结电容对光伏器件I-V特性测试的影响

I-V特性是表征光伏器件性能的重要指标,在用电压扫描方式对一些器件进行I-V测试时,会出现零偏压电流为正向电流的现象,本文通过分析结电容对光伏器件电流电压测试的影响,对这种现象进行了解释,根据对由IOOMΩ电阻和50pF电容搭建的并联电路进行的测量,得到测试系统电压变化速率为2.14V/s,从而推算出光伏器件结电容的大小近似为0.47pF.用电路仿真软件PSpice对该测试电路进行了仿真,得到的仿真结果与实验结果相符.     

垂直p-n结的碲镉汞光伏探测器暗电流特性分析

如何提高碲镉汞焦平面探测器的制备工艺,降低暗电流直接关系到探测器的噪声和灵敏度.本文对所研制的垂直结碲镉汞光伏探测器在工作条件下的暗电流大小和构成机制进行了模拟分析,理论计算结果和实验结果吻合很好.分析结果进一步反馈了工艺中存在的问题,这对改进工艺、提高器件性能有重要的理论指导作用.     

光伏型InSb红外探测器表面的阳极氧化

测量了阳极氧化InSb MOS结构的界面特性以及光照对经阳极氧化保护的光伏型InSb红外探测器性能的影响。实验指出,对于p-n结器件,光照使短路电流增加,器件阻抗的降低是由于光敏面扩大,而对于n~ -p结器件,短路电流不随光照变化,但I-V曲线出现了明显的软击穿,器件阻抗的降低来自于结区二边电子的隧道穿透。文章对器件性能蜕变的机制以及克服的方法进行了分析与讨论。     

InGaAs线列探测器的I-V特性研究

采用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延异质结材料,制备了InGaAs线列台面探测器,并测试了器件的I-V曲线、响应率和噪声.通过拟合,I-V曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,并分析了它们对器件响应率和噪声的影响.结果表明:InGaAs吸收层外延质量与器件的理想因子相关联,影响器件的噪声.但对器件的响应率影响不大.计算了无光照和有光照情况下串联电阻Rs取不同值时器件的I-V曲线,得到串联电阻较小时其作用可忽略,但串联电阻会表观上增大零偏电阻,且串联电阻越大,损失的光电流越多.实验结果证明该方法对改进器件性能有一定的参考意义.     

InSb单元及线列器件I-V特性失效分析

InSb单元及线列器件广泛应用于中波红外探测器的研制。InSb器件I-V中测筛选既可以有效地检测出适于装配使用的合格芯片,还可对前道工艺存在的问题实现有效监控和反馈。本文采用半导体参数分析仪对InSb单元及线列器件进行I-V测试,对日常测试中出现的I-V失效进行归纳,并对典型失效情况进行了失效原因分析,发现影响探测器芯片直流特性的主要因素是表面漏电。     

台面PN结InSb红外探测器响应时间研究

分析了光伏InSb探测器响应时间与量子效率、反向饱和电流的关系,设计出量子效率为0.61～0.56、响应时间为20～60 ps的锑化铟(InSb)红外探测器,实验制备了台面p+-on-n结构的探测器.通过I-V、C-V测试验证了制备的器件物理参数与设计值吻合.采用脉冲响应测试了InSb探测器的响应时间(0.3?s),由于封装和其他分布电容的限制,响应时间测试值与理论计算值存在差距.     

碲镉汞光伏型探测器的变面积氢化研究

利用氢等离子体对碲镉汞光伏型探测器进行了变面积氢化处理研究,发现随着氢化面积的变大,器件的电流-电压(I-V)特性得到明显改善,表现在器件的暗电流变小,零偏电阻R0变大,同时器件的电流噪声也随着氢化面积的扩大而逐渐降低.通过对比实验结果和数值拟合结果,认为氢化工艺对器件性能的改善机制与氢化区域有关,当氢化区域限于N型区时,氢化的效果主要表现在降低注入损伤导致的少子复合中心从而提高少子寿命;当氢化区域扩大到P型区时,氢化的效果主要表现在使表面耗尽区中的陷阱中心减少,主要通过降低间接隧道电流来改善器件性能,这说明了实验中注入成结的光伏器件为N P结.     

锑化铟多元探测器结特性及工艺研究

一、前言由于锑化铟这种化合物半导体材料的性质使得锑化铟光伏型红外探测器易于制成多元列阵器件和便于集成化。而锑化铟多元器件具有较大的实用价值。国内经过多年的研究探索,虽然部分器件已达到应用水平,但其技术性能还有待于进一步提高。本文仅就锑化铟多元器件结特性及其工艺进行一些初步的研究,从反映结特性的三个方面,分析不同类型样品器件的性能,发现制作技术的关键环节,从而指导实际工艺,提高锑化铟多元探测器的性能。     

甚长波碲镉汞光伏探测器伏安特性分析

分析了注入同质结N-on-P和液相外延异质结P-on-N碲镉汞甚长波红外探测器在不同工作温度下的I-V特性,并对R-V特性进行了仿真计算,对比了扩散电流、产生-复合电流、表面漏电流、带间隧穿电流和缺陷辅助隧穿电流等暗电流对两种器件R-V特性的不同影响。     

中波碲镉汞光电二极管pn结特性研究

采用液相外延(LPE)生长的中波HgCdTe薄膜,基于B离子注入n-on-p平面结技术,制备了LBIC测试结构和I-V测试芯片并进行了相应的测试和分析.LBIC测试结果表明,HgCdTe pn结实际结区尺寸扩展4～5 μm,这主要与光刻、B离子注入以及注入后低温退火等器件工艺有关.二极管器件C-V和I-V特性研究表明,所制备的HgCdTe pn结不是突变结也不是线性缓变结.中波HgCdTe二极管器件最高动态阻抗大于30GΩ,器件优值R0A高达1.21×105Ωcm2,表现出较好的器件性能.