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本文分析了用表面光压(SPV)法测量扩散pn结扩散p区中平均少子扩散长度的可行性,给出了有效少子扩散长度L_0与结深x_i、扩散区及衬底少子扩散长度L_1、L_2的关系曲线;提供了一种确定扩散区少子扩散长度的方法。 相似文献
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用微波光电导谱仪无接触、非破坏性地测量了多晶硅的微波光电导谱,推导了由光电导谱计算多晶硅样品的少子扩散长度和表面复合速度的计算方法,并由此算得了样品的少子扩散长度和表面复合速度。测试区域是一个直径为3mm的圆斑。这是一种简便而又准确的测试方法。这样的方法还适用于GaAs薄片材料少子扩散长度的测量和计算。 相似文献
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用微波光电导谱研究半导体薄片的少子扩散长度和表面复合速度 总被引:1,自引:0,他引:1
当半导体薄片同时受到微波和光照射时,通过样品的微波传输系数与光的波长有关,当光的波长连续地变化时,微波传输系数也连续地变化。本文分析了在半导体薄片中的少子扩散长度、少子寿命及表面复合速度与上述微波传输系数的变化△T之间的关系,并通过测量半导体薄片的微波光电导谱计算这些参数。研究表明,可以从微波光电导谱中的△T的峰值位置直接算出少子扩散长度。这是一种无接触、无损伤的快速测试方法,测试区域是直径为3mm的一个圆斑,样品可以在测试台上自由移动。本方法的测试结果与其它方法所得的结果是较为一致的。 相似文献
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GaAs,AlxGa1—xAs外延层少子扩散长度及霍耳迁移率的无接触测试 总被引:1,自引:0,他引:1
用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的GaAs、AlxGa1-xAs外延层的微波光是导谱和横向磁阻,给出了从微波光电导谱计算了少子扩散长度和从横向磁阻计算霍耳迁移率的方法,并且由此算得外延层的少子扩散长度和霍耳迁移度,本方法对波测样品的几何形状和尺寸无特殊要求,测试区域小于5×5mm^2,具有无损伤,不污染的优点,并配有微机控制,测试迅速方便。 相似文献
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用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的GaAs、AlxGa1-xAs外延层的微波光电导谱和横向磁阻,给出了从微波光电导谱计算少子扩散长度和从横向磁阻计算霍耳迁移率的方法,并且由此算得外延层的少于扩散长度和霍耳迁移率.本方法对被测样品的几何形状和尺寸无特殊要求,测试区域小于5×5mm2,具有无损伤、不污染的优点,并配有微机控制,测试迅速方便. 相似文献
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利用脉冲恢复技术测量了有限宽基区n+-on-p光电二极管中的少子寿命.实验发现,反向恢复时间同正、反向电流的大小有关.从恢复时间ts与IF/IR函数关系提取的少子寿命随着基区厚度与少子扩散长度比值降低而明显增大.在77 K时,采用传统方法脉冲回复技术提取的少子寿命为28 ns,而当考虑短基区效应时,所提取的少子寿命为51 ns.这表明HgCdTe光电二极管的基区厚度与少子扩散长度比值是采用脉冲恢复技术测量少子寿命技术中的一个重要参数.只有当基区厚度大于三倍少子扩散长度时,传统方法中无限基区厚度的假设条件才成立. 相似文献
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微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中InCaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非均匀性增大,而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤,损伤区域中心的少子寿命增大,寿命分布也更加均匀,硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命,却使寿命分布均匀性变差.可见,微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布,对工艺改进具有重要的指导意义. 相似文献
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微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中InCaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非均匀性增大,而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤,损伤区域中心的少子寿命增大,寿命分布也更加均匀,硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命,却使寿命分布均匀性变差。可见,微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布,对工艺改进具有重要的指导意义。 相似文献
