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相似文献
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1.
介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理,阐述了利用电感串联反馈技术来实现放大器的噪声系数和输入匹配相互矛盾的两方面达到较好的折中,使得电路的结果达到最优。电路在Agilent公司的射频设计软件ADS2003进行仿真和优化,仿真结果是低噪声放大器在2.44GHz的工作频率下,增益G>11dB,噪声系数NF<1.3.  相似文献   

2.
利用Advanced Design System(ADS)完成了L波段低噪声放大器(LNA)的设计。分析了实际电路可能产生的非连续性、寄生参数效应等因素对电路各个性能指标的影响,并针对这些因素利用ADS进行了电磁仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终电路及测试结果。采用ATF-35143器件设计,达到了预定的技术指标,工作频率1.21GHz,增益G大于14dB,噪声系数NF小于0.5 dB,输入1dB压缩点大于5dbm。  相似文献   

3.
限幅低噪声放大器是雷达接收机非常重要的一部分,它决定接收机灵敏度和动态.阐述了放大器几个重要指标,FET管在低频段存在潜在不稳定性以及消除不稳定的方法和措施.最后以某型号产品限幅低噪声放大器为例,简要介绍了利用AHSOFT公司微波电路设计软件设计放大器设计方法.  相似文献   

4.
利用ADS完成了900MHz低噪声放大器的设计。该文重点分析了偏置电路的设计和稳定性的分析。另外对微带线的高频寄生效应等进行了分析,并针对这些因素利用ADS进行了电磁场仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终电路及测试结果。采用ATF35143器件设计,达到了预定的技术指标。  相似文献   

5.
运用变压器反馈技术,基于65 nm CMOS工艺设计了一款紧凑型宽带低噪声放大器。电路采用两级共源共栅结构,基于变压器的输入匹配网络实现了宽带输入匹配,漏源正反馈提高了电路的增益,漏源负反馈增强了其稳定性,电路总面积仅为0.156 mm2。仿真结果表明,设计的宽带低噪声放大器的最大增益为18.2 dB,3dB带宽为31~45 GHz, 1 dB带宽为32~44 GHz。在36 GHz时,最低噪声系数为4.5 dB,1dB带宽内噪声系数均低于5.2 dB。  相似文献   

6.
一种基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的5.1GHz频率下的CMOS低噪声放大器。采用源极电感负反馈共源共栅电路结构,使放大器具有较高的增益和反相隔离度,保证较高的品质因数和信噪比。利用ADS对电路进行调试和优化,设计出低功耗、低噪声、高增益、高稳定性的低噪声放大器。通过ADS软件仿真得到较好的结果:在1.8V电压下,输入输出匹配良好,电路增益为16.12dB,噪声系数为1.87 dB,直流功耗为9.84mA*1.8V。  相似文献   

7.
在系统中集成超宽带(UWB)收发机芯片用于支持室内定位正成为移动通信终端技术发展的一个重要趋势.在超宽带收发机中,低噪声放大器(LNA)是一个核心功能模块.超宽带的全频段(3.1~10.6 GHz)覆盖要求给低噪声放大器的设计带来了巨大挑战,尤其是需要在宽带匹配及在带内维持平坦的噪声系数的情况下.传统的低噪声放大器架构...  相似文献   

8.
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款应用于WLAN 802.11频段的低噪声放大器(LNA).采用了共射级的两级级联结构,发射极运用电感负反馈,有效地提高了增益和线性度.仿真结果表明,在5~6GHz工作频段内,小信号增益S21达20.5 dB,噪声系数NF低于2 dB,正向传输系数S11小于-19 dB和反向传输系数S22小于-18 dB,实现了较好的输入输出匹配.  相似文献   

9.
论述应用于GPS的低噪声放大器的设计原理,并通过ADS仿真软件,设计出低噪声放大器。给出噪声系数、增益和输入端匹配的仿真结果。通过优化,可以使得噪声系数达到1.2以下、增益值达到30dB以上的指标。  相似文献   

10.
介绍了一种利用ADS仿真器设计低噪声放大器的方法。先总体阐述了低噪声放大器的主要技术和性能指标,然后在采用NEC的2SC5507(NE661M04)管的基础上,依据低噪声放大器的各项指标来同步进行电路的设计、优化和ADS仿真,最后使得低噪声放大器的设计结果达到设计初期的期望值,并成功地完成了低噪声放大器的电路设计。  相似文献   

11.
12.
设计了一种基于共源结构的两级级联超宽带低噪声放大器.该低噪声放大器采用了源端电感和四分之一阻抗变换器,在不恶化电路噪声系数的情况下具有较好的输入匹配.通过使用GaAs赝调制掺杂异质结场效应晶体管( pHEMT)器件,在PCB板上实现了低噪声放大器的加工,加工测试结果与原理图仿真结果基本符合.测试结果表明,该低噪声放大器的增益达到12±1.5 dB,最小噪声系数为1.8 dB,输入输出匹配结果良好.  相似文献   

