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建立了铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池结构模型,利用SCAPS模拟计算得到CIGS薄膜太阳能电池的载流子生成率、能带排列、电场强度等,研究了CIGS薄膜太阳能电池吸收层的Ga组分含量、不同共蒸法制备的电池吸收层缺陷密度、吸收层厚度、掺杂浓度对电池输出性能的影响。结果表明,单步共蒸法制备的电池中CIGS/CdS异质结“尖峰状”的能带排列有利于载流子传输;当Ga组分含量在30%时,太阳能电池的输出性能优异。三步共蒸法制备的电池吸收层缺陷密度进一步降低,可提升电池的输出性能。吸收层厚度为2.0μm厚的电池吸收层即可吸收大部分的光子,继续增加吸收层厚度会导致短路电流密度降低。增大吸收层掺杂浓度,提高了光生电动势、增大了开路电压,但CIGS/CdS异质结界面处势垒下降,载流子复合率上升,导致短路电流密度下降。优化CIGS薄膜太阳能电池参数后,利用SCAPS模拟得到其转换效率达到了27.67%。 相似文献
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Intel成立了生产太阳能电池新公司SpectraWatt并在美国俄勒冈州建了工厂,IBM在研发新电池技术“Li Air”,台积电宣布进入太阳能电池市场,三星电子兴建了太阳能电池生产线……,半导体巨头们跨入太阳能光伏市场的步伐还在加快,而半导体人转向太阳能光伏领域更是比比皆是。我们知道,太阳能级硅(SG)Si含量一般在99.9999%,而电子级硅(EG)的Si含量一般要达到99.9999999%。太阳能光伏与半导体的关联性,正是人们所谓的6个9与9个9之别。 相似文献
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a-Si、CdTe和CIGS是目前薄膜呔阳能电池主流技术,而大部分CIGS(铜铟镓硒)电池都采用真空蒸镀方式生产——称为共蒸镀(co-evaporation),将主要材料铜铟镓与硒加热在真空中沉积于基板,这种工艺要实现大面积且均匀的铜铟镓硒膜具有相当的挑战性。 相似文献
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Veeco日前与中国电子科技集团公司第十八研究所、中国化学与物理电源行业协会共同举办了铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池技术研讨会,议题涵盖CIGS薄膜太阳能电池的最新生产设备、测试设备及目前中国光伏产业发展现状等。 相似文献
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近期,双登集团参加了为期3天的“2010年中国(南京)新能源展览会”。展会期间,双登携带储能电池、太阳能板、太阳能灯、控制器、卷绕电池、胶体电池和富液电池等产品进行了集中展示,吸引了来自国内外客户莅临双登展台参观,并与技术人员探讨产品应用领域、性能特点和技术优势. 相似文献
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一家初创公司已经开始销售可帮助偏远地区的太阳能和风能发电运行的电池。一种价格低廉无污染的可储存太阳能和风能的新型电池已经上市。它是目前为什么重要可再生能源的间歇现象是普及使用这种技术中的一个障碍。新一代依赖间歇性可再生能源的大型耐久性电池中低格最低廉的。阿奎恩能源(AquionEnergy)是从卡内基梅隆大学独立出来的公司,最近为小型电网或“微电网”的运营商提供了第一批电池,这种电池可独立支持集中式电网的运行。 相似文献
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《电子工业专用设备》2011,(1):55-56
日前,我国首台代表国际尖端水平的薄膜太阳能电池关键生产设备——等离子体增强型化学气相沉积设备(PECVD)在上海理想能源设备公司(下文简称“理想能源”)成功下线,打破了高端薄膜太阳能电池设备一直被国外厂商垄断的局面,并有望大幅降低太阳能发电成本。中共中央政治局委员、上海市委书记俞正声致信祝贺。 相似文献
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CuIn1-xGaxSe2(CIGS)为直接带隙半导体,其带隙宽度随In/Ga比而变化,且对可见光具有很高的吸收系数,是最有希望用于制作新一代高效、低成本薄膜太阳能电池的材料.采用直流溅射和后硒化工艺制备了系列CIGS薄膜,研究了溅射功率和衬底对CIGS薄膜的微结构和光学性质的影响.发现钼玻璃上溅射功率为50W,在55... 相似文献
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《电子工业专用设备》2009,(6):55-55
台系设备厂切入薄膜太阳能领域,目前主要以非晶硅及铜铟镓硒(CIGS)领域为主,台系设备业者指出:由于开发薄膜太阳能设备成功关键在于制程设备,其与半导体制程类似,为台系业者欠缺之技术,开发难度远较先期预期来的高,恐怕未来能在薄膜设备领域成功者仅少数。 相似文献
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江西赛维LDK太阳能高科技有限公司(LDK.NYSE,下称“LDK”)将进军欧洲太阳能光伏电站领域,而其合作伙伴则是世界最大的太阳能电池制造商——德国Q-cells公司。 相似文献