封离型CO2激光器放电管内金催化剂膜镀制研究

介绍了封离轴向放电型CO2激光器正柱区管内壁上直接镀制金膜，作为促使器件工作时分散的CO2分子再生复合的催化剂及有关的问题。     

封离型CO_2激光器放电管内金催化剂膜镀制研究

介绍了在封离轴向放电型CO2 激光器正柱区管内壁上直接镀制金膜 ,作为促使器件工作时分解的CO2 分子再生复合的催化剂及有关的问题。     

电子束蒸发法制备TiO2薄膜的折射率研究

用电子束蒸发法制备TiO2薄膜,并对其进行300℃、400℃、850℃热处理和掺杂.详细研究了工艺参数、热处理和掺杂对TiO2薄膜折射率的影响.实验结果表明:镀制高折射率的氧化钛薄膜最佳工艺参数为基片温度200℃、真空度2×10-2 Pa、沉积速率0.2 nm/s;随着热处理温度的升高,薄膜折射率也逐渐增大;适量掺杂CeO2(CeO2:Ti0质量比1.7:12)会提高薄膜的折射率,过量掺杂CeO2反而会降低折射率.     

宽带隙、高折射率聚偏四氟乙烯/TiO2-ZrO2光学膜的制备和表征

以氧氯化锆(ZrOCl₂·8H₂O)为锆源, 钛酸丁酯(Ti(OBu)₄)为钛源, 聚偏氟乙烯(PVDF)为有机添加剂, 采用溶胶–凝胶法在K9玻璃基片上制备PVDF/TiO₂-ZrO₂光学膜, 提高了ZrO₂-TiO₂光学膜的综合性能。然后采用SEM、FT-IR、接触角以及紫外/可见/近红外透射光谱等手段对PVDF/TiO₂-ZrO₂光学膜的组成、光学性能和抗激光损伤阈值进行了研究。SEM测试表明, 在K9玻璃基片上制备了光学膜。PVDF的添加导致水与薄膜的接触角增大。ZrO₂-TiO₂光学膜的光学带隙随ZrO₂含量的增加而略微增大, PVDF/ZrO₂(50mol%)-TiO₂薄膜的光学带隙随PVDF质量分数的增加而增大。另外, ZrO₂-TiO₂光学膜的折射率随ZrO₂摩尔分数的减小而增大, PVDF/ZrO₂(50mol%)-TiO2膜的折射率随PVDF质量分数的增加而增大。     

TiO2-SiO2系统凝胶玻璃薄膜折射率的研究

应用光度法研究了溶胶－凝胶系统组成、热处理温度对iO2-SiO2系统凝胶玻璃薄膜折射率的影响规律。随薄膜中TiO2含量的增加以及热处理温度的升高，薄膜的折射率逐渐增大。通过调整TiO2-SiO2系统的组成及适当的热处理温度，可实现TiO2-SiO2系统薄膜折射率在1．5－2．4之间的连续变化。     

封离型CO2激光器放电管内金催化剂膜镀制研究

介绍了在封离轴向放电型CO     

氧分压对TiO2膜结构与光学性质的影响

报道了用反应溅射法制备TiO2 膜的实验研究 .详细研究了膜的沉积、膜结构及其光学性质 ,随溅射氧分压的变化 .随氧分压由 6× 10 - 2 Pa增加到 9× 10 - 2 Pa时 ,晶体结构由金红石变到锐钛矿 ,氧分压超过 9× 10 - 2 Pa时趋向于无定形结构 .与膜结构密切相关的折射率n随氧分压的增大由 2 .4 4变到 1.96 ,禁带宽度Eg 则由大变小 ,然后再增大的变化 (3.4 1→ 3.2 6→3.4 2 ) .     

