纳米半导体材料及其纳米器件研究进展

(接上期第21页)4.2.2量子点激光器 应变自组装量子点材料与量子点激光器的研制已成为近年来国际研究热点.应用这种技术已制备出量子点激光器,波长覆盖了近红外和红光波段.1992年Ueno等人报道了单层InGaAs/A1GaAs量子点结构,实现了室温激射,阈值电流密度(Jth)为950A/cm2;1994年俄德联合小组首先研制成功InAs/GaAs量子点材料;1996年Alferov等人研制成功有源区为三层结构 (垂直耦合)的量子点激光器,Jth为680A/cm2;同年Ledentsov等人[24]又报道了10层垂直耦合InGaAs/GaAs量子点结构激光器,室温Jth为90A/cm2;1997年Ustinov等人又报道了Jth低达60A/cm2的量子点激光器,其结果已接近当前最好的量子阱激光器的性能1996年量子点激光器室温连续输出功率达1W,阈值电流密度为290A/cm2,1998年达1.5W;1999年InAlAs/InAs量子点激光器283K温度下最大连续输出功率(双面)高达3.5W.     

纳米半导体材料及其纳米器件研究进展

简单介绍纳米半导体材料的定义、性质及其在未来信息技术中的地位,分别讨论半导体纳米结构的制备方法与评价技术;对近年来纳米半导体材料和基于它的固态量子器件研制所取得的进展、存在的问题和发展的趋势作扼要的综述,最后,结合国情和我国在该领域的研究现状,提出发展我国纳米半导体材料的战略设想。     

纳米发光材料及器件的研究发展

纳米发光材料及相关器件是近年来国际上的一个研究热点。本文对这方面的主要研究方向如硅基纳米发光材料、纳米粉末发光材料、碳纳米管的场发射等研究进展进行了综述。这些纳米材料在光电集成、信息显示等领域具有重要的学术意义和良好的市场前景。     

半导体发光器件产业现状

半导体发光器件产业现状朱野根（中国光学学电子行业协会副理事长，光电器件分会理事长，苏州２１５００７）ＴｈｅＣｕｒｒｅｎｔＳｔａｔｕｓｏｆＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅｓＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓ￥作为二十世纪科学技术发展的重要标志，高新技术产业支柱之...     

半导体聚合物电发光器件

半导体聚合物的电发光现象及其广阔的应用前景，激发了人们的研究兴趣，文章介绍了聚合物的结构，器件设计和制备等，并评述了聚合物材料应用前景和聚合物发光二极管的发展状况。     

纳米半导体材料及其纳米器件研究进展(续)

4 纳米器件研制进展和发展趋势人们预测到2012年硅FET的栅长可达到35nm 或许更小,这很可能是一个临界尺寸。这时不仅要遇到高电场下硅和二氧化硅的雪崩击穿、高集成度时的热耗散问题、体性质消失和掺杂不均匀带来的问题、电子隧穿出现薄氧化层的不平坦以及互联延迟等难以克服等困难,而且随集成度提高,价格迅速下降的规律也将不再成立;其次,开发小于100nm工艺技术所耗资金,也恐难以承受。     

稀土掺杂半导体纳米发光材料研究取得新进展

稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料,二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注的科学问题。与绝缘体纳米晶相比,半导体纳米晶的激子玻尔半径要大得多,因此量子限域效应对掺杂半导体纳米晶发光性能的影响变得很显著,从而有可能通过尺寸调     

紫外半导体发光器件及其制造方法

紫外半导体发光器件的出现,在各个行业得到广泛的使用,为行业内的制造和管理提供较大的便利。随着技术的进步,紫外线半导体发光器件在制造方法上得到全面的创新,新型的技术不断的出现,制造方法方面也得到不断的发展,为技术的进步提供条件,因此应该更加科学的对紫外半导体发光器件及其制造费方法进行分析,掌握更加全面的制造方法,从而促进技术的进步,对技术的发展提供更多可能。本文主要针对紫外半导体发光器件以及制造方法进行分析。     

半导体发光器件的可靠性预计模型

文中介绍了一种基于概率方法的半导体发光器件可靠性预计模型。在初始光发射性能给定而退化特性通过试验确定的前提下,使用该模型可得到器件的可靠度函数关系,且理论预计结果与试验结果一致性良好。（对初始光发射性能和退化特性建模的研究仍在进行中,在本文中不涉及。而本模型最终将包括上述两部分的建模,以得到完整的可靠性预计解析结果。）对于半导体发光器件,本研究作为基于失效物理的一套完整的霹靠性预计方法研究中的重要一步,提供了一种可行的方法,并且证明在器件性能基本参数基础上确定可靠度函数关系的途径具有可行性。     

SiC半导体材料与器件

阐述了ＳｉＣ材料的结构和性质，系统介绍了相关制备、器件制作的进展，并将ＳｉＣ与Ｓｉ，ＧａＡｓ、金刚石等材料作了比较，强调了ＳｉＣ做为一种接近实用的功率器件材料的优越性，同时指出了为进一步实用化所需解决的问题。     

半导体发光器件技术现状及其产业发展趋势

本文根据最新资料，综述了上前国内外半导体发光器件的现状和发展趋势，并对我国应如何发展光电器件提出建议。     

半导体发光器件有了“中国芯”

国家重大科技项目“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”的鉴定验收 ,4月 2 0日在山东省济南市顺利通过。这标志着我国半导体发光器件拥有了自己的“中国芯” ,打破了半导体外延材料与管芯技术被欧美发达国家和地区垄断的局面。据中国科学院院士蒋民华教授介绍 ,“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”是我国光电子产业化前期关键技术开发项目 ,国家和山东省先后投资 730 0万元 ,历经 3年多时间才使高亮度红、橙、黄、黄绿发光二极管外延材料及管芯达到了产业化水平。目前 ,这一项目已形成了一定生产规模 ,可年产各类高亮度及超高亮度发光二…     

半导体材料与器件九十年代最新进展

本文分别从单晶的尺寸、质量、新型器件、微加工及其集成度和性能几方面报导半导体材料与器件九十年代的世界水平。     

宽禁带半导体材料及器件

以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子、光电子技术的迅猛发展,然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射、耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围等都不能满足现代电子技术发展对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射、能发射蓝光等提出的新要求。而以SiC、GaN、金刚石为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电压高、     

微波器件的最佳半导体材料

微波器件最好的半导体材料硅和砷化镓,由于电子漂移速度饱和在相当低的数值,使其性能受到了限制。可以认为,InAs-InP 合金能给出较好的特性。由 Monte carlo 技术详细计算了漂移速度。计算表明,一些合金能够给出大于4×10~(17)厘米/秒的漂移速度。     

SiC半导体材料及其器件应用

分析了 Si C材料的结构类型和基本特性 ,介绍了 Si C单晶材料的生长技术及器件工艺技术 ,简要讨论了 Si C器件的主要应用领域和优势。