硫掺杂纳米金刚石薄膜的图形化生长

利用电子增强热丝化学气相沉积(EACVD)技术,以CH4/H2/H2S/Ar为工作气体,SiO2/Si为衬底,制备了硫掺杂金刚石薄膜。研究了利用光刻技术实现薄膜的图形化生长。结果表明:以SiO2作掩模的光刻技术能够使得硫掺杂金刚石薄膜在光滑SiO2/Si基片上很好地图形化生长。Hall效应检测表明硫掺杂金刚石薄膜为n型,给出了n型金刚石/p-Si异质结的反向I-V特性曲线。     

CVD金刚石膜表面图形化加工技术的研究

首先用CVD法制备金刚石厚膜,接着在其表面利用氢等离子体辅助刻蚀,然后在铁薄膜的催石墨化作用下,对金刚石膜的表面进行了选择性的刻蚀.结果表明,在氢等离子体的辅助作用下,铁薄膜可以持续对CVD金刚石膜进行刻蚀;如果控制铁薄膜的形状和厚度,可以实现对CVD金刚石膜表面较精确的图形化刻蚀.该技术有望成为一种新的刻蚀金刚石膜的方法.     

大面积平坦金刚石薄膜的制备和图形化

采用直拉热丝ＣＶＤ法沉积了面积３ 英寸的金刚石薄膜。硅衬底在沉积前采用０－５ ～１μｍ 金刚石微粉研磨,使成核密度达１０１０ 个／ｃｍ２ 以上,同时调整沉积工艺,特别是降低沉积气压至０－５ ～１－５ｋＰａ,促进了金刚石的二次成核,使薄膜变得十分平坦,当薄膜厚度为５μｍ 时,表面粗糙度Ｒａ 仅为６０ｎｍ 左右。另外,以铝作为保护膜,用氧离子束刻蚀金刚石薄膜,得到宽度为３ ～５μｍ 的精细金刚石薄膜图形。     

金刚石薄膜抛光技术

各种化学气相沉积和金刚石薄膜技术的发展,为金刚石薄膜在光学、超硬工具涂层等领域提供了广阔的应用前景。而这些应用需要对沉积获得的金刚石膜粗糙表面进行抛光。本文介绍了新近发展的金刚石薄膜抛光技术。并对其发展前景进行了探讨。     

金刚石簿膜生长技术

本文回顾了低压合成金刚石的历史,对各种金刚石薄膜的生长方法进行了简要的对比。低压条件下金刚石处于亚稳态而石墨处于稳定相,本文重点介绍了低压条件下抑制石墨形成促进金刚石生长的关键因素。对金刚石在不同衬底上的成核状况,衬底的表面状况对成核的影响,生长过程中原子氢的作用,以及衬底温度的影响等作了概括,提出了目前阶段金刚石薄膜研究中所要解决的问题。     

宽禁带半导体金刚石

较详细地叙述了当前国内外正处在研究热潮中的金刚石半导体的优越性质、发展状况及其应用和潜在的应用前景.同时分析和比较了金刚石薄膜的各种制备方法,可以看出微波等离子体化学汽相沉积法是较好的制备金刚石薄膜的生长技术,并且分析了该技术的特点和优势.该法在保持适当氩气氛和施加衬底负偏压下还可进一步提高金刚石膜的生长速率和质量.对于金刚石异质(在硅衬底上)成核的基本机理也进行了分析.最后,阐述了研究金刚石半导体薄膜目前需要解决的关键问题及其发展方向.     

MgO掩蔽层及其腐蚀法图形化工艺的探究

MgO薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料。本文采用腐蚀法对MgO掩蔽层薄膜进行图形化,得到了一组能够快速对MgO薄膜图形化的工艺参数。     

金刚石薄膜应用技术新进展

本文介绍了第一届国际金刚石薄膜应用会议上有关制备技术的最新发展,讨论了目前金刚石薄膜的应用方向、存在的问题,以及要进入市场所必须解决的关键技术。     

偏压预处理在CVD金刚石成核中的作用

本文基于已经得到的实验结果，分析了在负直流偏压、正直流偏压，以及叠加交流成份的负直流偏压等预处理过程中，偏压在不同ＣＶＤ生长的金刚石薄膜中对金刚石成核的影响。讨论了生长参数中反应压强和碳源浓度等变化对偏压增强成核效应的影响。     

金刚石薄膜低压气相生长中衬底表面缺陷的成核理论

在低压气相生长金刚石薄膜过程中,通过在衬底表面引入缺陷,通常是一种行之有效的提高成核密度的方法。但是,至今尚无公论的关于这种缺陷成核机制的详细报导和理论解释。本文在实验观测的基础上,提出了金刚石膜在衬底表面凹陷结构缺陷内成核的理论,并且讨论了该理论对于试图通过控制衬底表面缺陷来控制金刚石膜成核密度等人工微结构设计研究的意义。     

VHDL高级综合中的多目标工艺映射方法

从国内情况看,高级综合系统的目标,即后端CAD版图工具可分为两大类。一类只能接收门级网表;而另一类其单元库较为完备,往往能接收较大颗粒度的宏单元。针对这种情况,本文研究高级综合结果与后端工艺的衔接问题。提出多目标多层次工艺映射(MLTMMT)策略,旨在与多种工艺衔接。解决实现该策略的有关问题:(1)给出多目标工艺映射方法的形式化描述;(2)给出在多个层次上的多目标工艺映射方法;(3)分析研究多种工艺库,提出一种面积和延时的线性模型;(4)给出RTL通用元件集;(5)建立多种工艺VHDL模拟模型。所实现的系统已完成与三种工艺衔接,验证了本文工作。     

光学莫尔技术测量溶液浓度新方法研究

提出一种利用变位产生莫尔偏折来测量溶液浓度的新方法，设计了一套光电探测系统，给出了测量蔗糖溶液的初步结果