TiO2膜层制备参数对Ag/TiO2复合膜隔热性能的影响

采用磁控溅射工艺制备玻璃基Ag/TiO_2复合膜,研究TiO_2膜的射频功率、溅射时间、氩气流量和本底真空度4个制备参数对复合膜隔热性能的影响。结果表明:复合膜的隔热温差随着射频功率、溅射时间、氩气流量、本底真空度的增加均呈现先增大后减少的变化趋势;4个制备参数对复合膜隔热温差的影响程度由大到小的顺序依次为本底真空度、溅射时间、射频功率、氩气流量;4个制备参数的较优组合为本底真空度4×10~(-3) Pa,射频功率150 W,溅射时间15 min,氩气流量20 m L/min。     

Ti/TiO2多层膜的光电性能研究

用真空蒸发和自然氧化法在玻璃基底上制备了Ti／TiO2多层膜，并检测了薄膜的光电性能。电性能检测表明Ti／TiO2多层膜存在类负阻效应，多层膜的层间的类负阻效应比表面的更明显，薄膜的层间电阻率高于表面电阻率；用分光光度计测得试样退火前后的透射谱；用X射线衍射仪和扫描电镜检测了Ti／TiO2多层膜的晶体结构和表面形貌。     

低红外发射率TiO2/AgxCU1-x/Ti/TiO2纳米多层膜

利用磁控溅射制备了银含量在100％至80％之间的单层银铜合金薄膜和TiO2／AgxCu-1x／Ti／TiO2：纳米四层膜。利用x射线衍射、扫描电子显微镜、扫描俄歇微探针,分光光度计、红外发射率测量仪对样品进行表征,研究了单层金属膜和多层膜的光学、电学性质随着银含量的变化以及热处理前后薄膜性能的变化。结果表明：相同厚度的合金膜,随着Ag含量的降低,导电性能下降,Ag含量低于80％的合金已不适合作为多层膜的金属层;1500C大气下热处理30min,纯银薄膜性质发生明显变化,明视透过率下降10％,方块电阻由2．5W／口增加至18W／□,红外发射率由0．17增加到0．69。AgCu合金薄膜性质未发生明显变化。方块电阻相近的TiO2／AgxCu1-x／Ti／TiO2纳米多层膜,经250℃大气下热处理40min后,TiO2／Ag／Ti／TiO2和TiO2／Ag80Cu20／Ti／TiO2纳米多层膜的性质变化较小,热稳定性较好,其余的多层膜性质发生较大变化,红外发射率显著增加。     

TiO_2/ZrO_2复合薄膜的制备及工艺参数对薄膜折射率的影响

采用电子束蒸发混合膜料的方法制备了TiO2/ZrO2复合薄膜,研究了工艺条件(气体流量、沉积速率、基片温度、组份比)对其光学特性的影响。采用椭偏法测量了薄膜的折射率,分析了不同配比复合薄膜的色散特性,得出工艺参数与薄膜光学性能的相互关系,实现了不同折射率的配比。研究结果表明,无论TiO2/ZrO2摩尔比为1:1,1:2还是2:1,其折射率均随沉积温度的升高而增大,但温度升高致使薄膜折射率变化的幅度不大;复合薄膜的折射率随真空度的降低而降低;随着束流从100到160mA增加,复合薄膜的折射率从2.1699到2.2439略微增加;当TiO2/ZrO2比例分别为1:2,1:1和2:1时,薄膜的折射率相应为2.0886,2.1436和2.2584(d光),表明采用工艺优化和蒸镀混合膜料的方法实现折射率的配比仍然是一种行之有效的方法。     

Cathodoluminescence of TiO2 Films Formed by Molecular Layer Deposition

Technical Physics Letters - Use of the method of local cathodoluminescence in Si–TiO2 and Si–SiO2–TiO2 structures helps to elucidate the nature of centers influencing the...     

微波液相沉积法制备二氧化钛薄膜

采用微波液相沉积法(MWLPD),在低温下制备出了性能优异的锐钛矿型TiO2薄膜.通过XRD、SEM分析手段研究了薄膜和粉体的结晶度、晶粒尺寸、表面形貌等.实验结果表明,所得薄膜不仅具有良好的结晶形貌、表面形貌及可见光透过率,还具有特殊的表面凸起结构,能有效提高薄膜的比表面积,有助于提高TiO2薄膜的光催化性能.且整个制备过程无需热处理,成膜周期短,效率较高.     

