镜像对称结构对多馈源混响室场性能的影响

为解决混响室大体积与场性能高要求之间的矛盾,提出了一种基于镜像原理的多馈源混响室的设计思想,从原理上分析了镜像多馈源混响室的可行性和有效性,并通过仿真计算研究了镜像双馈源混响室的场性能.结果表明,在输入功率一定时,两个单混响室系统组合成镜像双馈源混响室后,在工作区域的场均匀性能不下降的基础上,不但可用于电磁兼容测试的工作区域体积大幅度增大,而且测试区域的电场强度也得到了提高.同时,对镜像多馈源混响室进行了进一步的扩展分析,得出了组成镜像多馈源混响室的单混响室系统数量的理论表达式.     

双发射天线对混响室场性能影响的数值分析

提出了双天线激励混响室的方法,研究了双天线激励对混响室场性能的影响。分析了双天线改善混响室场均匀性的原理,对单天线激励下的混响室模型以及处于不同位置的双天线激励下的混响室模型进行了仿真计算,从场均匀性和场强两个方面研究了双天线对混响室场性能的影响,对双天线影响场强的机理进行了分析。研究表明:采用双天线激励改善了混响室工作区域的场均匀性;采用双天线可以降低对功率放大器的要求,降低大型混响室测试成本。最后对双发射天线在大型混响室中的应用进行了探讨和展望。     

混响室的仿真与优化

混响室的结构设计中,搅拌器的设计是一个难点.合理设计的搅拌器会改善混响室的场均匀性、降低最低可用频率.文章通过实验仿真,定性分析了不同的搅拌器大小、形状与个数对混响室性能的影响.     

混响室发射天线指向对场均匀性影响研究

采用基于矩量法的电磁仿真软件FEKO建立了混响室仿真模型,并对步进模式下的混响室模型进行了数值计算.将混响室数值计算与遗传算法相结合,通过仿真计算与理论分析研究了混响室发射天线指向对场均匀性的影响.研究结果表明:改变发射天线指向,其本质是改变混响室各模式前的加权系数,导致表征混响室工作区域场均匀性的电场标准偏差随之发生改变.发射天线指向处于最优配置时,工作区域各轴向电场标准偏差较初始状态有所下降,说明通过优化提高了工作区域场均匀性.     

混响室桨叶夹角对场均匀性影响的仿真及测量

用HFSS10．0对混响室进行仿真,研究了搅拌器的夹角对场均匀性的影响。首先阐述了混响室的特点及其场均匀性校准的原理和方法,然后根据实际混响室的尺寸,用HFSS10．0进行建模,通过仿真得出搅拌器在不同夹角情况下的场均匀性。最后根据仿真结果,对混响室的场均匀性进行测量,验证了合理的设计搅拌器会改善混响室的场均匀性,降低最低可用频率。     

混响室搅拌器位置优化的数值分析

为研究混响室搅拌器位置对测试区域场均匀性影响,采用基于矩量法的电磁仿真软件FEKO对混响室仿真模型进行数值计算,通过与遗传算法相结合对混响室搅拌器位置进行优化,得到了搅拌器位置的最优解以及相应的表征混响室测试区域场均匀性的电场标准偏差值.研究表明:搅拌器位置影响测试区域场均匀性,当搅拌器位置处于最优配置时,测试区域各轴向电场标准偏差较初始状态分别下降了47.4%、20.1%、57.1%,总标准偏差下降了44.0%,测试区域场均匀性较优化前有所提高,提高了混响室用于电磁兼容测试时的准确度.     

混响室“Z”型搅拌器的设计优化

阐述了混响室性能评价方法、机械搅拌器的作用与工作原理。利用电磁计算仿真软件分析了“Z”型搅拌器的长度和折叠数目对混响室场强均匀性指标的影响。结果表明,在混响室内部空间允许的条件下,搅拌器投影长度越长、折数越多,对应的混响室性能越好。     

源搅拌混响室的仿真分析与实验研究

根据谐振腔理论,分析了理想情况下影响源搅拌混响室性能的主要因素,通过数值计算对其进行仿真验证,确定了影响混响室场均匀性的主要因素有激励天线的极化方向,摆放位置以及激励源的位置数等;在此基础上提出了一种可行的源搅拌方案,通过实验的方法,在满足一定采样数情况下,实现了混响室较好的场均匀性;同时借助K-S拟合对源搅拌混响室测量场值的统计特性进行了分析,结果表明:源搅拌混响室的一维场分布服从瑞利分布。     

利用多天线源搅拌改善混响室场均匀性的分析

通过在混响室的简化三维模型中随机设置激励天线的位置和姿态实现多天线源搅拌因素的引入.与其他方法的对比验证确定利用矩形腔体的电并矢格林函数来仿真电偶极子激励下的电场分布.研究和分析了多天线源搅拌技术对传统混响室工作区域内场分布均匀性的改善作用,结果和理论分析吻合,其性能的提升会受到天线极化和工作频率的影响.     

