创立达科技推出新一代微触发单向可控硅

无锡创立达科技有限公司宣布成功推出新一代微触发单向可控硅TSE2P4M和TSE0405.这代产品采用全新的设计方法和工艺技术,大大改善了其开关性能和温度特性.     

创立达科技推出新一代微触发单向可控硅

无锡创立达科技有限公司宣布成功推出新一代微触发单向可控硅TSE2P4M和SE0405。这代产品采用全新的设计方法和工艺技术，大大改善了其开关性能和温度特性。经国内主要摩托车电器装备厂家使用实践证明，该产品能够克服上一代产品中存在的触发电流不易控制、温度特性差和开关速度低等弱点，有效提高点火器的点火能量及可靠性，其电性能已经达到了国外同类产品的水平。2008年8月22日，公司在重庆举办“2008摩托车电子应用技术创新研讨会”，将该产品在会上发布及展示。     

用于横向放电气体激光器的多通道开关

研制了用于横向放电气体激光器的多通道开关,研究了触发电压特性、触发电极结构对通道开关特性的影响,得到了每米29个通道的结果.     

用于HF激光器的气体火花开关特性研究

气体火花开关是放电激励脉冲HF激光器的关键部件之一,其性能直接影响激光器的正常运转。本文介绍了气体火花开关的设计,并对其静态自击穿特性和动态触发特性进行了实验研究。实验结果表明:在开关工作气压为0.1~0.4 MPa情况下,静态自击穿电压约10~30 kV,且稳定性较好;在触发电压前沿约20 ns,幅值约45 kV的情况下,欠压比大于80%时,开关时延小于120 ns,开关抖动小于6 ns;开关具有较大的工作范围,约为55%~60%。开关用于放电激励脉冲HF激光器,实现了激光器稳定运行。     

半绝缘GaAs光电导开关亚皮秒传输特性的研究

 本文应用Ensemble-Monte Carlo方法模拟了半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关基于Auston等效电路亚皮秒传输特性.从载流子在开关体内的动态特性出发,研究了光电导开关在飞秒激光脉冲触发下光电导传输特性、电介质弛豫特性、开关储能特性以及开关工作模式;分析了非线性光电导开关对光能阈值和偏置电场阈值要求的物理机制.     

隧道二极管开关性能的分析及其测量

本文应用分区线性化法及作者之一在文献[4]中提出的一种非线性系统的图解法,系统地分析了隧道二极管的开关性能,计算了在不同外线路参量和触发条件下的开关时间和输出波形。对触发灵敏度和一种我们称为反极性触发的新触发原理进行了较细致的分析,提出了一种定量计算的方法。 测量了开关特性,触发灵敏度和反极性触发特性。实验系统响应上升时间为7毫微秒。实验结果和理论计算结果符合得很好。 计算和实验结果可经过归一化后推广,为实际线路设计提供参考。     

双间隙伪火花开关沿面放电触发材料的测试与研究

本文介绍了一种新型大电流脉冲调制器件——双间隙伪火花开关,它利用介电材料沿面放电进行触发,双间隙导通脉冲大电流,可以用来调制不低于50kV、50kA的脉冲,并能直接用于替换氢闸流管以及高气压火花隙。本文就双间隙伪火花开关沿面放电的三种触发材料进行了相关研究,确定了氮化铝-碳化硅材料具有优良的触发性能与机械性能,解决了触发单元成品率较低的问题,实现了双间隙伪火花开关的产品化。     

其他

ROHM开发出4方向检测传感器RPI-1040;Vishay推出改进的S系列Bulk Metal箔电阻;创立达推出微触发单向可控硅TSE2P4M和TSE0405;风河推出软件测试自动化解决方案;Actel推出LiberoIDE8．4开发环境;     

激光触发开关管

本文叙述了激光触发开关管的主要特点、基本结构、工作机理及其良好的性能,还介绍了气体、固体、液体、半导体和真空作为介质的管子。以及激光触发开关管的主要应用。     

吸收因子对GaAs光导开关输出电压幅值的影响

研究了吸收因子与GaAs光导开关输出电压幅值的关系.考虑了开关电场对吸收系数的影响,导出了输出电压与吸收因子之间的函数关系式.在不同波长、间隙宽度、触发光脉冲能量条件下进行理论仿真,并与没有考虑吸收因子的情况相比,研究结果表明吸收因子对光导开关的输出电压幅值有重要影响,吸收因子减小了光导开关的输出电压幅值,延长了输出电压达到饱和状态的时间,增大了开关饱和触发光脉冲能量.在实际应用中应该对光导开关的吸收特性加以考虑.     

半绝缘GaAs光电导开关的光控预击穿特性

用波长1064nm,触发光能为0.5mJ的激光脉冲触发电极间隙为4mm的半绝缘（SI）GaAs光电导开关,当偏置电压达到4kV时,开关并未引发自持放电,而是进入非线性（lock-on）工作模式,即开关处于光控预击穿状态。分析认为：通过激子的产生和离解激子效应贡献了光电导;碰撞电离、雪崩倍增、激子效应补充了因外界光源撤出后所需的载流子浓度和能量。在上述因素的相互作用下,SI-GaAs 光电导开关并没有引发自持放电而是处于光控预击穿状态,丝状电流特性影响着开关的损伤程度。     

水声设备开关设计及其应用

介绍多种类型的水声设备开关设计方法及应用,包括拨动自锁式、堵头式和通用式3类水声设备开关,阐述其结构和密封设计、工作原理和实施案例.设计的开关具备磁控触发、直接接触触发以及间接接触触发功能,具有结构简单、性能优越、小型化和高可靠性等特点,能控制小电流和大电流电路的通断,可广泛应用于各类水声设备.     

