深槽隔离技术中硅的反应离子刻蚀

本文叙述了在反应离子刻蚀（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）系统中采用无碳含氟原子刻蚀气体（ＳＦ＿６，ＮＦ＿３）对硅的深槽刻蚀；分析了真空压力、射频功率、气体组合及其流量和电极温度对刻蚀速率、刻蚀剖面的影响；并根据实验结果，绘出了刻蚀速率与以上物理变量的函数关系曲线；得到刻蚀速率０．５～０．７μｍ／ｍｉｎ，糟宽≤５．０μｍ，深度大于６．０μｍ，横向腐蚀小于１．５μｍ的各向异性刻蚀剖面。本研究技术将应用于超高速ＥＣＬ分频器电路，双极高可靠抗辐射加固稳压器件和ＢｉＣＭＯＳ模拟电路的实际制作中。     

p型和n型硅中SF_6等离子刻蚀引起的电子缺陷

ｐ型和ｎ型硅中ＳＦ＿６等离子刻蚀引起的电子缺陷＝Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｆｅｃｔｓｉｎｄｕｃｅｄｉｎｐ－ａｎｄｎ－ｔｙｐｅｓｉｌｉｃｏｎｂｙＳＦ＿６ｐｌａｓｍａｅｔｃｈｉｎｇ［刊，英］／Ｂｅｌｋａ－ｃｅｍ，Ａ．…∥Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．...     

AlSiCu反应离子刻蚀技术

在Ｔｅｇａｌ１５１２ｅ反应离子刻蚀（ＲＩＥ）设备上，利用Ｃｌ＿２和ＳｉＣｌ＿４为主要刻蚀气体，进行了ＡｌＳｉ０．８％－Ｃｕ２％的ＲＩＥ工艺研究，详细讨论了影响工艺的诸多因素，涉及ＡｌＳｉＣｕ材料本身结构的差异，ＲＩＥ工艺各参数，后处理等许多方面；给出实用化的工艺程序；最小加工线宽达到２μｍ，体刻蚀速率达８７０ｎｍ／ｍｉｎ，均匀性±５％，线宽损失小于１０％，对热氧化ＳｉＯ＿２的刻蚀选择比为４∶１，对ＡＺ１４５０Ｊ正性抗蚀剂的刻蚀选择比大于１．８∶１；该工艺使用效果良好，达到实用化水平。     

铁电PbZr_(0.53)Ti_(0.47)O_3薄膜的磁增强反应离子刻蚀

采用磁增强反应离子刻蚀（ＭＥＲＩＥ）工艺获得了铁电ＰｂＺｒ０５３Ｔｉ０４７Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜的微细图形．研究了用ＣＨＦ３气体在不同射频功率和气体流量下ＰＺＴ薄膜、Ｐｔ和ＡＺ１４５０Ｊ光刻胶的刻蚀速率以及刻蚀选择性的实验规律．原子力显微镜（ＡＦＭ）结果表明,获得的ＰＺＴ薄膜图形具有较高的各向异性．化学分析电子能谱（ＥＳＣＡ）结果表明,在ＣＨＦ３等离子体中Ｐｔ表面形成了一层碳氟聚合物薄膜,它对Ｐｔ的刻蚀起到钝化和保护的作用,并且最后可以在３００℃热处理３０ｍｉｎ被消除．     

MPEG-Past and Future

ＭＰＥＧ－ＰａｓｔａｎｄＦｕｔｕｒｅ￥ＬｅｏｎａｒｄｏＣｈｉａｒｉｇｌｉｏｎｅ（ＣＳＥＬＴ，Ｉｔａｌｙ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｄｒｅａｍｏｆｄｉｇｉｔａｌａｕｄｉｏａｎｄｖｉｄｅｏａｎｄ，ｏｆｌａｔｅ，ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎｆｒ...     

Sol-Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术

为制备Ａ１／ＰＺＴ／Ｐｔ／Ｔｉ电容,研究了采用ＳＦ６／Ａｒ等离子体对Ｐｂ（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ３及Ｐｔ／Ｔｉ底电极进行反应离子刻蚀（ＲＩＥ）的技术．较系统地研究了ＲＦ功率,ＳＦ６／Ａｒ流量比及气压对刻蚀速率的影响,找到了对ＰＺＴ及Ｔｉ进行ＲＩＥ的优化工艺条件．在不同的条件下得到对ＰＺＴ的刻蚀速率为２～７ｎｍ／ｍｉｎ;采用纯Ａｒ气体时Ｐｔ的刻蚀速率为２～６ｎｍ／ｍｉｎ;对于Ｔｉ可用ＨＣｌ及Ｈ２Ｏ２溶液进行腐蚀     

