自烧结C、TiC／C和SiC－B_4C／C材料的热处理行为

本文研究了自烧结Ｃ、ＴｉＣ／Ｃ和ＳｉＣ－Ｂ４Ｃ／Ｃ材料高温处理后的行为变化。实验发现随着处理温度的升高，各类材料的收缩率和重量损失随之增加，自烧结Ｃ和ＴｉＣ／Ｃ材料的弯曲强度逐渐下降，而ＳｉＣ－Ｂ４Ｃ／Ｃ复合材料的弯曲强度在２２７３Ｋ时达到一个最高值。     

C—B4C—SiC复合材料抗氧化性能的研究

对碳／陶瓷复合材料（Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ）的抗氧化性能进行了研究。结果表明：Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ复合材料抗氧化性能比碳素材料大大提高，而且烧结助剂对Ｃ－Ｂ４ＣＳｉＣ复合材料的抗氧化性能影响很大。在复合材料中分别加入了Ａｌ，Ａｌ２Ｏ３，Ｎｉ，Ｔｉ，ＴｉＣ，Ｓｉ等不同烧结助剂，发现添加Ｎｉ的材料抗氧化性能最佳，经１０００℃氧化１５ｈ后，氧化度小于０．５％；加入Ｔｉ，Ｓｉ和ＴｉＣ的次之，不加烧结助剂的又次之     

C－B_4C－SiC复合材料抗氧化性能的研究

对碳／陶瓷复合材料（Ｃ－Ｂ＿４Ｃ－ＳｉＣ）的抗氧化性能进行了研究，结果表明：Ｃ－Ｂ＿４Ｃ－ＳｉＣ复合材料抗氧化性能比碳素材料大大提高，而且烧结助剂对Ｃ－Ｂ＿４Ｃ－ＳｉＣ复合材料的抗氧化性能影响很大。在复合材料中分别加入了Ａｌ，Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｎｉ，Ｔｉ，ＴｉＣ，Ｓｉ等不同烧结助剂，发现添加Ｎｉ的材料抗氧化性能最佳，经１０００℃氧化１５ｈ后，氧化度小于０．５％；加入Ｔｉ，Ｓｉ和ＴｉＣ的次之，不加烧结助剂的又次之，加入Ａｌ和Ａｌ＿２Ｏ＿３的最差。     

TiC对C—B4C—SiC复合材料显微结构与性能的影响

本文就烧结助剂ＴｉＣ对Ｃ—Ｂ４Ｃ—ＳｉＣ炭／陶复合材料显微结构与性能的影响进行了研究，结果表明ＴｉＣ在烧结过程中发生了固相反应，在晶界生成了ＴｉＢ２，有效地促进了Ｃ—Ｂ４Ｃ—ＳｉＣ复合材料的烧结，抑制了晶粒的长大，使复合材料密度与强度大幅度地增加，电阻率下降；同时ＴｉＢ２在氧化时生成致密的ＴｉＯ２，包裹了易氧化的Ｂ４Ｃ和Ｃ，使制品难氧化，从而大大提高了制品的抗氧化性能。     

原位生成TiB2颗粒增韧SiC基复相陶瓷研究

提出一种新的方法制备ＳｉＣ－ＴｉＢ２颗粒复相陶瓷。通过Ｔｉ，Ｓｉ与Ｂ４Ｃ之间的化学反应在ＳｉＣ基体中原位生成ＴｉＢ２颗粒，获得的ＴｉＢ２颗粒一般在５μｍ以下，但发现有ＴｉＢ２颗粒团聚现象。其中ＳｉＣ－ＴｉＢ２３０％（ｖｏｌ）复相陶瓷的断裂韧性和三点弯曲强度分别比ＳｉＣ基体提高约１倍，达到４．５ＭＰａ·ｍ＾１／２和４００ＭＰａ。认为ＴｉＢ２颗粒与ＳｉＣ基体之间热膨胀系数不同导致的残余应力场引起的裂纹     

烧结温度对C—B4C—SiC复合材料显微结构与性能的影响

本文就烧结温度对Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ炭／陶复合材料显微结构与性能影响进行了研究，发现复合材料密度、强度随烧结温度的升高而明显提高，电阻率随烧结温度的升高而下降，这和烧结体显微结构密切相关。     

