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文章叙述了采用金属有机物四异丙基钛(Ti[OC3H7]4]为钛温,在外加热PCVD设备上沉积Ti(CN)涂层。并对涂层进行了其显微硬度测量,扫描电镜(SEM)观察和X射线衍射(XRD)分析。结果表明,此法制备的Ti(CN)涂层其显微硬度可达标15600N/mm2,膜层结构仍为在状晶,Ti(CN)晶体的d(200)随着炉温的升高和H2.N2比的增大在逐渐变化。 相似文献
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利用溶胶-凝胶法制备了[Pb,La)(Zr,Ti)O3]铁电薄膜。利用DTA-TG,XRD和SEM研究了[(Pb,La)(Zr,Ti)O3]凝胶的分解、晶化过程[(Pb,La)(Zr,Ti)O3]薄膜的显微形貌。为了获得致密无龟裂的[(Pb,La)(Zr,Ti)O3]薄膜,应使用具有适当粘度的前体溶胶,这是通过控制其浓度和水解度来获得的。 相似文献
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本文首次研究金属Co与分子束外延Si1-xGex单晶薄膜快速热退火(RTA)固相反应,并对比了CO、Ti与SiGe固相反应时不同的反应规律实验采用RBS、AES、XRD、SEM等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测.实验发现,Co/Si0.8Ge0,2在650℃热退火后形成组分为Co(Si0,9Ge0.1)的立方晶系结构,薄膜具有强烈择优取向;900℃处理温度,有CoSi2形成,同时Ge明显地向表面分凝.TiN/Ti/Si0.8Ge0.2固相反应时,850℃处理可以形成Ti(Si1-yGey 相似文献
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Co/Ti/Si三元固相反应外延生长CoSi2薄膜 总被引:4,自引:3,他引:1
研究采用Co/Ti/Si三元固相反应的方法生长外延CoSi2薄膜。通过选择适当的热处理条件,采用步退火,在Si(100)和Si(111)衬底上均成功获得外延CoSi2薄膜。实验用XRD.TEM、RBS/channeling等测试技术分析CoSi2薄膜外延特性,得到的CoSi2/Si薄膜的RBS/channeling最低产额Xmin达到10-14%,实验时CoSi2/Si(111)样品,分别沿Si衬 相似文献
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采用XRD、SEM、EDAX、粒度分析等手段研究了在(1-x)SrTiO3xBi2O3·3TiO2(简称SBT)系统中采用化学共沉SrTiO3时,Bi2O3·3TiO2的含量对介电性能和显微结构的影响。发现当其摩尔分数x小于10%时,结构为单相固溶体,εr随x的增加而增加;当x大于10%时,为复相结构,εr开始下降。这个结果与采用SrCO3和TiO2固相合成的SrTiO3烧块时的结果相近,变化趋势一致。但化学共沉SrTiO3之晶粒细小,杂质少,故使所制介质具有非常优异的介电性能。 相似文献
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Ba(Ti,Sn)O3陶瓷的微观结构研究唐一文王仁卉戴明星(武汉大学物理系,武汉430072)近几年来,人们对居里点在室温附近的弛豫铁电体Ba(Ti,Sn)O3产生了兴趣。它的大的、几乎无滞后的电致伸缩效应[1],以及其优异的介电性能[2]具有良好的... 相似文献
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研究采用Co/Ti/Si三元固相反应的方法生长外延CoSi2薄膜.通过选择适当的热处理条件,采用多步退火,在Si(100)和Si(111)衬底上均成功获得外延CoSi2薄膜.实验用XRD、TEM、RBS/channeling等测试技术分析CoSi2薄膜外延特性,得到的CoSi2薄膜的RBS/chnneling最低产额Xmin达到10-14%.实验对CoSi2/Si(111)样品,分别沿Si衬底的<110>和<114>晶向进行背散射沟道测量.结果发现,沿Si<110>晶向得到的CoSi2背散射沟道产额显著高 相似文献