2～3μm AlSi的反应离子刻蚀及实用化技术研究

在Ｔｅｇａｌ１５１２ｅ反应离子刻蚀（ＲＩＥ）设备上，利用Ｃｌ＿２、ＳｉＣｌ＿４为主要刻蚀气体进行了Ａｌ－Ｓｉ１．２％的反应离子刻蚀，研究了各参数对刻蚀结果的影响。在此基础上，本文着重围绕线宽控制和后处理等关键性问题进行了实用化应用研究，并得到了最佳的刻蚀程序。最小加工线条宽度达到１．５μｍ，实用达２～３μｍ，体刻蚀率大于１μｍ／ｍｉｎ，均匀性小于±５％，线宽损失小于１０％，对热氧化ＳｉＯ＿２和ＡＥ１４５０Ｊ正性抗蚀剂的刻蚀选择比分别达８：１和３：１。此技术已用于多种多批量电路的制作工艺之中，效果良好。     

利用氟化气体和氧气的混和物进行SiC薄膜的反应离子刻蚀

本文研究了在ＳＦ６，ＣＢｒＦ３和ＣＨＦ３与氧相混合的几种氟化气体等离子体中，ＳｉＣ薄膜反应离子刻蚀（ＲＩＥ）的深度。通过监测射频等离子体的光发射谱及产生等离子体的直流偏压来研究刻蚀机理，为了更精确地定量分析刻蚀工艺，使用氩光能测定技术使等离子发射强度转换为相应的等离子物质浓度。为获得选择性的ＳｉＣ－Ｓｉ刻蚀及ＳｉＣ薄膜的各向异性图形，对等离子体条件，如气体混合物的构成，压力和功率进行了研究。首次采     

Silicon-on-insulator 1×2 Y-junction Optical Switch Basedon Waveguide-vanishing Effect

Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ１×２Ｙ－ｊｕｎｃｔｉｏｎＯｐｔｉｃａｌＳｗｉｔｃｈＢａｓｅｄｏｎＷａｖｅｇｕｉｄｅ－ｖａｎｉｓｈｉｎｇＥｆｅｃｔ①②ＺＨＡＯＣｅｚｈｏｕ（Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＸｉｄｉａｎＵｎｉｖｅ...     

时分双工方式下的F-PRMA协议及其性能分析

本文提出了一个适合微蜂窝移动通信的时分双工方式下的分组预约多址协议－Ｆ－ＰＲＭＡ（Ｆｒａｍｅ－ｂａｓｅｄＰａｃｋｅｔＲｅｓｅｒｖａｉｔｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅＡｃｃｅｓｓ）利用马尔夫过程理论为Ｆ－ＰＲＭＡ协议系统建立了三状态简化模型，应用Ｔａｓａｋａ提出的平衡点分析方法（ＥＰＡ）对该协议进行了性能分析，推导出分组丢弃概率和系统吞吐率等重要性能参数的解析式，通过数值分析和系统仿真全面考察了允许概率Ｐ帧长     

OPTICAL FIBER-MOBILE COMMUNICATION

ＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲ－ＭＯＢＩＬＥＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮ￥ＦＥＮＧＸｉ－Ｙｕ；ＳＵＮＴｉｅ－Ｃｈｅｎｇ（ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＤａｌｉａｎ１１６０２３）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｏｆｍｏｂｉｌ...     

单片Si-FED的结构和设计

根据场发射显示器（ＦＥＤ）的工作原理和所要求的电学参数,利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术,设计和试制了显示面积为１０．８ｍｍ×１０．８ｍｍ的研究性器件。版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻。工艺流程采用了全干法两步刻蚀和热氧化增尖形成理想硅微尖锥的方案。硅场发射冷阴极阵列（Ｓｉ－ＦＥＣＡ）是ＦＥＤ的核心。     

十一所建立固体激光专业的回顾与展望

十一所建立固体激光专业的回顾与展望张连华ＲｅｖｉｅｗｏｆＥｓｔａｂｌｉｓｈｉｎｇＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＬａｓｅｒＲｅｓｅａｒｃｈａｔＮＣＲＩＥＯ＆ＰｒｏｓｐｅｃｔｓｆｏｒｔｈｅＦｕｔｕｒｅ￥ＺｈａｎｇＬｉａｎｈｕａ十一所是１９５６年建立的无线电材料与元...     