沉积条件和表面改性对磁控溅射法制备TiO2薄膜性能的影响

TiO2薄膜具有许多独特的性能，作为一种令人满意的材料被应用于诸多领域。磁控溅射作为制备这种多功能薄膜的一种主要方法，也越来越引起人们的关注。TiO2薄膜的结构和性能是由沉积条件决定的。通过改变沉积速度、溅射气体、靶温度、退火过程以及采用其它溅射技术，可以得到金红石、锐钛矿或是非晶的TiO2膜，同时具有不同的光催化、光学及电学性能，能够满足不同应用领域的需要。同时，表面改性可以克服TiO2薄膜的应用局限性，使之具有更佳的使用性能。     

纳米TiO2薄膜的脉冲激光沉积及其光学特性

采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅基片上生长了二氧化钛纳米晶氧化物薄膜, 系统讨论了基片温度、氧分压等因素对薄膜结构特性的影响.X射线衍射结果表明在氧气氛下, 生长的薄膜为锐钛矿结构, 其结晶性随着基片温度的升高而增强, 在750℃、5Pa氧压的情况下为完全c轴取向的锐钛矿相TiO₂薄膜, 在750℃、5Pa氩气氛下则为(110)取向的金红石相薄膜. 场发射扫描电子显微镜结果表明薄膜表面致密, 呈纳米晶结构, 其晶粒尺寸在35nm左右.用傅立叶红外光谱和拉曼光谱对不同条件下制备的TiO₂薄膜进行了表征.紫外-可见透射光谱的测试结果表明, 薄膜在可见光区具有良好的透过率, 计算得到制备的锐钛矿和金红石相TiO₂薄膜在550nm处的折射率分别为2.3和2.5, 其光学带隙分别为3.2和3.0eV.因此通过沉积条件的改变可得到结晶性能和光学性能都不同的TiO₂薄膜.     

用液相沉积法在青铜表面制备TiO2薄膜

采用低温液相沉积法,在青铜表面制备了TiO2薄膜.利用台阶式测厚仪、扫描电镜(SEM)、X光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)等测试手段对薄膜的厚度、表面形貌、表面元素的化学状态和晶型进行了表征;并在紫外光照射下,通过甲基橙的降解,评价了沉积薄膜的光催化活性.试验结果表明,37℃下沉积16 h制得的TiO2薄膜表面均匀平整,不经热处理即已部分晶化为锐钛矿相,且具有较好的光催化活性.     

Infrared Refractive Index and Extinction Coefficient of Polyimide Films

We have measured the transmittance of several polyimide (C₂₂H₁₀N₂O₄) films at wave numbers from 6000 to 500 cm^–1 (wavelengths from 1.67 to 20 m) using a Fourier-transform infrared (FT-IR) spectrometer. The free-standing polyimide films are made by spin coating and thermal curing processes. The thickness of the films ranges from 0.1 to 4 m. In the nonabsorbing region from 6000 to 4000 cm^–1, the minimum transmittance caused by interference is used to obtain the refractive index for film thicknesses greater than 1 m. The film thicknesses are determined by fitting the spectral transmittance using the refractive index. Molecular absorption strongly reduces the transmittance at wave numbers from 2000 to 500 cm^–1. The optical constants, i.e., the refractive index and the extinction coefficient, are determined from the measured transmittance for several films of different thickness using a least-squares method. A Lorentzian oscillator model is also developed, which in general agrees well with the measured transmittance at wave numbers from 6000 to 500 cm^–1. This study will facilitate the application of polyimide films in the fabrication of infrared filters and other optoelectronic applications. The methods presented in this paper can be used to determine the optical constants of other types of thin-film materials.     

电压和时间对微弧氧化法制备的TiO2陶瓷薄膜的光催化性能的影响

在弱酸性环境下,采用微弧氧化法在钛基板表面实现了TiO2陶瓷的制备,并就施加电压和微弧氧化的时间对陶瓷薄膜的光催化性能进行了研究.结果显示,较高的阳极电压和较长的微弧氧化时间有利于制备光催化性能优良的TiO2陶瓷薄膜.     

Determination and Improvement of Deposition Parameters of TiO2 Thin Films via ALD

In recent years,with the development of technology,interest in microelectronics and thin film devices has increased considerably.Future improvements in microele...