利用Ti／Ni共晶反应连接Si3N4／Ni的连接强度

本文用Ｔｉ箔在１３２３Ｋ直接进行Ｓｉ３Ｎ４／Ｎｉ的真空连接。结果表明,通过Ｎｉ、Ｔｉ之间的相互扩散形成的液体合金与Ｓｉ３Ｎ４发生界面反应,形成Ｓｉ３Ｎ４／ＴｉＮ／Ｔｉ５Ｓｉ４＋Ｎｉ３Ｓｉ（混合层）的接合界面,ＴｉＮ层和混合层的生长均 物线规律生长因子分别为１．３×１０＾－８ｍｓ＾－１／２和７．４×１０６－８ｍｓ＾１／２。接头弯曲强度随连接时间的增加,即Ｓｉ３Ｎ４／ＴｉＮ界面的连续和致密化而显著提高     

C-B4C-SiC与Ti组分的原位反应及热压烧结

以炭黑、炭纤维、Ｂ４Ｃ、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＴｉＯ２和ＴｉＣ为原料制备了不同ＴｉＯ２和ＴｉＣ含量的炭／陶复合材料,采用原位合成及热压技术研究了不同ＴｉＯ２和ＴｉＣ含量对多组分炭／陶复合材料的组成、结构和性能的影响。在烧结过程中ＴｉＯ２和ＴｉＣ与Ｂ４Ｃ反应原位生成ＴｉＢ２,Ｓｉ和ＴｉＯ２分别与Ｃ反应生成ＳｉＣ和ＴｉＣ,这些陶瓷相的生成对提高炭／陶复合材料的力学性能有显著作用。加入ＴｉＯ２能使炭／陶复合材料在较低的温度下实现致密化烧结,获得了抗弯强度达４３０ＭＰａ的炭／陶复合材料     

碳相含量对C—SiC—TiB2复合材料结构和力学性能的影响

研究了碳相含量对原位合成的碳／陶复合材料（Ｃ－ＳｉＣ－ＴｉＣ－ＴｉＢ２）的结构和性能的影响。结果表明：随着碳含量的增加,材料的抗弯强度下降。材料的烧结温度应随着碳含量增加相应的提高,才能获得致密的碳／陶复合材料     

SiCw增韧Al2O3／TiB2陶瓷复合材料的研究

根据对晶须与基体材料的热胀失配的分析，计算得出了Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣｗ三元复合材料中ＳｉＣｗ的临界体积分数。采用ＴｉＢ２颗粒增韧和ＳｉＣｗ增韧两种途径来改善Ａｌ２Ｏ３的脆性，得到此复合材料的抗弯强度为７４０ＭＰａ，断裂韧性为７．７ＭＰａ·ｍ＾１／２。分析表明：当ＳｉＣｗ含量大于临界体积分数时，强度大幅降低的主要原因是由于致密度的降低和热残余拉应力的增大。     

SiC晶须对Al2O3／TiB2／SiCw陶瓷刀具材料高温断裂韧性的影响

研究了不同ＳｉＣ晶须含量的Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣｗ陶瓷刀具材料的断裂韧性随温度的变化规律。结果表明：Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣＷ陶瓷材料的Ｋ１Ｃ在１０００℃内随温度的升高而增大；晶须含量越大，通过计算分析表明，随温度的升高粘裂时拔出的晶须大大增多，当晶须体积含量（下同）为２０％时，Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣｗ陶瓷在室温时只有长径比小于２．８７的晶须在断裂时才有可能产生拔出，而在９００℃时     

熔融冰晶石同非氧化物陶瓷制品的反应

铝冶炼工业中作为助熔剂的熔融冰晶石强烈地侵蚀着多数陶瓷制品。这篇文章叙述承还原条件下１０００℃保温４８小时,熔融冰晶石在同陶瓷制品、ＢＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４结合ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＣ复合材料和两种Ｔｉ－Ａｌ－Ｏ－Ｎ复合材料的反应试验。ＢＮ和ＳｉＣ获得了最好的抗侵蚀性。同Ｓｉ３Ｎ４结合ＳｉＣ的反应由于开气孔的渗透作用而导致粒边界玻璃相的侵蚀。在ＳｉＣ增强Ｓｉ３Ｎ４材料中,仅有玻璃相被侵蚀。一种Ｔ     

