基于国半LM3886的高保真合并式音频功率放大器

顺应当前节能减排的原则,开发了一款性价比极高、性能较完善的基干国半LM3886的高保真合并式音频功率放大器,该合并武音频功率放大器能匹配绝大多数书架音箱.实测指标与实际试听都达到较高水平.     

流行大功率IC放大器的比较及应用

一．6片IC简介 本文将为大家介绍现在流行的6款IC音频功率放大器,分别是美国国半公司的LM1875、LM4766、LM3886（LM4780）以及ST意法公司的TDA9293和TDA7294,它们的标称输出功率在30～100W范围内,适用于家用高保真音频功率放大器。采用这几款IC的功放具有元件少、调试简单的特点,功率、音质与一般的分立元件功放相比毫不逊色,因此一直受到广大DIY发烧友,特别是初学者的喜爱。JeffRowland的基于LM3886、TDA7293的功放跻身世界优秀功放之林,更证明了功率IC本身性能之优异。     

中功率传动用的内置电流取样电阻的IGBT功率模块

测量IGBT逆变器的输出电流需要电流传感器。按输出功率的不同，目前已有一些熟知的测量方案。在逆变器的印刷电路板(PCB)上放置取样电阻，因系统成本低，电流测量精确而被广泛采用，但运行中取样电阻的功耗限制了这种方法的使用，因而对于较大的功率必须采用其他方法。现在有一种技术，即把电流取样电阻放置到IGBT模块的基板上，使其尽可能地靠近散热器，这种技术可以用于最高达35kW等级的电流测量，但实际上在更大功率的测量时仍采用目前应用的电流传感器法。     

影响短波发射机功率模块输出电压的两个因素

一般大功率的短波广播发射机采用PSM技术获得直流屏压以及音频调制电压,但是由于发射机长时间满负荷工作,导致滤波电解电容逐渐干涸造成容量不足,影响了发射机的技术指标的达成。短波发射机是用于发射短波波段无线电信号的设备,主要的作用是通信,但是功率模块会被多种因素影响,其中最主要的两个因素就是功率模块中IGBT的栅极电阻以及开关状态检测电路,能够对输出电压造成影响。主要阐述影响短波发射机功率模块输出电压的两个因素。     

短波发射机功率模块输出电压的两个因素分析

在广播电台信号传输上多以短波发射机为主要设备,而进行短波发射机电压控制与调节则依赖于PSM技术,在短波发射机长期高负荷运行后,其功率模块电容会逐渐降低,对发射机运行质量带来了一定影响。为保障短波发射机信号传输的准确性与可靠性,要求对影响短波发射机功率模块输出电压的两个因素进行分析,为短波发射机设备正常运行与维护提供依据,最大限度保证短波发射机信号传输的可靠性与准确性。     

一种用毫米波放大的电路,波导及空间功率合成器

本文提出了将电路、波导及空间功率合成用于毫米波放大器这样一个新概念。     

一种功率分立器件最大输出电流的计算方法

基于MATLAB数值计算工具,以典型的TO封装IGBT器件为研究对象,从规格书的测试曲线中获得拟合参数,建立 了频率与最大输出电流关系的计算模型,结果显示:结壳稳态热阻值对最大输出电流的计算结果具有明显影响,使用实测结壳稳态热阻所计算出的最大输出电流与规格书的测试数据具有较好的吻合,最大误差约为８％。     

中小功率光伏逆变器用功率模块的发展及应用

全球气候变暖和环境恶化使得太阳能和风能等新能源得到了发展的契机,而电力电子器件是新能源发电的驱动力之一。从提高效率的角度出发,本文介绍了中小功率光伏逆变器中电力电子模块的最新技术发展,包括新型的功能集成技术,封装技术和拓扑结构,并给出了在实际应用中的测试波形。     

一种可变电压等级恒功率输出的变流器实现方法

高压大功率变流器已得到广泛应用,但目前,变流器在输出电压降低时输出功率也等比的减少,只能是运用多个变频器来实现恒功率输出。本文介绍了采用IGBT多个功率单元（H桥）串联相结合的多种变换形式,达到恒功率输出多种电压等级的目的。通过组合开关切换实现了1 3.2kV、6.6kV、3.3kV、1.65kV和0～1000V直流的...     

最大输出可达170W的数字功放控制器LM4651N——数字功放原理和实际应用电路（三）

LM4651N是美国国家半导体公司生产的一款数字功率放大控制器。LM4651采用集成化技术将模拟信号变换成脉冲宽度调制信号去驱动开关控制元件，功率型开关器件需要另接。     

功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究

随着用户对功率电子散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难。本文在介绍了功率电子器件的工艺技术后，详细地讨论了封装技术对功率电子的重大影响，并以热增强型封装、热插片封装为例，描述了功率封装的动、静态特性，并给出了计算热阻的处理步骤和测量电路，具有一定的参考价值。     

功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究

随着用户对功率电子散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难。本文在介绍了功率电子器件的工艺技术后，详细地讨论了封装技术对功率电子的重大影响，并以热增强型封装、热插片封装为例，描述了功率封装的动、静态特性，并给出了计算热阻的处理步骤和测量电路，具有一定的参考价值。     

功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究

随着用户对功率电子散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难。本文在介绍了功率电子器件的工艺技术后，详细地讨论了封装技术对功率电子的重大影响，并以热增强型封装、热插片封装为例，描述了功率封装的动、静态特性，并给出了计算热阻的处理步骤和测量电路，具有一定的参考价值。     

安森美半导体推出带开关控制器的电流镜及SENSEFET 功率MOSFET

安森美半导体日前宣布推出带开关控制器的电流镜CAT2300,将这器件与安森美半导体的NTMFS4833NS或NTMFS4854NSSENSEFET 功率MOSFET器件结合使用,能提供紧凑、高能效的电流监控方案。这些新器件的组合提供系统级电源管理,用于便携计算机及网络设备等应用。     

安森美半导体推出带开关控制器的电流镜及SENSEFET功率MOSFET

安森美半导体推出带开关控制器的电流镜CAT2300,将这器件与安森美半导体的NTMFS4833NS或N T M F S4854N S SENSEFET功率MOSFET器件结合使用,能提供紧凑、高能效的电流监控方案。这些新器件的组合提供系统级电源管理,用于便携计算机及网络设备等应用。     

多输出端电流模式全差分积分器实现带通滤波器的方法及仿真

该文提出了利用低电压多输出端电流模式全差分积分器(MCDI)设计实现连续时间电流模式滤波器的方法.分析并模拟了MCDI及所提出的滤波器的特性,应用3.3V,0.5m,CMOS工艺参数仿真得到的二阶带通滤波器功耗仅为0.6mW左右,且其中心频率可在很宽的范围内调控.此外,这种滤波器还具有结构简单、对称性好、失真小等优点,适于全集成.