聚焦离子束装置

聚焦离子束(FIB:Focused Ion Beam)装置可以在亚微米级的情况下发挥离子束的各种特性,因容易实施电扫描,所以,用于微细器件的制作和分析时,它所显示的优越性是以往的装置所不可比拟的。因此,聚焦离子束作为研制、制造亚微米尺寸的集成电路、光集成电路和三维器件等的技术之一,正受到人们的重视。在研究和技术开发方面已取得很多成     

低能聚焦离子束装置

自1979年休斯研究所的Seliger等人报告采用液态金属离子源的聚焦离子束装置及其在微细加工中的应用以来,已有许多研究机构积极参与开发这项研究工作。 FIB技术除在无掩模离子注入、曝光、掩模修正以及集成电路修正等半导体制造中应用外,还可用于高空间分辨率的分析仪器。此外,还可望作为下一代半导体制作的工艺技术。     

聚焦离子束加工观察装置

FB—4080型聚焦离子束加工观察装置是适于64M DRAM以上高集成器件故障分析的聚焦离子束(FIB)装置。要形成平滑的器件截面,必须用非常细的光束,而且要提高加工位置精度必须进行高速加工。这两个基本性能和8英寸基片载物台、自动加工技术     

聚焦离子束装置中的图形发生器

聚焦离子束技术(FIB)是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。几十年来,随着关键技术的不断突破和完善,达到了前所未有的发展,所突破的关键技术之一就是图形发生器的使用。     

聚焦离子束组合装置及应用

聚焦离子束技术是一种集形貌观测、定位制样、成分分析、薄膜淀积和无掩膜刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。对电子离子双束纳米工作站,聚焦离子束、扫描电镜和Ar离子束构成的“三束”显微镜系统的原理和应用作了详细介绍,同时也对聚焦离子束-分子束外延组合装置、聚焦离子束与二次离子质谱仪(SIMS)的组合装置以及单轴聚焦离子/电子束(FIEB)装置作了简单介绍。     

聚焦离子束装置中的工件台及控制系统

聚焦离子束技术(FIB)是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。几十年来,随着关键技术的不断突破和完善,得到了前所未有的发展,所突破的关键技术之一就是精密工件台的使用。     

聚焦离子束装置中的图像采集与加工控制

本文介绍了聚焦离子束（FIB）装置中图像采集及在微细加工及微区分析中的图形定位、控制，详细介绍了国产微通道板（MCP）在图像显示中的特点、作用及其应用经验和效果，介绍了计算机支持下的图形加工控制与显示系统。     

聚焦离子束曝光技术

聚焦离子束技术是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程 于一身的新型微纳加工技术。它大大提高了微电子工业上材料、工艺、器件分析及修补的精度和速 度,目前已经成为微电子技术领域必不可少的关键技术之一。对聚焦离子束曝光技术作了介绍。     

聚焦离子束扫描显像技术

聚焦离子束（FIB）是一种将微分析和微加工相结合的新技术,广泛应用于芯片电路修改、研磨、沉积和二次电子离子成像。扫描显像技术是FIB的重要功能,主要用于器件精密加工中,校正束与工件的坐标位置,修正像的畸变。还可以在显示器上观察加工工件的表面形貌,使加工更加直观。FIB其它所有的功能和应用都要在扫描离子显微镜所显示的图像下进行,叙述了用于FIB扫描显像的一种新方法。     

聚焦离子束装置用的镓液态金属离子源的研制

本文介绍一种可供聚焦离子束装置用的镓液态金属离子源。该离子源的亮度高、发射源尺寸极小、发射电流稳定、调节方便、没有气体负载,适用于各种超高真空装置,是进行微离子束技术和表面分析技术开发性研究的关键部件之一。     

用于聚焦微离子束装置的静电透镜系统的设计分析

聚焦微离子束技术是一项有前途的超微细加工技术。聚焦光学系统的设计是该技术的关键之一。本文主要叙述和分析静电双透镜的离子光学特性,探讨采用静电双透镜的离子束聚焦系统的基本性能,在此基础上提出一种适用聚焦离子束装置的五极单电位静电聚焦系统。     

