电子束曝光机复合调整式30KV电源

介绍了复合调整式高压电源的总体设计方案，提出实现高压电源高稳定度的关键技术措施。     

用于聚焦微离子束装置的静电透镜系统的设计分析

聚焦微离子束技术是一项有前途的超微细加工技术。聚焦光学系统的设计是该技术的关键之一。本文主要叙述和分析静电双透镜的离子光学特性,探讨采用静电双透镜的离子束聚焦系统的基本性能,在此基础上提出一种适用聚焦离子束装置的五极单电位静电聚焦系统。     

亚微米聚焦离子束系统的合轴技术及聚焦检测技术

本文介绍了二级透镜亚微米聚焦离子束系统中的合轴技术和聚焦检测技术，包括合轴的调整及其检测技术的原理和具体方法、离子束聚焦状态的跟踪检测技术，利用此技术可以快速准确地获得微细离子束。     

高分辨率离子束微细加工技术

只要是用细小尺寸的整形离子束去轰击靶物,离子束就可成为一种实现高分辨率微细加工的有效手段。本文首先给出以直径小于1000的聚焦镓离子束以扫描方式进行无掩模微细加工、掺杂和抗蚀剂曝光的结果。其次介绍一种离子束透射掩模。并给出用普通尺寸的150KV 质子束照射这种掩模,在 PMMA 抗蚀剂中得到的曝光结果,从而表明该方法具有对0.6μm 分辨率的掩模图形进行1X 复印的能力。最后讨论了仿模离子束光刻和聚焦离子束光刻的潜力。     

镓液态金属离子源的制备

镓液态金属离子源广泛应用于聚焦离子束技术 ,本文介绍了一种利用电子轰击的方法制备镓液态金属离子源的工艺和设备 ,测试了源的 I- V发射特性曲线 ,d I/ d V≈ 0 .0 5 ( μA/ V) ,进行了新旧工艺下电流发射稳定度的比较 ,最佳源发射稳定度大于 95 % ,寿命大于 1 0 0 0小时。     

采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀SiO_2的干法光刻

采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀ＳｉＯ＿２的干法光刻ＤｒｙｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｕｓｉｎｇｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎａｎｄｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆＳｉＯ＿２［刊，英］／Ｃｈｏｑｕｅｔｔｅ，Ｋ．Ｄ．…　∥Ａｐｐ...     

用聚焦硼离子束注入到硅中以实现亚微米沟道的MOSFET

用聚焦离子束注入到硅中的一种新型亚微米沟道长度器件—离子束MOSFET(IB—MOS),已显示出聚焦离子束卓有成效的应用。这种器件的有效沟道区域是在源—漏之间As~+注入的N~-栅区用16keV聚焦硼离子束的单线扫描来形成的。(束径:0.2μm、束流密度:50mA/cm~2)。用二维器件的模拟证明了源—漏间距为0.8μm的IB—MOS器件在电流增益、漏极击穿电压和短沟道阈值效应等方面都具有明显的改善。制造出的实     

聚焦离子束组合装置及应用

聚焦离子束技术是一种集形貌观测、定位制样、成分分析、薄膜淀积和无掩膜刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。对电子离子双束纳米工作站,聚焦离子束、扫描电镜和Ar离子束构成的“三束”显微镜系统的原理和应用作了详细介绍,同时也对聚焦离子束-分子束外延组合装置、聚焦离子束与二次离子质谱仪(SIMS)的组合装置以及单轴聚焦离子/电子束(FIEB)装置作了简单介绍。     

用于双聚焦磁质谱仪的离子源电参数仿真研究

离子源是双聚焦磁质谱仪的重要组成部分，离子源性能对质谱仪的分辨率、灵敏度有关键影响。本文通过COMSOL仿真，建立了用于双聚焦磁质谱仪的电子轰击型离子源的模型，并探究了离子源中电参数对性能的影响。仿真结果表明，在设计的离子源结构中，电离电压可在100~140V之间找到一特定值,使电离几率最高，引出极电压和加速极电压均会影响离子的二次聚焦位置,从而影响引出离子束的束宽、角度分散、能量分散和引出率。仿真结果对离子源的实际电参数的设计有参考意义。     

