第七届《固体电子学研究与进展》编辑委员会

主　编 ( Editor- in- Chief) :林金庭 ( Lin Jinting)副主编 ( Deputy Editor- in- Chief) :杨乃彬 ( Yang Naibin)金毓铨 ( Jin Yuquan)景佩苏 ( Jing Peisu)委　员 ( Members of Editorial Committee) (按姓氏笔划为序 ) :王因生 ( Wang Yinsheng)南京电子器件研究所王向武 ( Wang Xiangwu)南京电子器件研究所毛昆纯 ( Mao Kunchun)南京电子器件研究所许居衍 ( Xu Juyan)中国华晶电子集团公司史常忻 ( Shi Changxin)上海交通大学李肇基 ( L i Zhaoji)电子科技大学沈　亚 ( Shen Ya)南京电子器件研究所邵　凯 ( Shao Kai)南…     

第七届《固体电子学研究与进展》编辑委员会

主　编( Editor- in- Chief) :　　　　林金庭( Lin Jinting)副主编( Deputy Editor- in- Chief) :杨乃彬( Yang Naibin)邵　凯( Shao Kai)景佩苏( Jing Peisu)委　员( Members of Editorial Committee) (按姓氏笔划为序) :孔梅影( Kong Meiying)　中科院半导体研究所　　王因生( Wang Yinsheng)南京电子器件研究所毛昆纯( Mao Kunchun)南京电子器件研究所许居衍( Xu Juyan)无锡微电子研究中心刘理天( Liu Litian)清华大学史常忻( Shi Changxin)上海交通大学李肇基( Li Zhaoji)电子科技大学李拂晓( Li Fuxiao)南京电子器件研究…     

第六届《固体电子学研究与进展》编辑委员会

<正>主编(Editor—in—Chief):林金庭(Lin Jinting) 副主编(Deputy Editor-in-Chief):过常宁(Guo Changning) 金毓铨(Jin Yuquan) 景佩苏(Jing Peisu) 委员(Members of Editorial Committee):(按姓氏笔划为序) 王因生(Wang Yinsheng)南京电子器件研究所 王福臣(Wang Fuchen)南京电子器件研究所 毛昆纯(Mao Kunchun)南京电子器件研究所 许居衍(Xu Juyan)华晶电子集团公司 史常忻(Shi Changxin)上海交通大学 阮刚(RuanGang)复旦大学 孙青(SunQlng) 西安电子科技大学 邵凯(Shao Kai)南京电子器件研究所 陈朝(ChenChao)厦门大学 陈克金(Chen Kejin)南京电子器件研究所     

雷震洲

雷震洲,教授级高级工程师,1942年出生于上海,1964年毕业于南京邮电学院。历任原邮电部科学技术情报研究所副总工程师、总工程师,信息产业部电信科技情报研究所副所长兼总工程师、所长,信息产业部电信研究院     

本期人物

雷震洲，教授级高级工程师，1942年出生于上海，1964年毕业于南京邮电学院。历任原邮电部科学技术情报研究所副总工程师、总工程师、信息产业部电信科技情报研究所副所长兼工程师、所长。[第一段]     

陈如明先生

陈如明,1965年西安交通大学研究生毕业。现任信息产业部通信科技委副主任、中国国家无线电频率规划专家咨询委员会主任;主任高级工程师(国内第一批教授级高工),被多所著名大学如浙大、清华、北大、华中科技大等聘为兼职教授;中国通信学会常务理事及中国电子学会会士(Fellow),国内外一些知名技术杂志编委,国内一些知名协会、学会副会长及常务理事,中国数字集群论坛副主席。曾任无线电管理局原副局长、国家无委办总工、美国斯坦福(Stanford)大学高级研究学者及国际通信卫星组织(INTELSAT)中国董事。     

编委介绍

吴元生教授级高级工程师 吴元生，1957年毕业于中国人民解放军通信工程学院，毕业后分配在上海一机部电缆研究所工作，1960年1~5月赴苏联，在电缆研究院、莫斯科电缆厂等单位对苏联通信电缆进行考察。1961年调到现在的信息产业部电子第23研究所工作，历任研究室主任，总工程师及副所长等职。1986年晋升为教授级高工。社会工作，历任中国电子元件协会光电线缆分会理事长、信息产业部光电线缆专业科技情报网网长、中国电子学会元件分会副主任、光电线缆专委会主任委员，并任上海市第八届人大代表等职。 主编《信息传输线及应用》一书，并发表…     

