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相似文献
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1.
一种高增益宽频带的增益自举运算放大器   总被引:1,自引:0,他引:1  
王晋雄  刘力源  李冬梅 《半导体技术》2010,35(10):1007-1010
设计了一个应用于高精度流水线结构ADC中的高增益、宽频带全差分运算跨导放大器(OTA).整体运放采用了2级结构,第一级采用套筒共源共栅结构,并结合增益自举技术来提高增益;第二级采用共源放大器结构作为输出级,以增大运放的输出信号摆幅.该设计采用UMC 0.18μm CMOS工艺,版图面积为320μm×260μm.仿真结果显示:在1.8 V电源供电5 pF负载下,在各个工艺角及温度变化下增益高于120 dB,增益带宽积(GBW)大于800 MHz,而整个运放消耗16.36 mA的电流,FOM值为306 MHz·pF/mA.  相似文献   

2.
《电子与封装》2016,(5):26-30
基于SMIC 0.18μm工艺模型设计了一种低电压1.8 V下的高增益、低功耗、宽输出摆幅、宽带宽的运算放大器电路。采用增益自举技术的折叠共源共栅结构极大地提高了增益,并采用辅助运放电流缩减技术有效地降低了功耗,且具有开关电容共模反馈(SC-CMFB)电路。在Cadence spectre平台上仿真得到运放具有极高的开环直流增益(111.2 d B)和1.8 V的宽输出摆幅,单位增益带宽576 MHz,相位裕度为58.4°,功耗仅为0.792 m W,在1 p F的负载时仿真得到0.1%精度的建立时间为4.597 ns,0.01%精度的建立时间为4.911 ns。  相似文献   

3.
采用CMOS工艺,针对超外差结构的无线宽带接收器,提出了一个新结构的可变增益放大器,并对该放大器进行了仿真和测试.测试和仿真结果表明:该放大器能够工作在50~600MHz的频率上,增益为-28~42dB,最大增益的噪声系数为7.65dB,最小增益的IIP3为20dBm,而且具有良好的鲁棒性,在3V的电源电压下,电流消耗只有12mA.  相似文献   

4.
通过加入对电源电压不灵敏的基准源产生偏置电流,采用MOS管产生的电阻和MOS管电容串联的补偿结构,消除补偿电容带来的零点;并在输出端采用电阻反馈,降低了输出电阻,增强了带负载能力.在1.5 V电压下,偏置约为1 μA.基于BSM3 0.5 μm CMOS工艺,对电路进行了PSPICE仿真.负载为20 pF时,该电路获得了87 dB的开环增益,353 MHz的单位增益带宽,61°的相位裕度和132 dB的共模抑制比,功耗为1.24 mW.  相似文献   

5.
采用CMOS工艺,针对超外差结构的无线宽带接收器,提出了一个新结构的可变增益放大器,并对该放大器进行了仿真和测试.测试和仿真结果表明:该放大器能够工作在5 0~6 0 0MHz的频率上,增益为- 2 8~4 2dB ,最大增益的噪声系数为7 6 5dB ,最小增益的IIP3为2 0dBm ,而且具有良好的鲁棒性,在3V的电源电压下,电流消耗只有12mA .  相似文献   

6.
本文采用新型的电流模放大器和可编程的电阻反馈网络设计了一种高线性度的可编程增益放大器(PGA),单级的电压增益范围为0~20dB,增益步长0.5dB,3dB带宽1.7MHzMHz,两个输入谐波(tone)的频率为0.2MHz和0.3MHz,输出摆幅为峰峰值1V时,IM3大于60dB.在3.3V电源电压时功耗为2.38mW.  相似文献   

7.
王晗  叶青 《半导体学报》2006,27(z1):318-321
基于SMIC 0.18μm数字CMOS工艺,设计了一种基于增益增强技术的折叠式共源共栅运算放大器,并采用衬底校准技术增大了运放的输入摆幅,可用于13位30MHz采样频率的流水线模数转换器,分析了受流水线性能限制的运放性能.仿真结果表明运放在1V的输入摆幅下开环增益大于100dB,8.5pF负载电容下单位增益带宽为322MHz,功耗仅为1.9mW.  相似文献   