聚焦离子束工作原理及刻蚀性能研究

综述了聚焦离子束系统的结构和基本原理,介绍了国产化聚焦离子束系统的结构与特点。基于国产化聚焦离子束系统进行了硅材料刻蚀实验,研究了硅材料刻蚀速率与离子束流大小的关系,建立了刻蚀速率与束流大小的关系方程,进行了硅悬梁微结构刻蚀加工。结果表明,国产聚焦离子束系统可满足硅微悬梁结构加工的应用需要。     

离子注入机的国内外现状

本文简要介绍了离子注入和器件的关系,概述了离子注入机的发展现状和趋势,初步探讨了我国离子注入机不能形成产业的原因。     

鞍型场离子枪特性研究

本文简述了鞍型场离子枪的工作原理,并给出了我们所研制的鞍型场离子枪的特性。实验结果表明,我们研制的这种枪在放电功率为16W 时,枪体的温度为300℃,因而不需水冷;再有,这种枪所发射的束流中有很多荷能中性粒子。在放电电流为1.2mA、放电电压为4～7kV 时,中性粒子占全束流的70%～80%。本文对中性束流的实验结果进行了讨论。     

离子注入机注入离子能量分布的计算机模拟

本文参考ＴＲＩＭ程序，建立用于模拟计算多种荷电态离子注入过程的程序。在此基础上，对注入离子荷电态进行拟合。本文的结论对注入离子束能量分析有应用价值。     

用于光学涂层的离子辅助反应淀积工艺

主要介绍几种离子化制备薄膜的方法，其目的是评述用于制备低损耗光学涂层的低能反应工艺和等离子体工艺的优劣。     

离子束辅助低能碳离子注入工艺原理

离子束辅助低能碳离子注入是在低能含碳离子束轰击样品表面并沉积膜层的同时采用中能离子束辅助轰击注入，它可在低温下将碳离子注入到样品表层足够的深度，其注入深度比动态离子束混合(DIM)增加1～2倍。离子束流实行交替变化，有利于保持较低的样品基体温度，且比恒束流注入的深度有明显增加。它对材料表面改性效果明显优于DIM工艺，离子注入改性后，40Cr钢表面显微硬度HV可提高一倍左右。     

Cr~(3+):LiNbO_3晶体的光谱特性

分别用分光光度计和激光感生荧光技术测量了Cr~(3+):LiNbO_3晶体的吸收谱和荧光谱。测得晶体的晶场参数D_q/B=2.49,~4T_2与~5E能级的能量差⊿=114cm~(-1),~4T_2-~4A_2跃迁的发射截面σ_(?)=6.58×10~(-20)cm~2,荧光寿命τ_f=2μs。最后从理论上阐明了Cr~(3+)在LiNbO_3晶体中的能级结构。     

铜离子与甲醛的爱情

通过人性化故事,叙述了化学沉铜的某些原理。     

用于材料改性的宽束离子源现状及其发展

本文叙述了对材料表面改性的宽束离子源的要求，重点介绍了考夫曼型气体离子源及电子束蒸发强流金属离子源，也介绍了ＲＦ、ＥＣＲ离子源及ＭＥＶＶＡ源。     

场致负离子发射及负离子谱

利用场致发射显微分析综合系统（ＦＥＭ－ＦＩＭ－ＩＡＰＣｏｍｂｉｎａｔｉｏｎＳｙｓｔｅｍ）￣［１］进行场致负离子发射方面的研究，探索出场致发射获取负离子及其负离子谱的方法和条件，并对不同实验条件所获得负离子谱进行了分析，总结出场致发射负离子谱的一些基本特点和规律。     

一台离子注入机的改进及其在BaTiO3陶瓷改性中的应用

本文介绍了武汉大学２００ｋｅＶ离子注入机的改进情况，用贝纳斯离子源替换了原有的高频离子源，使输出流强由几十微安提高到毫安级，离子种类由原来单电荷的气体离子扩展到多电荷离子和金属离子。用该机对半导体ＢａＴｉＯ３陶瓷注入Ｃｕ离子，使材料的ＰＴＣＲ突跳幅度增加，室温电阻率提高，证实Ｃｕ（２＋）离子在ＰＴＣＲ材料晶界起着电子陷阱作用。