《中兴通讯技术》杂志编辑委员会

主任钟义信副主任侯为贵陈锡生艾波中国联合通信有限公司江西省分公司总经理,北京邮电大学兼职教授、博导曹淑敏(女)信息产业部电信研究院副院长、教授级高工陈常嘉北京交通大学通信与控制工程系教授、博导陈杰(女)中兴通讯股份有限公司副总裁陈锡生南京邮电大学教授程时端(女)北京邮电大学网络与交换技术国家重点实验室教授、博导程时昕东南大学移动通信国家重点实验室教授、博导丁明峰中兴通讯股份有限公司副总裁、《中兴通讯技术》杂志总编高文中国科学院研究生院常务副院长、教授、博导龚双瑾(女)信息产业部电信研究院首席科学家、教授…     

中电联专家团考察通光强能公司

由中电联洪燕处长、国家电网公司郑怀清总工、国电北京电建院教授级高工尤传永、华东电力设计院教授级高工叶鸿声等领导和专家一行8人组成的中电联专家团近日考察了江苏通光强能输电线科技有限公司（简称通光强能公司）。     

第七届《固体电子学研究与进展》编辑委员会

主编（Editor－in－Chief）：林金庭（LinJinting）副主编（DeputyEditor－in－Chief）：杨乃彬（YangNaibin）金毓铨（JinYuquan）景佩苏（JingPeisu）委员（MembersofEditorialCommittee）（按姓氏笔划为序）：王因生（WangYinsheng）南京电子器件研究所王向武（WangXiangwu）南京电子器件研究所毛昆纯（MaoKunchun）南京电子器件研究所许居衍（XuJuyan）中国华晶电子集团公司史常忻（ShiChangxin）上海交通大学李肇基（LiZhaoji）电子科技大学沈亚（ShenYa）南京电子器件研究所邵凯（Sha。Kai）南京电子器件研究所陈朝（Ch…     

李进良

李进良，男，1929年3月24日（农历2月14日）出生于湖南省攸县，祖籍湖南省涟源县。1952年毕业于清华大学电机系电信组。原任信息产业部电子第七研究所总工程师、信息产业部电子科学技术委员会委员，现任第七研究所《移动通信》杂志主编、享受政府特殊津贴专家、中国移动通信联合会常务理事、中国通信学会会士，教授级高级工程师，曾任研究生导师及上海交通大学兼职教授。     

第十一届全国微波能应用学术会议记要

20 0 4年4月14～16日,第十一届全国微波能应用学术会议在南京虹桥饭店召开。会议由中国电子学会微波分会和真空电子分会主办,南京三乐微波技术发展有限公司承办,江苏省电子学会和IEEE南京学组协办。在开幕式上,本次会议的承办单位负责人三乐公司陈苇总经理代表承办单位致开幕词;主办单位微波分会和真空电子分会的代表华东师范大学的朱守正教授、信息产业部十二研究所的刘金营高工分别代表分会讲话,预祝会议成功;江苏省电子学会和IEEE南京学组负责人东南大学章文勋教授在会上作了热情洋溢的发言,赞扬这次会议是产学研结合的典范;《微波学…     

国家对南京电子器件研究所生产4GHz卫星电视接收机高频头质量保证能力等进行认证

<正>生产卫星电视接收站产品企(事)业质量保证能力认证试点会于1985年12月23日至26日在南京举行.会议由国家标准局和中国广播卫星公司主持,对申请生产卫星电视接收站用高频头质量保证能力认证的南京电子器件研究所(即南京固体器件研究所)和申请生产卫星电视接收站用接收机和卫星电视接收站系统总承质量保证能力认证的南京无线电厂进行了认证检查.参加大会的代表有各主管部门、江苏省和南京市领导、使用单位及生产单位代表170余人.会前,根据国家标准局、中国广播卫星公司拟定的“生产卫星电视接收站产品企(事)业质量保证能力认证暂行办法”及其细则,由广播电视部、邮电部、航天部、电子工业部的三十多     

