日本各半导体公司引进64M DRAM生产设备

日本国内各半导体厂家引进生产64MDRAM最先进的生产线，并开始运行。NEC的罗斯维尔工厂（美国加利福尼亚州）、NEC九州（熊本I）、日立的那河工厂（茨城县）引进64MDRAM的牛户讲各＿谈什P寸AnQF，，mg＋Zn7h《；＆Q＃JA，‘－。（RI4。、。。＿一””“”“U““““‘’“则上厂区首。仅可入1刀u．北vm。茵工迎w公律特伦＿L）（周而县）也已开始引进采用O．35u。制作技术的逻辑IC生产设备。日本各半导体公司引进64M DRAM生产设备@一凡     

日本NEC公司在英国建造64M DRAM的新工厂

据报道，日本NEC公司在英国建造64MDRAM的新工厂。新工厂建在英国苏格兰的NEC半导体UK的场地内。1995年4月开始动工，将于1996年3月峻工，并从1996年10月开始运行。生产线采用200mm0．35Pm工艺技术。200。m硅片的月生产能力为1万片，根据市场需求，约在2年内月产将达2万片。第一期工程投资80O亿日元，其中建房投资200亿日元，设备投资600亿日元，要达到月产1万片的能力需投资500亿日元，月产提高到2万片，投资追加300亿日元。生产品种以64MDRAM为主，但若市场需要也生产16MDRAM和微型计算机及ASIC。第二期工程投资将考虑引入0．…     

64M DRAM的第二代版问世

据报道，日本东芝公司、美国IBM公司和德国西门子AG三公司共同开发256MDRAM，还共同开发64MDRAM的第二代版。并已研究了设计尺寸和芯片面积，可封装在400密尔管壳中（1密尔等于＝25．4μm），把共同开发256M的技术用于64MDRAM中，采用为道单元技术，扫描曝光拉术，化学机械研磨     

用于64M DRAM的半导体曝光设备

<正>据《O Plus E》1992年第147期报道,光已用于超微细加工中,日本佳能公司为了大幅度提高半导体的制作精度而研制成新的曝光设备,在把电路图形制在硅片的光源上安置光滤波器,去除不适宜超微细加工的光。现在的曝光方法还不能适应1995年批量生产64M DRAM的制作。该公司的这种新技术可批量生产64M DRAM及以后的超大规模集成半导体。     

世界16M、64M、256M DRAM的生产

世界DRAM市场1995年登顶，达到400亿美元以上，但1996年即大幅减退到250多亿美元，1997年进一步缩小到200多亿美元，预计要到2000年以后才能超过1995年的最高水平。     

适用于64M DRAM的亚微米CMOS晶体管

<正>据日本《电子材料》1989年第1期报导,日本松下电器产业半导体研究中心已开发成功能适用于亚微米器件新的P沟道晶体管结构LATIPS(LArge Tilt angle IMplanted Puch-     

适用于64M DRAM批量生产的缩小投影曝光设备

适用于６４ＭＤＲＡＭ批量生产的缩小投影曝光设备日本尼柯恩公司研制出适用于６４ＭＤＲＡＭ批量生产的ｉ线步进光刻机ＮＳＲ２２０５ｉ１２Ｄ。产品具有０．３５μｍ以下的高分辨率，并采用适用批量生产的变形照明。由于采用机械手，缩短了圆片搬送时间和提高了曝光效率...     

日立/TI公司共同开发适于批量生产的64M DRAM

日立制作所和TI公司共同开发64MDRAM。工艺采用0．35PmCMOS，芯片面积为228mm’，确定i线的微细加工技术，作为缺陷弥补技术，由于设计成新型高效率补救电路，从制作初期开始就实现稳定的高成品率。电源电压实现3．3V土0．3V的低电压化，也可用于LVTTL（低压TTL）的接口中。另外，在待机时，在芯片内可控制自动恢复，保持数据时的最大耗散电流为300PA，实现低耗散功率。存取时间实现高速化，为60。S，另外，采用LOC结构的封装，在芯片中央设置焊接点，提高了电路配置的自由度，可降低由长的电源市线所产生的电压。结果是容易实…     

日本5大公司4M／16M DRAM月产量

日本５大公司４Ｍ／１６ＭＤＲＡＭ月产量日本ＮＥＣ、东芝、日立、富士通、三菱电机等５大公司加大设备投资额，去年共投资８５５０亿日元，比１９９４年增长６１．４％，以增大４Ｍ／１６ＭＤＲＡＭ产量。ＮＥＣ今年３月份４Ｍ的月产量１０００万块，１６Ｍ月产量９００...     