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微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中InCaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非均匀性增大,而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤,损伤区域中心的少子寿命增大,寿命分布也更加均匀,硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命,却使寿命分布均匀性变差。可见,微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布,对工艺改进具有重要的指导意义。 相似文献
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在半导体器件工艺中,多数情况是在硅衬底中掺 p 型或者 n 型杂质形成 pn 结。而最基本的 pn 结形成方法,一般采用杂质的热扩散法。通常,这种扩散工艺是由预沉积和再扩散两步工序组成的。首先是预沉积工序,它是在硅表面形成浅的高浓度杂质扩散区,其次是再扩散工序,它是使结更深地向硅衬底内推进,控制表面杂质浓度。认为控制了这个杂质浓度和结深就确定了半导体器件的性能,这种说法也并不过分。而且还可以说,预沉积将大大影响扩散的好坏。因此,本文简要说明一下关于预沉积中 p 型杂质(硼)扩散源的情况。同时,介绍一下最近 Owens-Illinois 公司研究的新的硼扩散源“Boro+~(TM)”(以下省略 TM)的优点。 相似文献
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化学染色法是pn结分析中较普遍的方法,不同的化学染色法所显现出pn结的剖面形貌会受到化学试剂、pn结固有性质、染色工艺参数的影响。研究了常用的铬酸溶液染色法、醋酸溶液染色法、BOE溶液染色法和硫酸铜溶液染色法之间的差异。在一定范围内,铬酸溶液染色法、醋酸溶液染色法、BOE溶液染色法适合染出p区,硫酸铜溶液染色法适合染出n区,铬酸溶液染色法可以染出较小尺寸的pn结。染色时间的增加将会使所染pn结形貌变大,而染色溶液温度的升高对所染pn结形貌影响不大,但会使部分在常温下不能染出的pn结染出,BOE溶液染色法所得出的pn结较接近真实形貌。 相似文献
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张崇仁 《固体电子学研究与进展》1987,(2)
本文指出,对扩散pn结的正面入光结构,突变结理论有一定局限性。由于p~+区内杂质浓度的分布,在扩散区中存在十分强的自建漂移场,因而光生载流子将在自建场的作用下漂移进pn结内。由于载流子的漂移速度V_d远大于扩散速度V_f,因此可制得性能优异的PIN光电二极管,制作工艺比背面入光结构简单。已制得光电响应时间低达80ps的正面入光PIN二极管。 相似文献
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用于电路模拟的PIN雪崩光电二极管模型 总被引:2,自引:0,他引:2
针对PIN结构的特殊性,作了适当的合理近似,考虑了p,n区少子扩散,i区载流子漂移,给出一个完整的PIN雪崩光电二极管电路模型。该模型适于在开发OEIC电路模拟软件中采用,亦可加到现有电路模拟软件中。它可用于直流、交流、瞬态分析。该模型完全适用于PIN结构光电二极管。 相似文献
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用电化学液结方法测量了在470℃于氢气氛下开管扩锌InP样品的载流子浓度分布、不同深度的光伏谱和少于扩散长度。结果表明:在扩散区形成浓度为1017~1018cm-3较平坦的空穴分布;少于扩散长度由衬底的8~10μm降至表面的0.29μm以下;若轻微腐蚀去严重损伤的样品表层,将较大地提高新表层的少子扩散长度。 相似文献
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从光电转换的基本原理出发,分析了禁带宽度 Eg、薄膜以及异质结对材料的选择原则。在异质结理论的基础上,分析了 p-ZnTe/n-CdTe 异质结的结区结构,在两种材料的界面处,导带底形成了不连续的“断口”,价带顶 p 区一侧形成尖峰,n 区一侧形成凹口。当热平衡时,由于导带中电子从 n 区到 p 区所遇到的势垒大于价带中空穴从 p 区到 n 区的势垒,所以,通过势垒的主要是空穴流。讨论了 p-Zn-Te/n-CdTe 异质结的制作方法及工艺问题。最后,给出了测试结果。 相似文献
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少子扩散长度和少子寿命是硅片的重要参量.本文介绍了在硅片上制造突变结的二极管来测量和计算硅片中的少子扩散长度和少子复合寿命的方法,其基本原理就是依据肖克莱方程所显示的二极管伏安特性.该方法还适用于改变测试温度的条件,由此可获得不同温度下的少子扩散长度和少子复合寿命这二个参量的数值. 相似文献