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前言 现代半导代技术中~[1]沉积薄膜的方法起着重要作用。激光可以为薄膜的沉积极提供一种独特的热源和光源,可以引起热或光化学作用。激光方法能够减少或消除其他方法的问题~[2],能够沉积出高质量的薄膜,这种技术的主要优点是在沉积过程中可选择空间,薄膜生产可以限制在基板一个很小的点上。当然大面积沉积也是可能的。大的冷区同小的热区相比的情况有效地防止气相反应和基板还原。 相似文献
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以氟化氩准分子激光消融角膜本文用实时非接触方法研究了波长为193nm的准分子激光单脉冲对角膜的消融过程,结果显示各个脉冲的消融情况相同,说明在组织中没有光化学作用累积,但对每一脉冲则发生动态光学现象,而显著影响辐射传输过程。1.引言脉宽约10ns的1... 相似文献
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简要评述了用脉冲激光沉积技术制备类金刚石膜及金刚石薄膜的研究进展,总结了激光脉冲沉积制备薄膜的基本原理及其特点,分析了激光波长,能量,衬底温度等对薄膜质量的影响。 相似文献
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利用酞菁铅气体传感器的瞬态特性提高传感器的选择性 总被引:2,自引:0,他引:2
通过真空蒸发沉积技术在叉指状电极上制备了酞菁铅薄膜气体传感器。实验发展,酞菁铅薄膜对甲醇和丙酮这两种蒸气具有很高的灵敏度。对于甲醇蒸气,酞菁铅薄膜具有很快的响应速度,吸附和脱附时间只要2-3s,信号随即趋于稳定。对于丙酮蒸气,在吸附的初试阶段酞菁铅薄膜的响应时间与吸附甲醇蒸气时的相差不大,但酞菁铅薄膜的电阻率在经过这个快速响应变化以后并不趋向一个稳定值而是缓慢上升,最后甚至比吸附前的电阻率略高。通过电阻率-气体吸附时间响应曲线的瞬态特性分析,方便、清楚地区分了甲醇和丙酮两种液体。 相似文献
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白光 《激光与光电子学进展》2002,39(8):48-49
目前激光微型加工主要用于微电子学、微型机械加工、微光学领域,本文对它在这几方面的应用情况及其他方面的前景作一介绍。1 微电子学在微电子学中,激光工艺广泛用于以下几类工序:●激光光刻、集成电路修复、编码和微标志等;●激光微调电子元件:电阻、石英谐振腔、滤波器和薄膜电路的功能微调等;●记录数字信息和模拟信息;●激光沉积薄膜和微结构;●半导体的退火和掺杂;●元件的微焊接、钻微孔、衬底切割和划片等;●激光局部热加工和光化学加工,如LCVD、腐蚀、无掩模集成电路布局等。作为例子,指出激光光刻时必须解决的问题… 相似文献
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薄膜制备新技术及其应用研究 总被引:17,自引:0,他引:17
综述了近几年国内外在薄膜制备技术方面的研究进展,着重比较了蒸发沉积、溅射沉积、激光沉积、CVD、MBE和Sol-Gel等技术的优缺点,分析了这些技术在薄膜制备中应用前景。 相似文献
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脉冲激光沉积Al膜的沉积模式及沉积速率研究 总被引:3,自引:0,他引:3
为了给脉冲激光沉积(PLD)法沉积大面积均匀薄膜的应用提供相关的理论依据,以纯铝块作为靶材,采用PLD法在同轴和旁轴两种模式下对比研究了Al薄膜的厚度均匀性。同时,在旁轴的沉积模式下分别研究了基片温度、激光功率和重复频率对A l薄膜沉积速率的影响规律。实验结果表明,采用PLD方法在旁轴的沉积模式下获得的Al薄膜的厚度更加均匀。随着基片温度的增加,薄膜的沉积速率反而降低。升高激光功率,薄膜的沉积速率也随之提高。而在激光重复频率的变化过程中,Al薄膜的沉积速率有一最大值。 相似文献
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脉冲激光纳米薄膜制备技术 总被引:7,自引:1,他引:6
脉冲激光薄膜沉积(PLD)是近年来受到普遍关注的制膜新技术。简要介绍了该技术的物理原理;探讨了脉冲激光沉积制膜的物理过程,激光作用的极端条件及等离子体羽辉形成的控制对薄膜成长的影响;评价了脉冲激光沉积技术在多种功能材料薄膜,特别是纳米薄膜及多层结构薄膜的制备方面的特点和优势,结合自行研制的设备,介绍了在PLD基础上发展起来的兼具分子束外延(MBE)技术特点的激光分子束外延技术(L-MBE),指出脉冲激光沉积技术在探讨激光与物理相互作用和薄膜成膜机理方面的作用,尤其是激光分子束外延技术在高质量的纳米薄膜和超晶格等人工设计薄膜的制备上显现出的巨大潜力。 相似文献
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介绍了功能梯度薄膜材料的特点和应用 ;比较了功能梯度薄膜常用制备方法 ;概括了功能梯度薄膜制备中的掺杂技术并给出了脉冲激光沉积功能梯度薄膜的模型 ;论述了脉冲激光沉积技术在制备功能梯度薄膜材料方面的应用与最新进展 相似文献
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脉冲激光沉积β-FeSi2/Si(111)薄膜的工艺条件 总被引:5,自引:0,他引:5
用FeSi2合金靶作为靶材,采用准分子激光沉积法在Si(111)单晶基片上制备了单相的-βFeSi2薄膜,并将飞秒脉冲激光沉积法(PLD)引入到-βFeSi2薄膜的制备工艺中;用X射线衍射仪(XRD),场扫描电镜(FSEM),能谱仪(EDS),紫外可见光光谱仪研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能。基片温度为500℃,采用KrF准分子脉冲激光沉积法可获得单相的-βFeSi2薄膜。衬底温度为550℃时,-βFeSi2出现迷津状薄层。采用飞秒脉冲激光法-βFeSi2薄膜的合成温度比准分子脉冲激光沉积法制备温度低50~100℃;薄膜的晶粒分布均匀连续,没有微米级的微滴;飞秒脉冲激光沉积效率比准分子激光的高1000倍以上,是一种快速高效的-βFeSi2薄膜沉积技术。 相似文献
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