离子束掩模修正装置

<正> 808型机据说是笫一个用于修正和分析光掩模及中间掩模上的缺陷的商用聚焦系统,该系统能在单一步骤内完成透明及不透明的两种缺陷的修正,据说分辨率能达0.1μm,并能修复一些过去认为不可弥补的缺陷。该机由 KLA 仪器公司经销。     

聚焦离子束加工技术及其应用

对聚焦离子束加工技术在集成电路芯片的诊断与修改、修复光刻掩模缺陷、制作透射电镜样品以及多用途微切割上的应用作了详细介绍。     

聚焦离子束刻蚀性能的研究

对聚焦离子束（FIB）的基本刻蚀性能进行了实验和研究．通过扫描电镜对FIB刻蚀坑的观测,给出了在不同材料上（硅、铝和二氧化硅）FIB的刻蚀速率及刻蚀坑的形貌同离子束流大小的关系．由于不同材料的原子结合能、原子量及晶体结构等因素对离子束溅射产额的影响,从而影响着离子束的刻蚀速率;随着离子束流的增大,刻蚀速率并非线性增加,且刻蚀坑的形貌越来越不均匀,对此也作了系统的分析和探讨．     

聚焦离子束刻蚀性能的研究

对聚焦离子束 (FIB)的基本刻蚀性能进行了实验和研究 .通过扫描电镜对 FIB刻蚀坑的观测 ,给出了在不同材料上 (硅、铝和二氧化硅 ) FIB的刻蚀速率及刻蚀坑的形貌同离子束流大小的关系 .由于不同材料的原子结合能、原子量及晶体结构等因素对离子束溅射产额的影响 ,从而影响着离子束的刻蚀速率 ;随着离子束流的增大 ,刻蚀速率并非线性增加 ,且刻蚀坑的形貌越来越不均匀 ,对此也作了系统的分析和探讨     

聚焦离子束无掩模刻蚀研究

利用镓源二级透镜聚焦离子束装置在半导体基片上进行了一系列的无掩模刻蚀实验研究，在不同材料上刻蚀了各种图形，总结分析了不同参数的聚焦离子束对刻蚀的影响。     

聚焦离子束用静电透镜特性的计算

聚焦离子束技术是一项有前途的微细加工技术,聚焦光学系统的设计是该技术的关键之一。本文介绍用于聚焦离子光学系统的静电透镜特性计算程序,该程序可计算任何旋转轴对称静电透镜的特性,可用于寻求球差和色差系数较小的静电透镜的电极结构。     

用于微细加工的聚焦离子束技术

1、前言本文述及的聚焦离子束是指从极小区域发射通过透镜系统实现聚焦的离子束。最近,聚焦离子束技术引起人们的关注大概是因为与半导体器件的高集成化直接相关。目前成批生产中的曝光技术是以缩小投影曝光为主,其加工极限为1～2μm左右下一步预计要用电子束曝光,其加工极限约为0.5μm,更进一步将用X射线曝光,或用离子束曝光,其加工极限可望达到0.1μm,但X射线曝光的束源和光学系统尚有问题,而离子束曝光由于液态金属离子源用于聚焦离子束技术,所以尽管光学系统用磁透镜还有困难,但是带电粒子光学是基本成熟的技术,所以与X射线曝光相比实现离子束曝光的可能性也许更大。     

微加工中的聚焦离子束直接写入技术

概述了聚焦离子束直接写入、离子研磨、离子注入及离子沉积技术。介绍了利用聚焦离子束技术在镀金硅片上研磨出的图案及制作出的各种纳米结构。聚焦离子束诱导沉积技术为将在各种科学工程领域应用的多种微结构的实现提供了可能,如聚焦离子束真空封装技术,它可被用来真空封装MEMS器件。     

聚焦离子束加工中的缺陷及成因

聚焦离子束技术作为一种直接加工微纳米结构的工具,在很多领域有着重要的应用。但在实际应用中,它并不能总是如人所愿,加工出的结构有时会产生缺陷。如在切割截面时会形成倾斜侧壁、窗帘结构;在刻蚀平面结构时形成非均匀的底面;在利用气体注入系统诱导沉积生长结构后残留污染物等。本文将剖析聚焦离子束加工中这些常见缺陷产生的根源,探讨减轻或消除这些缺陷的方法。