摆幅为0～2.5V的内部信号转换为摆幅为0～5V的输出信号.同时,文中所设计的输出电路只使用2.5V耐压的薄栅氧MOS器件,虽然在5V电压下工作,却没有栅氧过压问题.     

数模混合的可调占空比电路RC2053

本文介绍了车用交流稳压调节电路RC2053的工作原理，较详细地介绍了实现脉宽调制的方法，并结合时序图给出了电路的实际工作模式。     

一种基于BCD工艺的高速低功耗电平位移电路

提出了一种基于0.25 μm BCD工艺、适用于高压降压型DC-DC转换器的新型电平位移电路.该电路使用了耐压60 V的高压DMOS器件(HVNMOS、HVPMOS)、耐压5V的低压CMOS器件(LVNMOS、LVPMOS),以及耐压5V的三极管器件(BJT).分析了降压型DC-DC转换器对电平位移电路的特殊要求;基于对两种常见电平位移电路的分析,提出了一种新型的电平位移电路.电路仿真结果显示,与之前的电路相比,新型电路结构具有响应快速、功耗低、输出电平精确、可靠性高等优点.     

电平转换电路的老炼方案对比研究

电平转换电路被广泛地应用于系统中不同电压域之间的信号传输,为了使其在使用中具备更高的可靠性,需要进行老炼试验来剔除早期失效,合理的老炼方案能够得到理想的结果,不合理的老炼方案不仅无法剔除早期失效,还会引入新的缺陷。从实际案例出发,通过不同的老炼方案,获得了方案之间的对比结果,并结合失效分析,得到了最优的老炼试验方案,具有一定的推广应用价值。     

基于40 nm CMOS工艺的电平转换器的设计及优化

电平转换器可以作为1.1V核心电压和3.3V输入输出电压之间的高速接口.优化的电压上升转换器使用2.5V厚氧化层栅零阈值电压nMOS管保护1.1V薄氧化层栅nMOS器件,在输入电压低至0.7V时仍可正常工作;此外,在六种不同工作情况下电路性能良好.3.3 V nMOS器件作为优化电平下降转换器的上拉和下拉器件,它们的供电电压是1.1V,栅压范围从0V到3.3V.电平下降转换器没有最小核心电压限制,上升传输延时0.111 ns,下降传输延时0.121 ns.电平转换器经过结构优化后,可以成功应用到40 nm CMOS工艺的I/O库的输入输出单元中,作为低功耗、高速接口.     

一种新型的CMOS电流转换电路的设计

提出了一种新型的ＣＭＯＳ电流转换电路的设计方法。该电路功耗小，并且具有良好的电压和电流转换特性，其改进电路具有良好的静态电流控制特性，对工艺参数依赖性较低，适用于以电流模式工艺的烽模混合电路。     

一种高速高可靠性低功耗的电平位移电路

为了满足MHz以上频率的GaN半桥栅驱动系统的应用需求,提出了一种高速高可靠性低功耗的低FOM电平位移电路。串联可控正反馈电平位移电路通过仅在转换过程中减弱正反馈力度,实现了低传输延迟和高共模噪声抗扰能力,同时采用最小短脉冲电路设计以降低功耗。该电平位移电路基于0.5μm 80 V高压(HV)CMOS工艺进行设计与仿真验证,结果表明,电路具有960 ps的传输延时、50 V/ns的共模噪声抗扰能力和0.024 ns/(μm·V)的FOM值。     

一种高速高精度时钟占空比稳定电路

设计了一种高速高精度的时钟占空比稳定电路。采用全差分连续时间积分器将时钟占空比量化为电压信号,积分器对占空比偏差的累积效应可使电路达到很高的调整精度。采用跨导运算放大器将电压信号转换为电流信号,并加载到输入时钟缓冲器上,改变其输出时钟的直流电平,从而调整输出时钟的占空比,避免了调整输出时钟上升/下降沿带来的较大抖动。采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺进行设计,电源电压为2 V。当输入差分时钟频率为1.6 GHz时,可以将占空比范围为20%~80%的输入时钟信号的占空比均调节至(50±0.5)%,且输出时钟抖动小于159.398 fs,适用于超高速的信号处理系统。     

