高性能a-Si:H TFT开关器件的研制

介绍了ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ开关器件的有源层、栅绝缘层、欧接触层以及界面特性的研究工作。研制了ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ单管器件,其开关电流达到６个数量级,为最终研制ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴＡＭＬＣＤ在奠定了坚实的基础。     

高性能a-Si∶HTFT开关器件的研制

介绍了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作。研制了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 单管器件， 其开关电流比达到 ６ 个数量级， 为最终研制ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ Ａ Ｍ Ｌ Ｃ Ｄ 视频图像显示器奠定了坚实的基础。     

a-Si∶H TFT的寄生效应

a-Si∶H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容,实验研究表明它并不能完全表征TFT的寄生效应,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在.从LCD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发,依据交迭电力线建立了物理寄生效应模型并对其进行了详细的分析和计算,实验结果表明该方法是有效可行的,从而使LCD寄生效应有了一个较完美的理论表征和分析计算方法.     

塑料基底a-Si∶H TFT制备技术

采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si∶H TFT阵列(20×20)。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si∶H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si∶H薄膜和n+a-Si∶H薄膜的电导率。a-Si∶H薄膜中的H(原子数分数)约为15.6%,H主要以Si H和Si H2基团的形式存在,其电导率为8.2×10-7~8.8×10-6S/cm;n+a-Si∶H薄膜的电导率为3.8×10-3S/cm。所制备的TFT具有以下性能:Ioff≈1×10-14A,Ion≈1×10-9A,Ion/Ioff≈105,Vth≈5V,μ≈0.113cm2/(V.s),S≈2.5V/dec,满足TFT-LCD等平板显示器件的开关寻址电路要求。     

用于摄象器件的a-Si∶H膜

1.引言人们在进行高性能摄象器件的研究中,将氢化无定形硅(α—Si:H)膜用作摄象管的靶正在引人注目。其原因是α—Si:H靶具有灵敏度高、分光灵敏度复盖了整个可见光区域、分辨率高、烧伤现象非常小等特点。而且,和固体摄象器件相比较,虽然在薄形、     

a-Si∶H/Au/a-Si∶H膜的退火行为

Tsai等人发现180℃退火后在a-Si:H/Au薄膜内生成了雪花状结晶Si岛,类似的结果也被Hultman等人报导过。本文利用透射电子显微镜(TEM)研究了a-Si:H/Au/A-Si:H(10nm/30nm/10nm)三层膜的真空退火行为并对退火后形成的枝叉状晶化Si岛的结构和形成机理进行了研究和探讨。电镜观察结果表明,Au与Si在室温下形成一互混层,这可通过Au(111)衍射环分裂成d值为0.236和0.248nm的二个衍射环来证实。150℃热处理导致了Au_2Si这一亚稳相的生成。在200和250℃退火一小时后,膜中出现了枝叉状组织。图a显示了在250℃退火后样品中出现的一枝叉状组织的形貌,其内存在的大量弯曲消光条纹表明晶体快速生长在膜内造成了很大的应力状态。图b和c分别是图a中基体区和枝叉区的电子衍     

a-Si厚度对TFT开关特性的影响

通过在线电学测试设备,研究了不同a-Si厚度对TFT开关电学特性的影响。本试验通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si的剩余厚度,在此基础上找出电学特性比较稳定的区域和电学特性变差的临界点。试验结果表明,在其它条件不变的情况下,a-Si剩余厚度在33～61%时TFT的电学特性比较好,a-Si剩余厚度小于33%之后,TFT的电学特性变差,即工作电流变小,阈值电压变大,迁移率变小。     

a-Si∶H磷掺杂机理

Ｓｔｒｅｅｔ的自动补偿模型不是ａ Ｓｉ∶Ｈ中磷掺杂的唯一机理，它略去了带尾态电子密度ｎＢＴ，实际上相当于略去了其他掺杂机理对掺杂的贡献。Ｗｉｎｅｒｅｔａｌ的磷杂质结合模型，可以推广到ｎＢＴ≠０情形，其反应常数仍满足Ｈｅｎｒｙ定律。磷掺杂固相效率和磷结合系数可以同时表示成磷气相浓度的明显的解析函数，其计算结果与实验曲线及其外推均相一致。     

