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采用离子束增强技术(IBED)在Φ100mm硅片上合成了AlN薄膜。以速率0.05nm/s蒸发高线Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝缘性能良好,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足键合需要。利用智能剥离技术(Smart-cut process)成功地制备了以AlN薄膜为埋层的SOI(silicon-on-insulator)材料。剖面透射电镜照片(XTEM)给出了此SOI结构,高分辨TEM实验结果表明上层硅具有与衬底硅相似的结晶质量可满足器件制造的要求。 相似文献
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采用电子束蒸发法在玻璃基底上制备了二氧化硅薄膜,利用原子力显微镜(AFM)、台阶仪、X射线衍射仪(XRD),分别对不同条件下制备的二氧化硅薄膜的表面形貌、膜厚、结构进行了表征,并采用金属/绝缘膜/金属(MIM)结构对薄膜的I-V电学特性进行了分析。结果表明玻璃基底温度在300℃条件下生长的4μm厚度的二氧化硅薄膜,其表面均匀平整,耐压能力>200V,能够承受500kV/cm以上的场强,满足作为低电压驱动微流控芯片绝缘薄膜的要求,并在样品驱动的应用中得到验证。 相似文献
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这是日本研制开发出的一种一次性消费的吸湿保鲜塑料包装膜,它是由两片具有较强透水性的半透明尼龙膜组成,并在膜之间装有天然糊料和渗透压高的砂糖糖浆,能缓慢地吸收从蔬菜、果实、肉表面渗出的水分,达到保鲜作用。 相似文献
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介绍了一种针对绝缘薄膜材料的介电强度、耐电压时间等进行检测的自动检测器系统的开发、设计及应用.该系统具有准确、可靠、高效等特点. 相似文献
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《流程工业》2005,(7):68-68
GE基础设施业务旗下的GE Fanuc自动化美洲公司于5月23~26日在新奥尔良召开的GE Fanuc发现系列用户会议上推出了Proficy^TM自动化及生产软件家族的详细发展路线图计划.包括从编程和控制到HMI/SCADA副历史数据库和MES直到实对信息门户:在2005年中,GE Fanuc将凭借Proficy Historian和Proficy Real-Time Information Portal技术为Proficy做一个显著升级,提供数据模型和一个基于事件的平台.新平台允许用户在一个单一的制造业IT平台上进行标准化.以实现实时操作.该Proficy平台将企业系统以及Proficy HMI/SCADA软件应用进行整合,并且涵盖扩展的工具库和为第三方应用开发提供的已公布的API。 相似文献
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<正>据有关媒体报道,日本三井化学公司日前与北里大学合作开发出一种新型杀菌薄膜,其特殊之处在于研究人员用名为镀气的方法在树脂薄膜表面镀上一层薄薄的铜合金,从而使薄膜具有杀菌效果。 相似文献
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制备绝缘性能良好的Al2O3薄膜是研制薄膜热电偶瞬态温度传感器的关键技术之一。针对直流脉冲磁控溅射制备的Al2O3绝缘薄膜总是存在针孔等缺陷,提出了利用直流脉冲磁控溅射加射频偏压技术成功制备了薄膜热电偶瞬态温度测试传感器的Al2O3绝缘薄膜。通过台阶仪、高阻计、扫描电子显微镜和划痕试验仪对Al2O3绝缘膜的成膜厚度、绝缘性、表面形貌及膜基结合力进行了观测,结果表明,制备的Al2O3绝缘膜厚度可达2.4μm;其绝缘性可达2.6×109Ω;薄膜表面光滑,成膜均匀;Al∶O原子比近似为2∶3;与金属基体的结合力可达12N。提供了一种制备高致密、高绝缘性能Al2O3薄膜的简单有效的方法,为制备瞬态温度传感器提供了技术保障。 相似文献