液晶低功率热光双稳态的研究

液晶低功率热光双稳态的研究周海光，陈书潮，吴河浚（厦门大学物理系，厦门３６１００５）１９８７年，Ｈｕｔｃｈｉｎｇ提出将介质充满Ｆ－Ｐ腔中，与Ｆ－Ｐ腔反射面直接接触，利用Ｆ－Ｐ腔反射面的吸收，并将热量传到介质中从而产生热光双稳态，其临界人射功率可以下降...     

DEM技术中微复制工艺研究

利用ＤＥＭ（Ｄｅｅｐｅｔｃｈｉｎｇ，Ｅｌｅｃｔｒｏｆｏｒｍｉｎｇ，Ｍｉｃｒｏｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ）技术获得的微复制金属模具进行了微复制工艺研究。对微复制工艺参数进行了优化，在ＰＣ、ＰＭＭＡ和ＰＯＭ塑料上获得了高深宽比的微结构，并对ＰＣ、ＰＭＭＡ和ＰＯＭ和不同图形的微复制效果进行了比较。     

DEM技术研究

首次提出用ＤＥＭ（Ｄｅｅｐｅｔｃｈｉｎｇ，Ｅｌｅｃｔｒｏｆｏｒｍｉｎｇ，Ｍｉｃｒｏｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ）技术进行非硅材料三维微机械加工，该技术吸收了体硅微加工技术和ＬＩＧＡ技术的优点，解决了ＬＩＧＡ技术的光源问题。目前利用该技术已获得了微复制模具雏形，其加工深度已达到１８０μｍ，深宽比大于２０。利用该技术可对非硅材料，如金属、塑料或陶瓷进行三维微加工。该技术的开发成功，可望成为一项全新的三维微加工技术。     

在硅深－亚微米沟道反应离子刻蚀中气体成分对深度减小的影响

在硅深－亚微米沟道反应离子刻蚀（ＲＩＥ）中，发现氯化气体比氯化气体显然有较大的微－负载效应。为了解作气体效应，利用Ｃｌ２和ＳＦ６进行了模型实验。对腐蚀深度与图形宽度的关系进行了计算，计算时既考虑了腐蚀剂（离子、自由基）的屏蔽效应，也考虑了其表面迁移。根据这些结果，弄清了引起微－负载效应的原因如下：①沟道底部的腐蚀剂的浓度随沟道深度的增加／或沟道宽度的减小而减少；②随着腐蚀剂浓度的改变，氟化气体中刻蚀速率的变化比氯化气体中的大。并且指出，采用较重的卤素作为腐蚀气体，可提供一种去除微－负载效应的方法，因为离子辅助腐蚀在较重的卤素的刻蚀中是占优势的。     

RMOS器件中硅槽及多晶硅栅的刻蚀

ＲＭＯＳ（Ｒｅｃｔａｎｇｕｌａｒ Ｇｒｏｏｖｅｄ ＭＯＳ）器件因具有独特的性能而得到较好的应用。本文介绍用ＲＩＥ设备进行ＲＭＯＳ器件硅槽刻蚀的工艺，并对填满硅槽内的多晶硅栅的刻蚀亦作了研究。选择适当的工艺条件，可刻蚀出形貌较好的硅槽，并可在刻蚀完多晶硅后保持硅槽内多晶硅栅形貌完好 。     

耐反应离子刻蚀的紫外激光光致抗蚀剂的研究

以芳香族双迭氮基化合物为交联剂，苯氧基二苯甲酮为光敏剂，聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）为基质树脂，合成了负型激光光致抗蚀剂。该体系能够在氮分子激光辐照下发生灵敏的光致交联反应，所生成的致密薄膜可以耐四氟化碳等离子体的反应离子刻蚀（ＲＩＥ）。用付里叶变换红外光谱法与紫外光谱法研究了激光光致交联反应以及反应离子刻蚀的动力学过程。讨论了影响反应速率以及刻蚀选择比的诸因素。     

用SEM改装成的电子束光刻线宽10nm及套刻精度不足50nm的器件图形

用ＳＥＭ改装成的电子束光刻线宽１０ｎｍ及套刻精度不足５０ｎｍ的器件图形美国明尼苏达大学电子工程系的Ｐ．Ｂ．Ｆｉｓｃｈｅｒ和Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ等人利用一台ＪＥ－ＯＩＬ－８４０Ａ型扫描电镜（ＳＥＭ）改装成一台电子束直接光刻系统，采用Ｎｉ／Ａｕ剥离工艺，在大...