平板显示器驱动芯片高低电压转换电路

LCD、PDP、VFD等各类平板显示器已越来越受到人们关注与喜爱,但大多数平板显示器需要专用的功率驱动芯片来驱动其发光显示,各类专用功率驱动芯片又离不开高低电压转换电路,高低电压转换电路性能的好坏直接影响到驱动芯片的稳定性和功耗等。通过比较平板显示器驱动芯片的几种典型高低压转换电路,设计出一种带有电流源的CMOS型高低压转换电路,它具有最佳的性能指标,该电路不但可以为平板显示器驱动芯片使用,还可以作为其他各类驱动芯片的高低压转换模块使用,最后给出一种具体的平板显示驱动芯片高压CMOS器件结构。     

基于中低压器件实现的高压负电平位移电路

提出了一种新型高压负电平位移电路.该电路只采用中低压PM()S来实现高压电平位移,与传统的高压负电平位移电路相比,降低了工艺及器件难度.分析了该新型电平位移电路的电路结构与工作原理.采用1μm CMOS工艺,通过HSPICE进行电路仿真验证,证明提出的高压负电平位移电路正确可行.     

一种高噪声抗扰度电容式电平位移电路

设计了一种适用于GaN半桥栅驱动的高噪声抗扰度的电容式电平位移电路。在浮动电源轨发生dV/dt切换和减幅振荡时,采用去耦开关完全消除了影响输出状态的共模噪声,采用动态开关减小了电路失配引起的差模噪声。利用电容耦合技术实现了高负压容忍度、亚纳秒级延时和低功耗。采用0.18μm高压BCD工艺进行电路设计。仿真结果表明,在50 V电平转换下,该电平位移电路的共模瞬态抗扰度达到200 V/ns, 200 V/ns转换速率下的失配容忍度达到30%,负压容忍度达到-5 V,平均传输延时为0.56 ns。     

一种高速高共模瞬态抗扰度电平位移电路

设计了一种适用于GaN栅驱动的高速、高共模瞬态抗扰度的电平位移电路。电路受PWM信号和短脉冲协同控制,利用短脉冲控制的加速电路提升了电平转换速度。在浮动电源轨高速切换和减幅振荡过程中,电路内部对地寄生电容的充放电会导致输出逻辑错误。针对此问题,采用一种高速、低功耗的交叉控制式噪声屏蔽电路,实现了极高的共模瞬态抗扰度。采用0.35μm高压CMOS工艺进行电路设计。仿真结果表明,在100 V电平转换情况下,该电平位移电路的平均传输延时为1.58 ns,延时失配小于100 ps,共模瞬态抗扰度达到200 V/ns。     

带电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路

提出了一种带高压电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路.电平位移电路采用脉冲下拉方式实现高压电平位移,与一般的方波下拉方式相比,有效地减小了电路的功耗.分析了脉冲下拉方式电平位移电路的工作原理与实现方式,以此为基础,设计了H桥高端驱动电路.基于5μm高压BCD工艺,采用Spectres进行电路仿真,完成了电路版图设计和流片测试.结果显示,设计的高端驱动电路能很好地实现高端功率管栅极电位的悬浮抬升.     

基于斩波电路的占空比最优控制研究

文中以常见的斩波电路为研究对象,通过对电路的电流、电压和功率要素的分析与计算,将各要素用占空比D表示,并从占空比的角度分析以上要素的极值与范围,从而体现占空比对器件要素性能的最优控制及影响,为用户在选择电路器件时提供了更多的选择。     

LDMOS低功耗自恢复电平移位电路设计

设计了一个新型的薄栅氧、低功耗、自恢复的电平移位栅电压控制电路. 在20V工作电压下,n沟道和p沟道LDMOS高压器件的栅源电压Vgs分别保持在±5V. 当一个选址周期结束后,电路能自动复位而不需增加任何复位器件和电路. 该电路为高低压兼容,采用标准0.5μm CMOS-LDMOS兼容工艺制造,可用于OLED显示的驱动控制.