离子注入半导体的溅射效应

本文中给出了离子注入过程中的离子溅射效应。这包括入射离子在注入过程中所引起的表面溅射效应、注入离子浓度的剖面修正、注入离子在靶子中的收集量等参数与注入能量、剂量和元素种类的关系。特别地分析了Sb、As、P、N和O注入Si过程中的溅射问题。并给出了注入过程中注入杂质的溅射量和溅射的深度。对上述那些元素注入时,给出了注入到靶中的实际量(称为收集量)与注入能量和注入剂量的关系。最后,讨论了避免溅射效应所应利用的条件。     

浅谈数据库注入攻击及其应对策略

在介绍了数据库注入攻击的原理基础上,对数据库注入攻击的攻击方法进行了简单阐述,并介绍了数据库注入攻击的常用工具。考虑到数据库注入攻击的危害性,最后为防范数据库注入攻击提供了部分解决策略。     

用离子注入技术研究轴承钢对铍青铜的磨损性能的影响

用三种能量的 N~+离子重叠注入和用N~+离子反冲注入两种方式研究了注入对轴承钢—铍青铜磨损性能的影响。磨损试验是用未注入的Q Be Z 铍青铜针在注入的 G Crlo 轴承钢样片上滑动。反冲注入的钢片上镀有 Cr 膜,这种注入方式使摩擦付双方的耐磨性能都得到了明显改善。重叠注入对铍青铜的耐磨性改善明显,而轴承钢是否改善有待探论。注入减少了粘着磨损。在注入层内观察到的氮化物、Cr_2O_3及表面 C 污染形成的石墨态对改性都可能有利。     

980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究

报导了质子注入技术在提高980nm半导体激光器可靠性上的应用。P-GaAs材料经过质子注入后获得高的电阻率。在距离腔面25μm的区域内进行质子注入，由此形成腔面附近的电流非注入区。腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入，因此减少了非辐射复合的发生，提高了激光器的灾变性光学损伤(COD)阈值。应用质子注入形成腔面非注入区的管芯的平均COD阈值功率达到268mW，而应用常规工艺的管芯的平均COD阈值功率为178mW。同常规工艺相比，应用质子注入形成腔面非注入区技术使管芯的COD阈值功率提高了50％。     

基于Cookie的Web注入攻击分析与防范

利用脚本漏洞测试系统搭建了SQL注入漏洞实验平台,在平台上对SQL注入进行了分析和防范,结合Cookies注入突破了系统防护程序的保护,最后给出了Cookies注入的防护措施。     

S波段15 kW连续波磁控管注入锁频实验研究

注入锁频是磁控管相干功率合成的基础,本文开展了15 kW磁控管的注入锁频实验,研究了注入微波功率与可牵引带宽之间的关系。实现了15 kW磁控管注入锁频,分析了不同注入功率下磁控管可牵引带宽。实验结果表明,磁控管注入锁频牵引带宽随注入功率增大而增加,在165 W注入功率下牵引带宽达到5 MHz。该15 kW磁控管可用于大功率微波相干功率合成,为多支大功率磁控管进行功率合成研究奠定了基础。     

SQL注入攻击安全防护技术研究

随着数据库在Web中的广泛应用,SQL注入已成为黑客攻击数据库的常见手段。为有效预防SQL注入攻击,首先对SQL注入攻击的相关原理进行说明,针对目前SQL注入的攻击特点及其注入流程进行了剖析和研究,给出了几种可有效预防SQL注入攻击的防护方法,并对其最佳的使用情况进行了说明。     

混合式直接注入红外CCD的注入实验及其注入效率的初步估算

初步开展了InSb—Si CCD(锑化铟—硅CCD)、HgCdTe—Si CCD(碲镉汞—硅CCD)的直接注入实验;在低频范围内,观察到了注入现象,在500°K黑体温度下,对注入效率进行了初步估算,证明现行热扩散工艺所制备的光伏器件,也可以观察到注入现象。此外,本文对注入效率进行了初步估算,并对注入效应也进行了一些初步讨论。     

GaAs器件的离子注入新技术研究

本文介绍了离子注入技术中双偏角注入,大偏角注入和双向双偏注入等新工艺与使用效果。同时,阐析了BF~+对Si~+注入的沾污,以及以上研究在研制高水平GaAs器件中的关键作用。     

离子注入对二氧化锡薄膜的改性作用

对溅射沉积制成的氧化锡薄膜进行了钨离子注入、氧离子注入和退火处理，并用X射线衍射(XRD)和x射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜，研究了注入对薄膜相变的影响。发现在室温下溅射沉积形成的非晶态SnO2薄膜，注入氧离子后导致了非晶态SnO2向晶态SnO2的转变；注入钨离子则导致了SnO在非晶态薄膜中的形成。而在已经注入了钨离子的薄膜中再注入氧离子可以形成Sn3O4。实验表明，注入钨离子可减少由氧和锡组成相的氧、锡比率，而注入氧离子则可增加这种比率。     

离子束合成SIMOX技术的进展

综述了离子束科学技术领域新的重要进展－－从作为半导体掺杂手段的低剂量离子注入到高剂量离子注入合成新材料的离子束合成技术，讨论了高剂量注入的物理效应，介绍了利用高剂量氧注入硅合成ＳＩＭＯＸ材料的物理过程以及ＳＩＭＯＸ技术的多种应用，提出了提高ＳＩＭＯＸ材料性能的各种途径。     

Lithographyless ion implantation technology for agile fab

A new type of ion implanter developed for an agile fab can eliminate the processes concerned. with photoresist lithography from the ion implantation process. This new ion implantation technology can reduce the raw process time, footprint, and the cost of ownership to less than one-half that of conventional ion implantation technology. The authors are making further developments on this ion implanter and evaluating technical issues related to ion implantation. This technique is suitable for manufacturing submicron node IC devices. Based on the results of evaluating the prototype machine, we will produce the next /spl beta/-machine.     