混响室条件下无线电引信敏感度测试方法研究

针对国内各类标准及实验中提出的开阔场环境下敏感度测试方法无法满足线度较大弹体及高场强测试需要的问题,利用混响室在测试空间和强场模拟等方面的优势,提出了混响室条件下无线电引信敏感度测试方法.这种测试方法也可以为其他大型装备的敏感度测试提供方法借鉴.该方法基于混响室步进工作模式,测量受试引信在测试频点不同采样点处的临界发火场强.试验证明,取各测试频点在不同采样点处测量值的最小值作为混响室条件下无线电引信的敏感度阈值,不仅在数值上接近于开阔场条件下的测量结果,而且两种实验环境的测试结果保持了很好的相关性,体现了这种测试方法的可行性.     

真空微电子器件应用研究

本文叙述了场致发射的机理及几种不同类型场致发射阴极的特点,并对场致发射技术在真空微电子器件方面的应用进行了分析.     

用于大面积显示的低成本纳米管场发射显示器

我们验证了一个显示视频图像的阴极阵列,它基于6in对角线、QVGA分辨率的碳纳米管,采用了简单的低成本器件结构。该纳米管是利用选择性化学汽相沉积法生长在特定位置上的,对净化阴极具有良好的可控性。该器件结构只需要三个低分辩率的掩膜工序,开关电压为50V。此外,我们的器件设计为较长的显示寿命创造了条件。在一个较小的全熔接密封的试验显示器上,我们已经记录了超过3000小时的寿命,而电流仅下降了20%。     

Fowler－Nordheim公式用于实际场发射体的修正

Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ公式是一个在理想条件下推导的计算场致发射电流的公式。对场发射体的实验测量表明：实测结果往往比根据Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ公式计算的结果大很多，说明这一理想化了的公式应用于实际场发射体时，必须给予修正。本文讨论了产生这一问题的原因，并提出了合理的定量修正方法。     

一代前景诱人的新型器件——真空微电子管

描述了真空微电子器件的发展概况，特别对场发射阵列的结构设计进展、微波用场发射阵列研究、低压场发射阵列研究以及场发射平板显示器的现状进行了全面阐述。     

信息天地

苟仲文希望中国电子做强做大主业提升核心竞争力信息产业部副部长苟仲文在出席中国电子信息产业集团公司2008年工作会议时对中国电子的工作提出四点希望:第一,要全面贯彻党的十七大精神,进一步增强坚持科学发展的责任感。中国电子要全面贯彻落实党的十七大做出的战略部署,以科学发展观统揽全局,科学分析全面参与经济全球化的新机遇、新挑战,充分认识推进信息化与工业化融合的重大意义,准确把握电子信息产业升级转型阶段的新特征、新要求,切实树立起强烈的责任感、使命感和紧迫感,更加自觉地走科学发展道路,进一步把中国电子做大做强,圆满完成党和国家赋予的各项任务。     

场热电子发射与场热电子显示屏FTD

由于场热电子发射显示屏FTD采用场热发射微电子枪平板阵列,对场强和真空度的要求都不高,而且发射电流密度大,发射电流稳定性和均匀性好,故FTD既具有与液晶显示屏LCD、等离子显示屏PDP和场电子显示屏FED一样的平板结构,又具有与阳极射线显象管CRT一样的高亮度、高清晰度、广视角、低功耗、长寿命和优良的彩色图像。而且FTD生产工艺简单,凡能够生产CRT、LCD和PDP的厂家,不必增加大型设备,即可生产FTD。因此FTD生产成本低,是一种能够实现CRT平板化,并与其它平板显示屏,如LCD、PDP等在市场中相竞争的优质平析显示屏。     

真空微电子学的研究与发展

本文系统介绍了近年来真空微电子不的研究内容，达到的水平和亟待解决的问题，包括真空微电子器件的基本结构，场发射列，微尖结构物理，新材料和新器的探索以及真空微电子学的主要应用。     

500V VDMOS功率器件终端结构设计

本文论述了VDMOS器件的一种场板-分压环结合的终端结构。对1.5A/500V功率器件进行了分析和设计,并给出了终端电场分布的模拟结果。投片试制结果与设计预期参数相符。