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GaAs衬底层选择性腐蚀技术 总被引:2,自引:1,他引:1
本文在GaAsGaAlAs选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀GaAs衬底层获得GaA/GaAlAs外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了C3H4(OH)(COOH)3.H2O-H2O2系选择性腐蚀液和H2SO4-H2O2系腐蚀液,获得了快速,可控制,重复性好的可全部可局部去除衬底的腐蚀方法。 相似文献
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硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
实验研究表明热生长13nm薄SiO2的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很大关系.氧化前稀HF酸及HF/乙醇漂洗不会提高热氧化薄SiO2的可靠性;氧化前用NH4OH/H2O2/H2O(0.05∶2∶5)溶液清洗形成化学预氧化层对提高薄SiO2可靠性很有效;用H2SO4/H2O2(3∶1)溶液清洗形成预氧化层的改善作用也较明显,在之前增加比例为0.05∶2∶5或1∶2∶5的NH4OH/H2O2/H2O溶液清洗和稀HF酸漂洗效果更好.另外,薄栅介质抗电离辐射性能和抗热电子损伤能力同氧化前形成化学预氧化层的清洗 相似文献
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GaAs、GaP、InP、InGaAsP、AlGaAs、InAlGaAs的化学腐蚀研究 总被引:2,自引:0,他引:2
许兆鹏 《固体电子学研究与进展》1996,16(1):56-63
为研制全集成光开关、微片式激光器等,对GaAs、GaP、InGaAsP、InAIGaAs、AlGaAs等材料的化学腐蚀进行了实验研究。为了研制InAlGaAs/InAlAs/InAlGaAs微片式激光器,开发了H3PO4/H2O2/H2O薄层腐蚀液和HCl/H2O选择性腐蚀液;为了研制InGaAsP/InP/InGaAsPTbar型光波导,开发了HCl/H3PO4/H2O2薄层腐蚀液和HCl/H2O2选择性腐蚀液;为了研制GaP、InGaP光波导,开发了HCl/HNO3/H2O薄层腐蚀液。它们都具有稳定、重复性好、速率可控、腐蚀后表面形貌好等特点。除此之外,蚀刻成的GaP光波导侧壁平滑无波纹起伏。此种结果尚未见报导。 相似文献
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本文研究了新型陶瓷刀具材料JX-2-I(Al2O3/SiCp/SiCw)的力学性能,同A(Al2O3),AP(Al2O3/SiCp),AW(Al2O3/SiCw)和JX-1(Al2O3/SiCw)材料相比,JX-2-I具有较高的抗弯强度(σbb)和断裂韧性KIC,研究结果表明,在JX-2-I陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用,陶瓷刀具材料JX-2-I的主要增韧机理是界面解离,裂纹偏转和晶须拔 相似文献
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毛友德 《微电子学与计算机》1993,10(11):47-48,F003
利用直流辉光放电分解碳氢气体来淀积a-C:H膜,通过测量Al/a-C:H/SiMIS结构的高频C-V曲线讨论了a-C:H/Si界面的电子特性,结果表明a-C:H/Si膜有可能用作半导体器件的表面钝化膜。 相似文献
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ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征 总被引:7,自引:0,他引:7
本文利用化学共沉淀法分别制得Zn5(CO3)2(OH)6掺杂Al(OH)3、Mg(OH)2以及Zn5(CO3)2(OH)6掺杂Sb(OH)3、Bi(OH)3、Sn(OH)4、Co(OH)3、MnO(OH)2两种复合粉体,利用高频等离子体焙解新工艺,制得了纳米ZnO及相应的添加剂陶瓷复合粉体.TEM分析结果表明:两种陶瓷复合粉体的粒径均小于100nm.利用前者,通过添加适当的Al2O3和MgO,制备出了电阻率约10~2000Ω·cm,V-I特性较好的ZnO线性陶瓷电阻.利用后者,通过适当的杂质配比,在100 相似文献
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Al0.85Ga0.15As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了优化的p-n型Al0.85Ga0.15As/GaAs太阳能电池器件工艺。分别采用真空蒸发Cr/Au和AuGeNi/Au制作下面栅线和背面电极,并分别在450℃和350℃下快速合金化形成欧姆接触。采用NH4OH:H2O2:H3PO4:H2O体系的选择性腐蚀液去除高掺杂的GaAs接触层。采用真空蒸发技术制备ZnS/MgF2双层复合减反射层。测试结果表明,采用优化工艺制备的器件的光电转换效率得到了 相似文献
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本文研究了新型陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ(Al_2O_3/SiCp/SiCw)的力学性能,同A(Al_2O_3)、AP(Al_2O_3/SiCp)、AW(Al_2O_3/SiCw)和Jx-1(Al_2O_3/SiCw)材料相比,JX-2-Ⅰ具有较高的抗弯强度(σ_(bb))和断裂韧性K_(Ic);研究结果表明,在JX-2-Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用,陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。 相似文献
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频率上转换的研究是光物理学科的热点前沿课题.本文研究的是 Er(1mol%) Yb(10 mol%)共掺的 SiO2-AlO1.5-PbF2-CdF2氟氧化物玻璃(ErYb:YOG)样品的直接上转换敏化发光机制. 首先测量了在激光焦点a处和较大光斑位置b处的上转换发光,发现有丰富的上转换荧光.其中较强的有(665.5 nm, 653.5nm),(549.0 nm, 542.5 nm)和(521.5 nm, 527.0 nm)三条荧光线,容易指认出它们依次分别是4F9/2-4I15/2,4S3/2-4I15/… 相似文献
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低压反应离子镀新工艺及其设备 总被引:1,自引:0,他引:1
唐惠平 《电子工业专用设备》1997,26(2):36-44,54
采用低压反应离子镀沉积技术,制备光学薄膜质量有着显著的改善。我们利用此技术沉积的TiO2、SiO2和Al2O3膜,其折射率分别为255、149(550nm)和167(1100nm),比传统的电子束蒸发好得多。用此方法,在CR39基片每面沉积4层TiO2/SiO2抗反薄膜,剩余反射率≤05%。本文简要介绍其工艺过程和相应的LVRIPD装置 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料JX-2-I的界面结构,结果表明,在JX-2-I中Al2O3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al2O3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构,发现在SiCw,SiCp和Al2O3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al2O3上有孪晶产生,分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-I材料的整体 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
用一种简练的异质结双极晶体管(HBT)模型来模拟SiC基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在27℃(300K)到600℃(873K)下的6H-SiC/3C-SiCHBT。将其高频大功率特性与AlGaAs/GaAsHBT作了比较。不出所料,欧姆接触电阻限制了SiCHBT的高频性能。现在看来,在SiC上只能可靠地产生1×10 ̄(-4)Ω-cm ̄2的接触电阻。所以f_T和f_(max)的最高实际值仅分别为4.4GHz和3.2GHz。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到1×10 ̄(-6)Ω时,则6H/3CSiCHBT的f_T和f_(max)分别可达到31.1GHz和12.76Hz。 相似文献
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量子阱无序的窗口结构InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器 总被引:3,自引:0,他引:3
对SiO2薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导InGaAs/GaAs应变量子阱无序和SrF2薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合(称为选择区域量子阱无序技术)应用于脊形波导InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,研制出具有无吸收镜面的窗口结构脊形波导量子阱激光器。该结构3μm条宽激光器的最大输出功率为340mW,和没有窗口的同样结构的量子阱激光器相比,最大输出功率提高了36%。在100mW输出功率下,发射光谱中心波长为978nm,光谱半宽为1.2nm。平行和垂直方向远场发散角分别为7.2°和30° 相似文献