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CMOS/SOI64Kb静态随机存储器 总被引:5,自引:3,他引:2
对一种 CMOS/ SOI6 4Kb静态随机存储器进行了研究 ,其电路采用 8K× 8的并行结构体系 .为了提高电路的速度 ,采用地址转换监控 ( Address- Translate- Detector,ATD)、两级字线 ( Double- Word- L ine,DWL)和新型的两级灵敏放大等技术 ,电路存取时间仅 40 ns;同时 ,重点研究了 SOI静电泄放 ( Electrostatic- Discharge,ESD)保护电路和一种改进的灵敏放大器 ,设计出一套全新 ESD电路 ,其抗静电能力高达 42 0 0— 45 0 0 V.SOI6 4KbCMOS静态存储器采用 1.2 μm SOI CMOS抗辐照工艺技术 ,芯片尺寸为 7.8m m× 7.2 4mm 相似文献
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讨论了采用埋栅结构实现Ga As基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)增强型模式工作的有关问题,提出了增强型MHEMT的设计与实现方法.通过不同金属(Al,Pt,Ti) / In Al As Schottky势垒系统的实验比较研究,确定在增强型MHEMT工艺中采用具有最高势垒高度的Pt Schottky埋栅结构;并进行了以最佳“推栅”温度为重点的器件工艺的深入研究.在此基础上通过实验研制的原理性1.0 μm×10 0 μm Pt栅增强型MHEMT的特性获得了夹断电压为+0 .12 V,跨导为4 70 m S/ m m及截止频率为5 0 GHz的测试结果,优于使用同一外延片制作的D-MHEMT 相似文献
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聚焦离子束(Focusedionbeam)系统现在被广泛应用于大规模集成电路的修补中,FIB辐照对器件性能的影响受到广泛的关注。研究了两种栅尺寸的NMOS晶体管(20μm×20μm和20μm×0.8μm)在不同辐射剂量作用下的阈值电压变化情况,发现在辐射后的阈值电压都发生了明显的漂移,辐照后的晶体管阈值电压在室温环境下静置数日后有约30%的恢复,而在退火条件下阈值电压几乎完全恢复。文中从理论上对电离辐射引起阈值电压的漂移予以解释,使实际的电路修补工作最优化,从而确保器件在修补后的可靠性。 相似文献
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Inho Jeon Hyunseok Nam Heeyoung Lee Youngkook Ahn Jeongjin Roh 《Analog Integrated Circuits and Signal Processing》2013,75(3):531-537
A boost converter for piezoelectric actuator driving system in haptic smartphones is proposed and implemented using a 0.35 μm BCDMOS process. The designed boost converter generates extremely high output voltage from a low-voltage battery supply. The boost converter provides stable power for the piezoelectric actuator with the peak-current control technique. The minimum variation of the output ripple variation can be achieved by the designed current-sensing and peak-current control circuits. The supply voltage of the boost converter is 2.7–4.2 V and the maximum output voltage is up to 80 V. The complete piezoelectric actuator driving system consists of a serial interface, SRAM, and signal-shaping logic as well as the boost converter. It also includes the resistor-string digital-to-analog converter and high voltage piezoelectric actuator driver (PZ driver). The fabricated chip size is 2,100 × 2,200 μm, including bonding pads. 相似文献
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分析了MEMS静电梳齿驱动工作原理,以梳齿结构和弹性梁结构为基础,综合考虑了动态特性、可靠性以及加工工艺可行性要求。提出了非等高结构、变形曲臂梁结构、位移放大驱动器、垂直Z向位移静电梳齿驱动器等四种大尺度、低电压驱动线性MEMS静电梳齿驱动器结构设计。利用CAD采用FEA法分别建模、仿真,进行了大位移、低电压驱动MEMS静电梳齿驱动器的动态与静态的研究,并获得20V直流偏置、位移80~130μm、驱动器面积小于2mm×2mm的结果。 相似文献
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新型集成阵列四象限CMOS光电传感器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了一种用于目标跟踪和坐标定位的新型集成阵列四象限CMOS光电传感器.该传感器采用上华0.6 μm标准CMOS工艺制造,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片集成.该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路和时序控制电路组成.每个有源光电管的大小为60 μm ×60 μm,其感光面积百分比(Fill Factor)为64.5%.通过变频二次扫描的工作模式可将传感器的感光动态范围增大为84dB.传感器的感光灵敏度为2V/lx·s,工作速度根据目标照度可在2ms/帧~64ms/帧范围内调整. 相似文献
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低阶单比特量化ΣΔ调制器简单稳定且特别适用于音频领域的模数转换器。提出了一款应用于音频芯片的二阶单比特量化ΣΔ调制器,利用Simulink对调制器进行建模并确定调制器参数与电路子模块指标。该调制器电路采用CSMC0.35μmCMOS工艺实现,工作的电源电压为5V,采用全差分开关电容技术,功耗为12mW,核心面积为390μm×190μm。在采样频率为12MHz、输入信号频率为20kHz时,调制器精度达到16bit,测试结果验证了设计技术和建模方法。 相似文献
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采用微机电系统(MEMS)技术制作了磁芯螺线管微电感,该技术包括UV-LIGA、干法刻蚀技术、抛光和电镀技术等。研制的微电感大小为1500μm×900μm×100μm,线圈匝数为41匝,宽度为20μm,线圈之间的间隙为20μm,高深宽比为5∶1。测试结果表明:在1~10MHz频率下,其电感量为0.408~0.326μH,Q值为1.6~4.2。 相似文献
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This paper presents a front-end architecture for fully integrated 60 GHz phased array receivers. It employs LO-path beamforming using a phase controlled phase-locked loop (PC-PLL). To demonstrate the architecture a circuit is implemented featuring a two stage low noise amplifier, two cascaded active mixers, and a PC-PLL. The receiver downconverts the 60 GHz signal in two steps, using LO signals from the 20 GHz QVCO of the PLL. A differential 2nd-order harmonic is coupled from the sources of the current commutating pairs of the QVCO, feeding the LO-port of the first mixer and downconverting the 60 GHz RF signal to a 20 GHz intermediate frequency. Quadrature 20 GHz LO signals are then used in the second mixer to down-convert the IF signal to baseband. The PLL is locked to a relatively high reference frequency, 1.25 GHz, which reduces the size of the PLL loop filter and enables a compact layout. The measurements show an input return loss better than ?10 dB between 57.5 and 60.8 GHz, a 15 dB voltage gain, and a 9 dB noise figure. Two-tone measurements show ?12.5 dBm IIP3, 29 dBm IIP2, and ?24 dBm ICP1. The PC-PLL phase noise is ?105 dBc/Hz at 1 MHz offset from a 20 GHz carrier, and the phase of the received 60 GHz signal is digitally controllable with a resolution of 3.2°, covering the full 360° range with a phase error smaller than 1°. The chip consumes 80 mA from a 1.2 V supply, and measures 1,400 μm × 660 μm (900 μm × 500 μm excluding pads) including LNAs, mixers, and PC-PLL in a 90 nm RF CMOS process. 相似文献