13.
Si基和GaAs基低噪声放大器(LNA)内部有源器件的基极/发射极间是注入能量作用下容易损伤的敏感部位,同时Si基LNA内部的无源电阻也是外界能量作用下的易损薄弱环节之一.为了研究注入损伤机理和对LNA性能参数的影响,进行了能量色散谱(EDS)分析和表面形貌(SEM)分析.SEM分析表明,不同能量作用下的样品其内部无源电阻和晶体管基极分别出现了异常,而对比正常和异常区域的EDS谱表明电极异常区域的组分有明显变化.ADS2004A的仿真结果表明,能量作用后电阻损伤阻值增大引起LNA噪声系数和增益特性退化.实验结果表明,LNA噪声系数NF对能量的作用更敏感,能量注入对NF的影响远强于其对增益的影响,噪声系数NF的变化应作为Si基LNA能量作用损伤的判据之一.  相似文献   

14.
2.4GHz低噪声放大器的研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
低噪声放大器是对来自天线的微伏级信号进行放大的射频接收端的放大模块。该低噪声放大器主要由输入匹配网络、微波晶体管放大器和输出匹配网络组成。匹配网络采用微带线形式建立,微波晶体管采用NPN硅晶体管BFP420。利用Microwave Office进行电路仿真和优化。该放大器满足小信号放大器的指标要求,可以用于射频接入电路的前端。  相似文献   

15.
为了使噪声系数最小和较好的避免输入输出匹配网络的相互影响,利用Advanced Design System(ADS)软件,采用输入端最小噪声系数和输出端最大增益匹配法与最佳阻抗匹配法相互结合的方法,对北斗一代S频段低噪声放大器进行设计与仿真。联合仿真结果表明,该放大器增益达到(40±1)dB,噪声系数小于0.7dB,输入输出驻波比小于1.5dB。实物测试结果在偏差损耗允许范围内,基本满足指标要求。  相似文献   

16.
采用0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款频率400 MHz~2.4GHz宽带低噪声放大器。采用两级级联结构,将前级放大器的输入阻抗匹配到最佳噪声阻抗得到最小噪声;后级放大器采用负反馈结构得到较宽的工作频带;级间引入失配补偿方法,即在晶体管增益滚降处引入高频增益,使得放大器工作频带拓宽,提高带内平坦度。仿真结果表明,该低噪声放大器工作频率为400 MHz~2.4GHz,频带内噪声系数为1dB,增益为34dB,增益平坦度为3.1dB,回波损耗优于-10dB,满足了低噪声、超宽带和高平坦度的要求。  相似文献   

17.
利用仿真软件先进设计系统(ADS2009)设计中心频率为1575MHz的低噪声放大器,应用于手机全球定位接收系统。选用恩智浦公司的BGU8009放大器芯片作为放大电路,通过外围匹配电路设计,使用最少的元件构成单级、低成本的低噪声放大器电路。仿真结果显示,放大器的增益大于16dB,噪声系数小于0.75dB,增益平坦度比较好,稳定系数大于1,达到系统要求的各项指标,并具有一定裕量。  相似文献   

18.
首先,简单介绍了微波低噪声放大器(LNA)的研究背景,分析LNA设计的重要现实意义;然后,描述了LNA设计的关键点,以及实现的方式和要求,提出了LNA设计的基本思路;最后,设计出了一款适应某动中通卫星通信系统的LNA,包括电路模型建立、射频电路仿真、PCB电路板实现及相关测试。仿真及测试结果表明,该LNA设计方案达到了预定设计指标要求。  相似文献   

19.
该文根据对晶体管结构和低噪声放大器原理的分析,利用ADS软件设计了一个低噪声放大器。通过采用HBT晶体管,设计偏置电路、负反馈电路和输入输出匹配电路,实现在2GHz频率下,低噪声放大器绝对稳定,增益大于13dB,噪声系数低于1.0dB,输出驻波比小于1.3,输入驻波比小于2.5。  相似文献   

20.
设计了一种宽带CMOS低噪声放大器(LNA)。采用基于前馈原理抵消噪声的CG(共栅)结构,其频率范围覆盖电视调谐器的频道范围(50~900 MHz)。相比传统的电阻负反馈低噪声放大器,提出的放大器电路具有更好的性能指标。在工作频率内,电压增益(S21)大于14.3 dB,S11小于-11.3 dB,噪声系数(NF)低于2.87 dB,增益1 dB压缩点为-4.4 dBm,输入参考三阶交调点(IIP3)高于5 dBm。  相似文献   

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