SiC—Al2O3基复相陶瓷的N2—HIP研究

通过对热压ＳｉＣ－Ａｌ２Ｏ３复合材料进行了Ｎ２－ＨＩＰ后处理，制备得到Ｓｉ３Ｎ４－ＡｌＮ＝ＳｉＣ－Ａｌ２Ｏ３梯度材料，经Ｎ２－ＨＩＰ处理后，材料抗弯强度提高３５％－９５％，并得到经强度达１０３０ＭＰａ的ＳｉｅＮ４－ＡｌＮ／ＳｉＣｐ－ＳｉＣＷ－Ａｌ２Ｏ３复合材料。     

Si3N4／SiCp复相陶瓷材料的研究进展

概述了ＳｉＣ颗粒弥散强化Ｓｉ３Ｎ４陶瓷的研究近况,着重讨论了ＳｉＣ粒子的数量和尺寸对Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＣｐ复相陶瓷材料显微结构和力学性能的影响,并简要介绍了Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＣｐ复相陶瓷材料的烧结机理和ＳｉＣｐ的掺入对材料可烧结性的影响。     

热压烧结C—B4C—Sic复合材料及其性能

在２５ＭＰａ的压力下采用热压法制造焦炭、Ｂ４．Ｃ、ＳｉＣ复合材料，发现在１８００～２２００℃热压半小时后，随烧结温度提高，复合材料的密度、强度、抗氧化性都有较大的提高，电阻率下降，而且原料β—ＳｉＣ对材料性能的影响优于α──ＳｉＣ。     

SrTiO_3基高压陶瓷电容器材料的组成与性能

研究了 Ｂｉ２ Ｏ３ ·３ Ｔｉ Ｏ２ 和 Ｐｂ Ｔｉ Ｏ３ 的加入量对 Ｓｒ Ｔｉ Ｏ３ 基高压陶瓷电容器材料性能的影响。实验的结果表明：最佳加入量的摩尔分数分别是 Ｂｉ２ Ｏ３ ·３ Ｔｉ Ｏ２ 为 ９％ , Ｐｂ Ｔｉ Ｏ３ 为 １８％ 。在 １ ２５０ ℃的温度下烧结获得了性能为：εｒ ＝ ３ ２９５; Ｅｂ ＝ １０．２ ｋ Ｖ／ｍ ｍ ;ｔｇδ＝ ６×１０－ ４ ;Δ Ｃ／ Ｃ（－ ２５～＋ ８５ ℃）≤ ±１２％ ;绝缘电阻 Ｒ＝ ７．５×１０１ ２ Ω的高压陶瓷电容器材料。     

TiC／Si3N4导电陶瓷复合材料的制备

通过气压烧结工艺制备了含１,５,２０,２５,３５ｗｔ％ＴｉＣ的Ｓｉ３Ｎ４陶瓷复合材料研究了其导电特性,该复合材料由充当绝缘体的Ｓｉ３Ｎ４和作为导电添加剂的ＴｉＣ组成,其电阻率主要取决于其中的ＴｉＣ含量。复合材料的渗流阈值ＶＣ为１６．４５－１８．５０ｖｏｌ％,当ＴｉＣ含量达到或超过该阈值时复合材料中就形成导电通路,电阻率迅速降低。     

新型高活性催化剂乙烯气相聚合的研究：共聚反应动力学及共聚？…

研究了新型高活性催化剂ＴｉＣｌ４、Ｔｉ（ＯＢｕ）４／ＭｇＣｌ２、ＳｉＯ２、ＺｎＣｌ２／醇／ＡｌＲ３体系催化乙烯和１－丁烯气相共聚反应的规律和动力学。     

A1对热压烧结C—B4C—SiC复合材料性能的影响

本文对在２５ＭＰａ压力下，２０００℃处理０．５小时的热压Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ复合材料添加和不添加Ａｌ粉进行了研究，发现添加Ａｌ能使复合材料的密度、强度提高，电阻率下降，材料的各项性能优于石墨。     

TiB2／SiCw复合材料增韧机理的微观分析

在ＴｉＢ２／ＳｉＣｗ基体中加入适量的ＳｉＣｗ可以明显地提高其断裂韧 性ＫＩＣ，其它机械性能也有不同程度的改善。ＳＥＭ、ＴＥＭ微观分析表明：在具有较高ＫＩＣ值的ＴｉＢ２／ＢｉＣｗ陶瓷复合材料中，ＳｉＣｗ与ＴｉＢ２晶粒之间有较适宜的界面结合，两相之间未发现有明显的界面化学反应用，当该复合材料发生断裂时，其内部出现晶须拔出，裂纹桥连，裂纹偏转三种增韧机制。