8.
设计了一种用于超高频射频识别(UHF RFID)读写器的新型低功耗、低噪声、高线性度900 MHz下混频器.在输入端采用2阶交调注入结构,以提高线性度;在输出端采用动态电流注入结构,获得了很好的噪声特性,且具有很高的增益.采用Chartered 0.18 μm标准CMOS模型对电路进行仿真,电路的供电电压为1.2 V.仿真结果表明,设计的900 MHz下混频器增益为11 dB,IIP3为-3.5 dBm,噪声为11 dB.  相似文献   

9.
赵毅  梁蓓 《电子设计工程》2013,21(8):122-125
基于CSMC的0.5μmCMOS工艺,设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器,采用最大电流选择电路作为输入级,AB类结构作为输出级。通过cadence仿真,其输入输出均能达到轨到轨,整个电路工作在3 V电源电压下,静态功耗仅为0.206 mW,驱动10pF的容性负载时,增益高达100.4 dB,单位增益带宽约为4.2MHz,相位裕度为63°。  相似文献   

10.
功率管栅端寄生电容的存在使得LDO的电源抑制特性(PSR)在中高频段变差。在前馈纹波抵消技术的基础上,通过在误差放大器输出端与功率管栅端之间引入具有低输出阻抗的电压跟随器,拓展了PSR带宽,实现了中高频段的高电源抑制特性。采用箝位电路,进一步提高了重载下的环路增益,保证负载范围内LDO在中高频段均具有较高的PSR。基于0.5 μm CMOS工艺进行设计与仿真。结果表明,LDO的最大静态电流为80 μA,功率管的压差电压为150 mV,负载电流范围为50 μA~25 mA。在25 mA负载电流下,LDO的PSR在100 kHz时为-63 dB,在10 MHz时为-57.5 dB。  相似文献   

11.
设计了一种宽调节范围自适应带宽的低抖动锁相环倍频器(PLL)。通过采用自偏置技术,使得电荷泵电流和运算放大器的输出阻抗随工作频率成比例变化,从而使阻尼因子保持固定、环路带宽跟随输入参考频率自动调整,以及PLL在整个输出频率范围内保持最佳的抖动性能。电路采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺进行设计,后仿真验证表明,该PLL电路能够在0.35~2.1 GHz的输出频率范围内输出良好的低抖动信号,输出频率为2.1 GHz时,均方根抖动为2.47 ps。  相似文献   

12.
利用低机电耦合系数的压电陶瓷,制作一种低频窄带陶瓷滤波器。这种梯形陶瓷滤波器中心频率为140kHz,具有低插损、高阻带、高选择的特点。为了改进其可靠性,还为这种滤波器设计了一种新颖的组装结构。  相似文献   

13.
一种低成本简化结构的超宽带光纤光源   总被引:1,自引:0,他引:1  
陈爽  冯莹  魏立安 《半导体光电》2006,27(4):363-365
报道了一种新型的低成本、简化结构的超宽带光纤光源.不同于常规的超宽带光纤光源,该结构只用了一个980 nm半导体激光器作为抽运源.通过调整抽运功率和掺铒光纤长度,得到了80 nm带宽的C L波段的宽带光输出.  相似文献   

14.
杨东  李冬梅 《半导体技术》2010,35(12):1209-1212
基于UMC 0.18/μm混合信号工艺,设计实现了一种具有稳定带宽的低压低功耗电荷泵型锁相环电路,参考频率32.768 kHz,输出频率范围1~50 MHz,主要为音频A/D提供采样时钟.分析了锁相环环路带宽,给出了一种稳定环路带宽的简易方法.采用低电源电压1 V,克服了低压设计的一些难点.仿真结果表明,输出频率24.576 NHz(512倍48 kHz采样)时,压控振荡器(VCO)相位噪声为-109 dBc/Hz@1 MHz补偿,总功耗180μW.初步测试结果显示,系统输出正确的频率范围.  相似文献   

