溶胶-凝胶法制备氧化铝薄膜

以Al(NO3)3·9H2O作为前驱体制备AlOOH溶胶,通过提拉法在不锈钢表面形成氧化物薄膜。探讨了热处理制度和表面处理对薄膜形成过程的影响,并通过XRD和SEM等分析手段对氧化铝薄膜形成过程的物相组成和表面质量进行了分析。实验结果表明:温度在500～800℃,升温速率控制在1.5℃/min,可以得到表面致密的氧化铝薄膜,所制得的薄膜成分以晶态氧化铝和非晶态氧化铝共存,其中晶态氧化铝以γ-氧化铝的形式存在。     

微孔、介孔和大孔氧化铝膜的制备及其缓蚀剂担载性能的研究

以高纯铝为基体,用2次阳极恒直流阳极氧化的方法在磷酸-草酸混酸体系中制备出大孔氧化铝薄膜;以大孔氧化铝薄膜为基体,用中性弱阳离子溶液为介质在电化学工作站在3电极体系中氧化出介孔氧化铝薄膜;再在硫酸环境下用恒电压阳极氧化法制备出微孔薄膜。通过对3种不同孔径的氧化铝薄膜的形貌及成分进行表征,运用拉曼光谱比较三种不同孔径氧化铝薄膜对不同浓度硅烷缓蚀剂的吸附担载能力,以及电化学测试检验其担载不同浓度硅烷缓蚀剂后耐腐蚀能力,得出具有最强耐蚀能力时的氧化铝膜的最佳孔径和此时担载硅烷缓蚀剂的最佳浓度,电化学测试结果表明介孔薄膜的电化学阻抗可达10~7。     

导热型微孔透气薄膜的制备及性能研究

在常规透气薄膜专用料配方的基础上加入球形导热填料氧化铝,以改善透气薄膜的导热性能。用双转子连续混炼机熔融混合后,借助流延设备和拉伸单元把透气薄膜专用料制成透气薄膜,分别研究了氧化铝含量和拉伸倍率对透气薄膜性能的影响。结果表明,当线形低密度聚乙烯（PE?LLD）/碳酸钙（CaCO₃）/氧化铝的质量比为50/35/15时,选择200 %~300 %之间的拉伸倍率制备的透气薄膜,在保证薄膜力学性能和透气性能的前提下,导热系数比常规透气膜提高了60 %以上。     

新产品

新产品聚酰亚胺类半导体薄膜美国国家航空和航天局兰勒研究中心研制出为保护飞机免受雷击，且可用于电子仪器及可挠性的电路盘的可挠、耐候性聚酰亚胺类半导体薄膜，正在提请许可证。该薄膜由氧化铝络合物调制。首先在甲基乙酰胺上加苯均四甲酸二酥和４，４’一羟基二苯胺...     

氧化铋薄膜的制备及其性能表征

利用化学水浴沉积法在室温下制备了多晶氧化铋薄膜,并在350℃的空气气氛条件下进行退火处理,得到纯的α-Bi2O3,薄膜.对它们的晶相结构、光电性能进行测试.从X衍射分析结果来看,在退火过程中,薄膜结构由四方相和非化学计量相向单斜相转变.光学性质显示退火处理的薄膜吸收边缘明显的向长波的方向移动,发生红移现象,而且禁带宽度减少了0.4eV.退火后的薄膜在室温下暗电导率下降2个数量级.电导率的变化显示具有半导体行为的性质.     

单宁酸用于电渗析

单宁酸用于电渗析在３０Ｖ电压下利用阴离子多孔氧化铝薄膜进行电渗析。此多孔氧化铝薄膜预先用２％的单宁酸浸渍３０ｍｉｎ。浸渍的效果是Ｃｒ２Ｏ２－以及酸性颜料阴离子的渗透力减小，而Ｎｉ２＋的渗透度增加。此种现象的原理被理解为，渗透薄膜中正电荷被浸渍的单宁酸...     