Stencil mask ion implantation technology

The ion implantation process is important for the development or manufacturing of semiconductor devices, because ion implantation conditions directly influence some characteristics of semiconductor devices. Recently, we developed a new implantation technology, stencil mask ion implantation technology (SMIT). In the SMIT system, the stencil mask acts like a resist mask, and ions passing through the mask holes are implanted into selected regions of the Si substrate chip by chip. Use of SMIT has several advantages, notably lower manufacturing cost and shorter process time than in the case of conventional processing, because no photolithography process (including deposition and stripping of resist) is required. We have already demonstrated an application of SMIT to transistor fabrication, using various implanted dose conditions for the same wafer. Threshold voltage values can be controlled as effectively by implanted doses as they can by conventional implantation, and the dose dependence of the threshold voltage could be obtained from one wafer to which various implantation conditions are applied. Using SMIT, implantation conditions can be changed chip by chip without additional processes. This flexibility of implantation conditions is another advantage of SMIT. In this paper, we propose stencil mask ion implantation technology and show some fundamental results obtained by applying SMIT     

手机用GaAs SPDT开关的全离子注入技术

对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的 Ga As全离子注入技术进行了实验比较和讨论 ,认为 76mmGa As圆片经光片注入 Si离子后包封 40 nm Si O2 +60 nm Si N进行快速退火再进行 B离子注入隔离和器件制作的工艺方法先进、工艺简便、表面物理性能好、产品成本低、重复性和均匀性好、成品率高及器件性能优良。     

高效率n型硅离子注入双面太阳电池

为进一步提升n型硅双面太阳电池的转化效率,采用了磷离子注入技术制备n型硅双面太阳电池的背场.基于离子注入技术准直性和均匀性好的特点,掺杂后硅片的表面复合电流密度降低到了1.4×10-13 A/cm2,隐性开路电压可达670 mV,且分布区间更紧凑.在电阻率为1～3 Ω·cm的n型硅片基底上,采用磷离子注入技术工业化生产的n型硅双面太阳电池的正面平均转化效率达到了20.64％,背面平均转化效率达到了19.52％.内量子效率的分析结果显示,离子注入太阳电池效率的增益主要来自长波段光谱响应的提升.     

用等离子体浸没氦离子注入实现智能剥离

报道了用氦离子注入智能剥离形成SOI结构硅片的新技术,介绍了这种技术的工艺和用剖面透射电镜研究的结果。氦离子用等离子体浸没离子注入技术注入硅片中。     

锑化铟红外焦平面阵列制备技术

锑化铟作为制备中波红外探测器的主流材料,其光敏芯片规模经历了单元、多元、线列到面阵的发展过程。出于市场应用需求,光敏芯片的制备技术不断更新换代。按发展先后顺序介绍了锑化铟光敏芯片PN结的制备技术,具体包括热扩散技术、离子注入技术和外延技术。目前国内成熟的光敏芯片成结技术为热扩散技术。国外主流厂家在热扩散、离子注入、外延工艺方面都已研发成熟,并投入实际生产。着重介绍了三种工艺技术的优缺点及配套的焦平面阵列结构设计。     

氦离子注入形成980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究

报道了氦离子注入技术在提高980nm半导体激光器灾变性光学损伤(catastrophic optical damage,COD)阈值上的应用.p-GaAs材料经氦离子注入后可以获得高的电阻率.在距离腔面25μm的区域内进行氦离子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区.腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入,因此减少了非辐射复合的发生,提高了激光器的灾变性光学损伤阈值.应用氦离子注入形成腔面非注入区的管芯的平均最大功率达到440.5mW,没有发生COD现象.而应用常规工艺制作的管芯的平均COD阈值功率为407.5mW.同常规工艺相比,应用氦离子注入形成腔面非注入区技术使管芯的最大输出功率提高了8%.     

GaAs亚微米自对准工艺技术研究

总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓＩＣ和ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ，证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国ＧａＡｓＩＣ确实具有重大意义。     

High-efficiency and low-distortion directly-ion-implanted GaAspower MESFETs for digital personal handy-phone applications

We report a high-efficiency and low-distortion GaAs power MESFET using direct ion implantation technology for the digital wireless personal handy-phone system (PHS). When qualified by 1.9-GHz π/4-shifted quadrature phase shift keying (QPSK) modulated PHS standard signals, the 2.2-V-operation device with a gate width (Wg) of 2 mm exhibited a power-added efficiency (PAE) of 57.2 % and an adjacent channel leakage power (P_adj) of -58 dBc at an output power of 21.3 dBm. The MESFET with the optimized direct ion implantation conditions and fabrication process achieved the highest PAE for PHS applications. The low-cost MMIC-oriented direct ion implantation technology has demonstrated the state-of-the-art results for new-generation PHS handsets for the first time