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在室温下,采用脉冲激光沉积(PLD)技术在7.62cmPt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了钛酸铋(Bi4Ti3O12)薄膜。Bi4Ti3O12薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射(RBS)和扩展电阻技术(SRP)来分析、表征;采用X射线衍射(XRD)技术研究了薄膜的退火特性。研究发现单独用常规退火或快速退火热处理的Bi4Ti3O12薄膜中较容易出现Bi2Ti2O7杂相;而采用常规退火和快速退火相结合的方法,较好地解决了杂相出现的问题,得到相结构和结晶性完好的Bi4Ti3O12薄膜。透射电子显微镜实验和扩展电阻实验表明,室温下制备的Bi4Ti3O12薄膜具有良好的表面和界面特性。 相似文献
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在Si(100)衬底上用离子束溅射方法淀积Ni,Co,Ti薄膜,形成Co/Ni/Si,Ni/Co/Si和Co/Ni/Si等结构,通过氮气中快速热退火反应生成三元硅化物(CoxNi1-x)Si2。用AES,XRD,RBS沟道谱,SEM及四探针等方法(CoxNi1-x)Si2薄膜的物理特性和电学特性进行了测试,在Si衬底上Co,Ni多层膜经快速热退火可形成高电导的(CoxNi1-x)Si2薄膜,其电阻 相似文献
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DXC设备的配置和应用(中)张凌云ConfigurationandApplicationofDXCEquipmentZhangLingyun四、干线网配置SDXC的意见SDXC是伴随SDH出现的数字交叉连接设备,它大大提高了网络的生存性和节点的灵活性... 相似文献
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本文对(1-y)(Sr_1-xPbx)TiO_3·y(Bi_2O_3·3TiO_2)陶瓷材料在直流偏压下的介电性能进行了测量,发现此系统瓷料的偏压性能较好,并分析了陶瓷组分时偏压性能的影响,解释了所发现的实验现象。 相似文献
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分组网数据收集系统(MDP)简介(下)北京电报局梁友张宁2MDP的安装和配置421MDP的安装(1)首先根据Sun提供的安装手册安装工作站操作系统(SunSolaris25),并配置相应的主机名和IP地址等.(2)使用Sun的admintoo... 相似文献
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本文利用流动余辉技术测定了CS2、SO2对亚稳态分子CO(a)的电子态猝灭速率常数,实验中观察到CS2、SO2对CO(a)的猝灭产物CS(A,a-X)、CS^+2(A-X),SO(A-X)的化学发光,讨论了猝灭和产物的形成机理测量得了产物的形成速率常数,获得了产物初生振动布居的信息,并用统计模型对态布居进行了分析。 相似文献
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DAB同步网技术(下)李栋(北京广播学院)8孤立的SF’N在讨论两个SFN的相互影响之前,让我们先分析一下孤立的SFN的覆盖状况。图5所示是单个SFN沿图2中X轴方向覆盖率曲线(各发射机功率Ikw,发射台相距60km,。一8.3,发射天线高度150m... 相似文献
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用于自对准提升硅化物结构的Co/Si/Ti/Si及Co/Si/…Ti/Si多层薄膜固相反应研究 总被引:1,自引:1,他引:0
为了减小硅化物形成过程中消耗的衬底硅,提出添加非晶Si的新方法,并探索了Co/Si/Ti/Si及Co/Si(×7)/Ti/Si多层薄膜固相反应的两种途径.实验采用四探针、XRD、RBS等多种方法对固相反应过程进行了研究,对反应形成的CoSi2薄膜进行了测试分析,并探索了在SiO2/Si及图形片上的选择腐蚀工艺.结果表明,当选择合适的Co∶Si原子比,恰当的两步退火方式及选择腐蚀溶液,两种方法都可以形成自对准硅化物结构.研究了这两种固相反应过程,发现在一定的Co∶Si原子比范围内,这两种方法制备的CoSi2 相似文献