功能性薄膜的新发展

介绍了国内外近年来新开发的聚乙烯醇薄膜、镀氧化硅薄膜、镀氧化铝薄膜、微波炉用电磁屏蔽薄膜及透气性薄膜等几种功能性薄膜的特性及生产技术。     

阻隔法制备高渗透通量陶瓷微滤膜

利用阻隔法制备了无中间过渡层的高渗透通量氧化铝微滤膜.在大孔氧化铝支撑体表面包覆一层PVB薄膜,再通过浸渍涂膜法在PVB薄膜上包覆一层氧化铝膜前驱体,经过煅烧后,PVB薄膜被氧化分解,在支撑体表面形成了无中间过渡层的氧化铝微滤膜.该氧化铝膜的平均孔径为0.26μm,纯水通量为(1468±81)L·m-2·h-1·bar...     

阳极氧化法制备氧化铝纳米线薄膜及其生成机理研究

研究了一种简单新颖的制备氧化铝纳米线薄膜的电化学方法.以阳极氧化法在高纯铝片表面制备多孔阳极氧化铝(AAO)的工艺为基础,在草酸电解液中将AAO孔壁溶解形成氧化铝纳米线,均匀覆盖在AAO有序孔道的上方,得到一种特殊结构的纳米线薄膜.对实验产物纳米线的形貌、结构及成分进行了表征分析,并探讨了氧化铝纳米线薄膜的生成机理.     

Bi5FeTi3O15薄膜室温多铁性及其磁性机理

用溶胶凝胶工艺在Pt/Ti/SiO2/Si基片上沉积了Bi5FeTi3O15(BFTO)薄膜,研究了前驱液浓度和退火升温速率对BFTO薄膜结晶的影响,前驱液浓度低于0.05mol/L时不利于4层层状钙钛矿结构的形成。沉积BFTO薄膜的最佳制备工艺为:前驱液浓度为0.05mol/L和氧气氛中退火速率为4℃/s。室温下,用最佳工艺制得的BFTO薄膜显示出良好的铁电性,在300 kV/cm的外加电场下,样品的剩余极化强度2Pr达到43.4μC/cm2;同时,BFTO薄膜也显示出弱铁磁性。为了研究其磁性来源,分别在氧气氛和氮气氛下对BFTO薄膜样品进行退火,分析其磁性的差异。认为BFTO薄膜室温下的弱铁磁性主要来源于F中心交换作用。     

碳化塔水箱化学除垢法

我厂为8000吨NH_3/年的小厂,采用加压碳化流程,碳化塔水箱是铝制的。铝是一种较活泼的金属,容易被空气中的氧所氧化,使铝的表面形成一层致密的氧化铝薄膜,其化学性质非常稳定。实验表明,稀盐酸很难破坏这层氧化铝薄膜。所以在用稀盐酸冲洗水垢时这层薄膜保护铝不会被盐酸所腐蚀。稀盐酸的浓度根据结垢的厚薄按下表配制。在酸洗过程中,因水箱的蛇形弯管较多,为提高酸洗效果,使酸溶液不断搅动,我们采     

高速动车组牵引电机匝间绝缘的纳米氧化铝制备及性能分析

针对传统高速动车组牵引电机采用单层聚酰亚胺(PI)薄膜作为主要绝缘材料存在的老化问题,采用原位聚合法对纳米氧化铝进行制备.制备过程中将PI作为基体,纳米氧化铝粒子作为无机填料,形成纯PI薄膜以及纳米氧化铝复合薄膜.为验证该材料的老化性能,利用电晕老化试验系统对纳米氧化铝复合薄膜的老化性能进行测试.测试结果表明:该复合材...     

ZAO薄膜使用射频溅射法生长之参数的研究

以氧化铝锌陶瓷为溅射靶材,在氩气环境下,使用射频溅射法在玻璃基片上制备氧化铝锌(ZAO)薄膜。通过调节气体压强、基片温度、溅射功率制膜,得到以C轴(002)为选择取向的氧化锌薄膜。由XRD、原子力显微镜(AFM)等对薄膜进行分析。结果表明,制备薄膜的最佳条件为:溅射压强0.4 Pa,溅射功率200 W,基片温度300℃。     

明胶体系凝胶注模成形氧化铝素坯

采用明胶—尿素体系进行凝胶注模成形,制备了固相体积分数为53%的氧化铝陶瓷料浆悬浮体,利用尿酶将尿素分解,使明胶重新获得氢键形成能力,在尿酶用量为20单位时,室温下制备了抗弯强度为8.26 MPa的氧化铝陶瓷材料。     