15.
王艳 《电视技术》2015,39(23):31-34
移动监控系统面临功耗低、体积小、实时性强和带宽低的要求,提出了基于OMAP4460平台实现高清码流的实时传输和显示,采用低码率传输算法解决恶劣环境下的图像抖动和时延问题。充分利用OMAP4460功耗低、体积小的特性,双核架构的ARM核完成系统管理和控制,DSP核进行编解码发挥传输算法的网络友好性优势。实验结果表明,基于OMAP4460设备能在低带宽无线通道中,获得低时延、较小丢包率的音视频质量,实现低带宽下媒体流的流畅播放和实时性的要求。  相似文献   

16.
基于SMIC 40 nm CMOS工艺,采用锁相环(PLL)设计了一种低功耗时钟源IP。提出的环路参数校准技术保证PLL在整个输出频率范围内稳定。采用电容倍乘技术减小环路滤波器占用的面积。采用可编程输出分频器拓宽了输出频率范围。后仿结果显示,该时钟源在0.125~3 GHz范围内可调,步长为0.125~1 MHz。环路参数校准后,PLL的带宽稳定在80 kHz,相位裕度稳定在48°。电路的供电电压为1.1 V,功耗小于3 mW,核心面积为0.096 mm2。  相似文献   

17.
提出了一种低抖动、宽调节范围的带宽自适应CMOS锁相环.由于环路带宽可根据输入频率进行自动调节,电路性能可在整个工作频率范围内得到优化.为了进一步提高电路的抖动特性,在电荷泵电路中采用匹配技术,并在压控振荡器中应用电压-电压转换电路以减小压控振荡器的增益.芯片采用SMIC 0.35μm CMOS工艺加工.测试结果表明该锁相环电路可在200MHz~1.1GHz的输出频率范围内保持良好的抖动性能.  相似文献   

18.
介绍了一种中心频率为450 kHz,相对带宽大10%的低频压电陶瓷滤波器的设计.它具有低插损、高选择性及高稳定性的特点.该文通过利用两种机电耦合系数不同的压电陶瓷材料分别制备串臂陶瓷振子和并臂陶瓷振子,达到了小波动大带宽的设计结果,并找出了串、并臂陶瓷振子的最佳静电容比,解决了调试匹配难题;通过在陶瓷振子四周梅花成型方式的设计,抑制了谐波响应,提高了产品的带外寄生抑制;通过优化设计专用装连结构,在满足小尺寸外形要求下,保证了产品的可靠性.  相似文献   

19.
提出了一种低抖动、宽调节范围的带宽自适应CMOS锁相环.由于环路带宽可根据输入频率进行自动调节,电路性能可在整个工作频率范围内得到优化.为了进一步提高电路的抖动特性,在电荷泵电路中采用匹配技术,并在压控振荡器中应用电压-电压转换电路以减小压控振荡器的增益.芯片采用SMIC 0.35μm CMOS工艺加工.测试结果表明该锁相环电路可在200MHz~1.1GHz的输出频率范围内保持良好的抖动性能.  相似文献   

20.
彭文峰 《微波学报》2012,28(5):37-39
提出了一种利用多种形式的辐射贴片阵元组成的复合式阵列天线。阵元采用了多种形式的馈电方法。部分阵元和馈电微带线直接连接馈电,其他阵元和馈电微带线采用电磁耦合进行馈电。通过优化辐射贴片的形状、对应的馈电方法、辐射贴片连接端的阻抗调节块、阵列单元之间的阻抗调节段,在宽频带内不但获得了良好的阻抗特性,也实现了期望的赋形辐射方向图。测试结果表明,该阵列天线高度小于中心频率的0.06个波长,相对阻抗带宽(驻波比小于1.45)和辐射带宽分别超过23%和17%。  相似文献   

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