南京电子器件研究所一九八六年度科研成果介绍

<正> 南京电子器件研究所一九八六年度有39项科研成果分别通过了部(省)、局级和所级鉴定(其中部(省)、局级鉴定13项)。来自大专院校,有关厂所的教授、专家、工程技术人员及上级领导机关代表参加了成果鉴定工作,并对提请鉴定成果的技术水平给予了高度评价。鉴定的成果涉及微波半导体和光电两个专业。现将半导体专业部分的项目介绍如下:     

南京电子器件研究所1993年度科研成果介绍

南京电子器件研究所１９９３年度科研成果介绍ＮＥＤＩ＇ｓＲｅｓｅａｒｃｈＦｒｕｉｔｓｉｎ１９９３南京电子器件研究所于１９９４年ｌ月８日至１０日在南京召开第４１次科研成果鉴定会。对１９９３年度完成的８７项科研成果进行专家评议、鉴定，并分别通过了设计定型和...     

南京电子器件研究所1994年度科研成果介绍

南京电子器件研究所１９９４年度科研成果介绍ＮＥＤＩ＇ｓＲｅｓｅａｒｃｈＦｒｕｉｔｓｉｎ１９９４￥／／南京电子器件研究所于１９９５年１月１６日至１７日在南京召开第４３次科研成果鉴定会。对１９９４年度完成的１０２项科研成果进行专家评议、鉴定，并分别通过了...     

第五届全国化合物半导体材料和微波光电器件学术会议

<正> 由中国电子学会半导体与集成技术和电子材料学会主持召开的第五届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1988年10月31日～11月6日在江西庐山召开。参加这次学术会议的有来自全国各地的有关研究所、高等院校、国家专利局、工厂等单位的代表154人。会议编辑出版的论文集共刊出155篇论文。大会报告了六篇论文,它们是:中国科学院半导体研究所研究员、所长王启民的《半导体光电子器件与OEIC的发展》;中国科学院上海冶金所研究员彭瑞伍的《Ⅲ-V族锑化物材料的进展》;中国科学院半导体所研究员梁骏吾的《Ⅲ—V族化合物中杂质与缺陷的相互作用》;中国科学院长春物理所高级工程师吕安德的《原子层外延及其进展》;河北半导体研究所高级工程师、副总工程师梁春广的《InAIAs/InGaAs/InP MESFET研究》;南京电子器件研究所高级工程师黄廷荣的《化合物半导体光逻辑器件研究现状及研究战略》。     

修正的Angelov模型及其ICCAP提取方法

针对南京电子器件研究所的PHEMT器件的特点,对Angelov模型进行了修正,并用ICCAP编写了模型的抽取程序,以南京电子器件研究所的400μm栅宽、0.5μm栅长的PHEMT器件为例,给出了直流及S参数的拟合结果。     

本期人物：陈如明

陈如明．1965年西安交通大学研究生毕业。现任信息产业部通信科技委副主任、中国国家无线电频率规划专家咨询委员会主任；主任高级工程师（国内第一批教授级高工）。被多所著名大学如浙大．清华．北大、华中科技大等聘为兼职教授，中国通信学会常务理事及中国电子学会会士（Fellow）．国内外一些知名技术杂志编委．国内一些知名协会．学会副会长及常务理事．中国数字集群论坛副主席。曾任无线电管理局原副局长．国家无委办总工、美国斯坦福（Stanford）大学高级研究学者及国际通信卫星组织（INTELSAT）中国董事。     

S波段单片集成5位数控移相器

南京电子器件研究所研制出 S波段砷化镓单片五位数控移相器。该单片数控移相器采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5 μm离子注入标准工艺制作而成。采用集总元件的高通 /低通网络构成移相网络和 Ga As MESFET作为开关控制器件。该移相器在设计工作频带内 32个移相态具有移相精度高 (均方根误差小于 0 .8°)、输入输出驻波好 ( 1 .4)和较低的插入损耗 ( 6d B)与插损变化 ( <± 0 .5 d B)等优良的电特性。S波段单片集成5位数控移相器