退火气氛对钴掺杂氧化锌稀磁半导体薄膜性能的影响

用溶胶–凝胶法制备的钴掺杂氧化锌薄膜在不同气氛下退火后均显示室温铁磁性,并且具有不同的载流子浓度。通过对薄膜进行电、磁、光性能及微结构的系统表征,建立了磁性能与载流子浓度之间的关联。研究表明:在氧气和氧氮混合气氛以及氧氩气氛下,退火的样品均具有室温铁磁性。相对于氧氮混合气氛,300K,在无氮气氛退火的样品具有更低的矫顽力,更高的剩磁及大的电子浓度。光致发光谱研究表明:氧氮混合气氛下,退火的样品中存在No受主,这是样品电子浓度及铁磁性下降的原因;因此,体系的铁磁性来源于电子间接机制,使通过控制载流子浓度来调节钴掺杂氧化锌稀磁半导体的铁磁性能成为可能。     

日本开发出透明半导体陶瓷

日本东工大应用陶瓷研究所教授细野秀雄主持的透明电子活性项目,成功地使用氧化铝和氧化钙合成了具有半永久导电性的半导体。以前,单由陶瓷成分构成的物质不能成为半导体。由于新发现的半导体陶瓷是透明的,今后如果能更进一步提高其导电率,可将它用于液晶显示器上的透明电极。上述由氧化铝和氧化钙构成的物质由纳米大小的笼形成,把氢负离子(通常的氢为正离子)引入笼中,用紫外线照射它,就会从氢负离子放出电子,电子被关在笼子中。当这个电子在笼子之间移动时,就使绝缘的陶瓷材料具有了导电性。其导电率可用照射的紫外线强度进行控制。同时,在…     

基于表面生物学改性的多孔状二氧化钛/磷灰石复合薄膜的制备

在钛合金表面采用微孤氧化得到一层多孔状的具有生物活性的二氧化钛，经随后水热处理可形成羟基磷灰石薄膜，提高钛合金表面的生物学性能，用SEM、XRD、EDX分析了薄膜的组织、结构和化学组成，同时考察了微弧氧化得到的二氧化钛膜的生物活性，结果表明，在室温条件下从含钙、磷离子的电解液中在钛合金基体上微弧氧化得到一层二氧化钛薄膜，蒸汽处理后得到具有生物活性的二氧化钛/羟基磷灰石复合薄膜，该膜多孔均匀，且生物活性高，有利于骨组织的吸附和生长。     

阳极氧化铝模板有序度影响因素的研究

在酸性电解液中,用阳极氧化法制备了多孔阳极氧化铝模板。用金相显微镜观察了铝箔退火前后的表面形貌,并结合扫描电镜对多孔氧化铝薄膜进行了形貌观察和表征。研究了影响多孔氧化铝模板孔有序性(分布均匀,大小一致)的关键性因素。实验结果表明,多孔阳极氧化铝膜结构特性依赖于铝箔预处理、氧化电压、电解液类型和温度等的选择。     

高度有序多孔氧化铝模板影响因素的研究

在酸性电解液中,用阳极氧化法制备得到了多孔阳极氧化铝(anodic aluminum oxide,AAO)模板。用金相显微镜观察了铝箔退火后表面上的晶界,并结合扫描电镜对多孔氧化铝薄膜进行了观察和表征。研究了影响多孔氧化铝模板孔洞有序性的关键性因素。实验结果表明,多孔阳极氧化铝膜的有序度依赖于铝箔预处理、氧化电压和电解液等的选择。     

电沉积工艺对p-CuSCN薄膜结构及半导体性质的影响

以乙二胺四乙酸二钠(ethylenediamjn tetraacetic acid disodium,EDTA)为鳌合剂,在水溶液络合体系中采用电沉积法制备了CuSCN半导体薄膜,应用电子隧穿成核和表面态热激发机理以及Mott-Schottky曲线分析了沉积电位和温度对薄膜结构和半导体性质的影响.结果表明:室温下,价带电子隧穿产生的电流与表面态空穴热激发电流在同一数量级,表面态空穴热激发电流不随电位改变,价带电子隧穿电流的变化趋势反映了整体电流的变化.随着阴极电位的升高,由于价带电子的隧穿几率变化,晶粒尺寸先减小后增大;半导体空穴浓度减小,p型性质减弱.由于沉积反应受活化能控制,在高温条件下主要表现为晶粒生长,导致晶粒尺寸增大,薄膜致密度降低;同时也使半导体空穴浓度减小,p型性质减弱.