温度对被动开关固体激光器工作的影响

众所周知,环境温度和固体激光器件的发热对其振荡特性有很大影响.因此,当温度变化时,决定振荡特性的发射规律是个急待解决的问题.在单脉冲激光器中,温度对发射能量特性的影响,主要取决于下述过程.激活介质的温度变化引起电子按能级重新分布,以及荧光线宽的改变,其最终结果影响到振荡器的有效截面σ.此外,激光器开关参数(这些参数确定使用开关的类型)的温度关系,在一般情况下引起开启和关闭状态的开关损耗的改变,并导致发射特性的变化.本文研究了环境温度对被动开关固体激光器能量特性的影响,因为开关和工作物质参数变化,对这类激光器性能影响是很明显的.分析了最长见的被激活的钕离子四能级介质和有机染料及F_2~-ЦО晶体为基础的被动开关.     

三电极触发管的测试及应用举例

随着激光的发展,尤其是第二、第三代激光卫星测距的出现,对高压快速脉冲要求愈来愈高。不但上升前沿要快,抖动亦要小。为了得到这类脉冲,首先要解决快速开关元件。由于国内尚无KN_(22)之类器件,本试验对三电极触发管进行了测试,力图将此管用于要求更高的场合,以满足某些试验的要求。触发管的简单原理触发管G是一种冷阴极三极可控开关管,其结构如图1。a是主电极(阳极),b为中心     

半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性

研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性.当触发光能量和偏置电场不同时,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型.通过对击穿实验结果的分析认为,电子俘获击穿机制是导致半绝缘GaAs光电导开关击穿损坏的主要原因.偏置电场和陷阱电荷所产生热电子的数量和动能决定了Ga-As键的断裂程度,Ga-As键的断裂程度则反映半绝缘GaAs光电导开关的击穿类型.     

半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性

研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性 .当触发光能量和偏置电场不同时 ,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同 ,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型 .通过对击穿实验结果的分析认为 ,电子俘获击穿机制是导致半绝缘GaAs光电导开关击穿损坏的主要原因 .偏置电场和陷阱电荷所产生热电子的数量和动能决定了Ga—As键的断裂程度 ,Ga—As键的断裂程度则反映半绝缘GaAs光电导开关的击穿类型     

大电流GaAs 光导开关工作特性研究

光导开关作为一种新型固体开关,具有闭合时间短（ps 量级）、时间抖动小、重复频率高、功率容量大、光电隔 离等优势,脉冲功功率技术研究领域受到广泛关注。实验研究表明,光导开关性能与工作电压、导通电流、触发激光参 数、重复频率、工作环境及开关制作工艺等诸多因素密切相关,寿命差异从几百次至几十亿次不等。为了研究在较大导 通电流下的开关特性,获得了开关电阻特性随工作发次的变化关系,为开关寿命提升奠定了实验基础。     

用于线圈发射器的三电极间隙开关系统

电磁线圈发射器工作需要能承受很高工作电压和很大工作电流的闭合开关,这些开关目前主要有半导体开关和间隙类开关。其中间隙类开关具有电感低、耐压高、寿命长、可靠性高等特点而被广泛使用。在理论分析的基础上设计了一套用于线圈发射器的三电极间隙开关系统,它包括光控部分、触发系统、开关器件3部分。光控信号控制触发系统产生陡化的脉冲高电压,脉冲高压接入三电极的触发极控制主电极导通。控制信号与触发部分采用光纤连接,隔离了高压对低压的干扰。控制电路用金属罩屏蔽,能够有效地在复杂电磁环境下运行。试验检验得到开关性能：延迟时间为1．2μs,抖动时间约300ns。开关系统满足了电磁线圈发射的需要。     

超高速硅开关

能够产生微微秒光脉冲的锁模振荡器进展很快,现在已经得到了稳定性和重复性很好的微微秒脉冲(功率稳定度±3％)。随着微微秒激光器的发展,现在正在研制能产生与这种光脉冲同步的各种超高速电脉冲开关元件。以前常用激光触发火花隙做开关元件。最近则研制并应用了触发管、雪崩晶体管和介质开关等。激光触发火花隙和触发管     

GaN 开关类功率放大器温度特性的研究

为了研究GaN 开关类功率放大器(PA)的温度特性,通过开展一系列的温度测试来研究温度变化对 该GaN PA 各个性能参数的具体影响。测试结果表明:首先,较高的温度(>80℃)会使GaN HEMT 的电特性发生严重恶化,进而导致器件的性能和可靠性显著下降。其次,对于该开关类GaN PA 来说,随着温度的持续升高,其功率附加效率(PAE)显著降低,不能再保持高效率。而且,随着温度的突变和冲击次数的增加,电路出现显著的退化甚至失效。这些都说明了温度的变化对PA 的性能产生了很大的影响,开关类PA 对温度的变化非常敏感,而且温度冲击对其性能影响更为显著。这些研究为PA 的可靠性设计提供了重要指导。