韩国三星电子公司制成64Mb DRAM

据报道,韩国三星电子公司已于1993年6月研制成功64Mb DRAM 的工程样品,比原定计划提前了三个月。这种采用0.35微米工艺制作的芯片装在500密耳的小型 J 引线封装中。三星电子公司去年9月生产了首批工作器件。该公司计划于1995年大规模生产这种芯片,根据 DRAM 的历史周期,那时64Mb DRAM 市场可望处于起飞期。     

4M DRAM跌价

由于计算机功能不断增强及新型操作系统的推出,存储器的需求量越来越大,促使半导体厂商不断扩大DRAM的生产.产量增大,成本降低,产品价格自然将随之下降.据日本一家市场研究公司的调查结果表明,在日本市场上目前16M DRAM价格已从第3季度的57～64美元降到     

尼康、佳能用新型照明系统瞄准64M DRAM生产

<正> 据《Electronic News》周刊报导,日本尼康公司和佳能公司都在为实现新型微光刻照明系统,以使i线步进机不采用移相掩模就能生产64兆位DRAM而进行着激烈竞争。 该两公司的研究人员正在研究对常规i线步进机照明系统进行控制,从而使步进机分辨率和焦深均得到改善的类似技术。如获成功,他们就能将现行i线光刻设备的实用范围有效地扩展到长期被看成是远紫外或其他极难驾驭的技术所属领域的一代产品。     

第二代256M DRAM

<正>据日本《电子材料》1993年第2期报道,日本NEC公司采用0.25μm微细加工技术已研制成世界上最小单元面积(0.54μm~2)256M DRAM用的存储单元,其主要特点如下: (1)把以前的单层位线做成双层SLDB(Split-Level Diagonal Bit Line)存储单元结构,制成0.54μm~2的最小单元面积,已可实现芯片尺寸小型化和低成本。 (2)在硅衬底上,腐蚀具有斜度的沟道,在沟道中,填充(?)状硅氧化膜,实现器件隔离;由于大幅度降低位线电容,单元可稳定工作,与此同时,可实现芯片尺寸小型化。 (3)将信息转为电荷,使积蓄电容电极的形状制成圆筒状,再采用把其表面制成凹凸化的HSG技术,不提高电极高度,且能增大电容部分的面积,充分保证电容值(30fF),已实现稳定     

1000M位DRAM简介

本文描述了NEC公司和日立公司最新研制的1000兆位的DRAMS。     

DRAM市场走向何方?

市场 据ＷＳＴＳ报道,世界ＤＲＡＭ市场于１９９５年登顶,达４０８亿美元,此后连续３年下降,１９９８年惨跌到１４０亿美元,仅及高峰期的三分之一。但１９９９年反弹,劲升４７．８％,２０００年续升５６．２％,达３２４亿美元。预计２００１年仍将增长２８．７％,达４１６亿美元,超过１９９５年,再创历史新高。据预测,世界ＤＲＡＭ市场１９９９～２００３年间将一直保持增长势头,年均增长率２４．５％,届时将达４９８亿美元,在世界整个半导体市场中占有１６％的市场份额,比１９９９年时又上升了２个多百分点。 ２００１年在…     

256M DRAM单晶铝布线

２５６Ｍ　ＤＲＡＭ单晶铝布线据《学会志》１９９２年第１２期报道，日本东芝公司已研制成在绝缘膜上形成单晶铝布线的技术。以前的多晶铝布线，在晶粒间界集中电流和应力，容易引起破断，可用于线宽０．３卜ｍ左右的ＬＳＩ。在该技术中，在硅氧化膜上制作细沟，沉积铝膜...     

日本DRAM生产厂家何去何从?

日本半导体厂家在预测其主要存储器产品——DRAM的需求情况时,依据的是有关个人机的两个数字:一是每台个人机配置的存储器容量;一是个人机的生产台数.个人机主存储器的平均容量,1993年为7.3M字节,由于微处理器功能增强、配置CD-ROM的个人机增多等因素的影响,预计1994年可能增加到9.7M字节.同时,PC游戏机作出多媒体终端的先驱,可能会遵循彩色电视机一样的发展趋势,二十一世纪前会一路高增长.根据上述个人机今后生产发展的趋势预测,在今后几年里,市场对DRAM的需求如下:4M DRAM1993年为8.2亿个,预计1994年为10亿个,1995年10亿个,1996年9～9.5亿个.16M DRAM预计1984年为1.4亿个,1995年为3.2亿