高质量a-Si∶H的快速沉积

本文介绍了用Si_2H_6沉积a-Si∶H膜的方法,讨论了工艺参数对膜质量的影响。还介绍了用空芯阴极法合成Si_2H_6的新技术。     

制作高性能TFT—LCD器件的新技术

市场对高性能TFT-LCD器件的需求促进了其制作技术的发展，本文对这些技术作了介绍，并特别讨论了提高分辩率、拓宽视角以及简化工艺的新技术。     

高性能导电薄膜的制备

采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了Cr-Cu-Al-Cr薄膜,用焊接法测试薄膜附着性能,用X射线衍射仪、原子力显微镜和台阶仪对薄膜进行表征,研究溅射过程中以及在高温大气环境下薄膜的防氧化方法,分析薄膜晶粒大小与电性能关系,制备出性能较好的导电膜。     

液晶显示用 a-Si TFT 有源矩阵制作技术

本文通过对液晶显示用α-Si TFT 的工作原理、工作特性分析,讨论了α-Si TFT 有源矩阵结构设计和汇线电阻、电容对α-Si TFT-LCD 的影响。介绍了α-Si TFT 有源矩阵的制作工艺。     

高频压电陶瓷谐振器的制备与性能

主要研究PbTiO3基陶瓷谐振器的制备工艺和主要性能。PbTiO3基陶瓷采用传统工艺来制备。这种陶瓷具有高kt和Qm,低er和高频率稳定性,用此种陶瓷制备的高频谐振器具有优良性能,并完全满足使用的需要。     

"自上而下"法制备高性能GaN纳米线阵列

针对自下而上生长GaN纳米线的尺寸、形态、取向不易控制的问题,文中采用自上而下刻蚀的方法来制备GaN纳米线材料。以图形化的金属Ni作为掩膜对GaN进行ICP刻蚀,系统研究了刻蚀参数,主要是ICP功率以及RF功率对GaN纳米线形貌以及拉曼、PL光谱的影响,同时也对比了干法刻蚀后,有无湿法处理的影响。研究发现,当ICP功率为1 000 W,RF功率为100 W时,GaN纳米线的拉曼和PL光谱强度较大,表明此功率下刻蚀的纳米线损伤较小。经过KOH浸泡30 min后,GaN纳米线的形貌得到了改善,拉曼和PL光谱强度均优于单纯的干法刻蚀,为下一步器件的制备提供了良好的材料基础。     

高性能BT树脂基覆铜板的研制

研制出了双烯封端棒状聚酰亚胺,并用其改性BT树脂,制得了低收缩BT树脂/石英布覆铜板。其平面方向热膨胀系数为3.1106℃1,厚度方向为1.3105℃1,优于国外同类产品;另用聚苯醚改性BT,制得低介电常数的BT树脂/玻璃布覆铜板,其er可小到3.6(106 Hz),厚度方向热膨胀系数为4.07×105℃1。改性后保留了BT树脂的其它优良特性。     

高分辨率光纤传像束的制备及其光学性能

从酸溶法光纤传像束所需原料的配方确定开始,合理设计了纤芯玻璃、包层玻璃和酸溶玻璃三种材料之间物化性能的匹配性.这三种玻璃材料的物化性能将直接影响到所制备的高分辨率光纤传像束的成像质量.通过开展酸的浓度、温度、酸的种类以及酸溶时间等量化关系研究,确定了最适合光纤传像束酸溶的一系列工艺参数,这对于降低传像束的断丝率,提高光纤传像束的成像质量有较大作用.通过大量的实验研究、性能测试和理论分析,确定了多种提高传像束光学性能的有效方法,为光纤传像束的广泛应用奠定了良好的基础.     

磁电复合薄膜用高性能压电陶瓷靶材的制备

采用固相法制备了高性能的Pb(Zr0.54Ti0.46)O3压电陶瓷靶材。通过调整Sr掺杂比例,获得高性能的压电陶瓷配方,以高性能锆钛酸铅(PZT)粉体为原料,经冷等静压和高温烧结制备出磁控溅射需要的、直径为73.6mm的压电陶瓷靶材。     

a—Si：H／c—Si异质结的高频C—V特性

测量了GD a-Si:H/n-c-Si异质结的高频C-V特性,由平带电压的偏移,计算了有效表面电荷和表面态密度,应用突变异质结能带模型对结果作了分析.     

非晶硅基合金多结太阳电池光电特性的模拟计算分析

本文提出了以各子电池的载波子输运方程为基础、用串联等效的方法模拟多结电池的Ｊ－Ｖ特性，并用该方法模拟分析了Ｐ／Ｉ界面态。Ｐ／Ｉ缓冲层带隙梯度对Ｇｌａｓｓ／ＴＣＯ／ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／Ａｌ双结电池光电特性的影响，各子电池本征层为常数带隙的Ｇｌａｓｓ／ＴＣＯ／ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ／Ａｌ三结电池的光电特性及其所存在的优势。