金属氧化物半导体气敏传感器的加热电路

本文简述了金属氧化物半导体—N- SnO2 半导体气敏传感器的加热电路,并根据实际应用对加热电路进行了一些改进。     

二氧化锡膜气敏传感器最新研究成果

在论述二氧化锡气敏机理的基础上，介绍了通过掺杂金属、金属离子、金属氧化物等方法制备二氧化锡膜气敏传感器的研究成果以及二氧化锡传感器阵列电鼻子的研究现状，并对其发展趋势进行了展望。     

金属氧化物气敏传感器

金属氧化物气敏传感器是金属氧化物与被测气体发生作用后, 改变了它的电性质, 从 而把气体成份、浓度等化学信息转换成电的信息的一种元器件金属氧化物的电性质与材 料的点缺陷有密切的关系, 因而研究点缺陷理论对了解金属氧化物气敏传感器的作用原 理, 改善其气敏性能都是很必要的     

金属氧化物气敏传感器

6结论与展望 6.1气敏传感器近年来的研究开发成果 以二氧化锡可燃性气体传感器为代表的金属氧化物半导体气敏传感器和以二氧化锆浓差电池氧气传感器为代表的金属氧化物固体电解质气敏传感器实用化以来的短短几十年,金属氧化物气敏传感器事业得到很大的发展,特别是近20年来,它引起了世界主要国     

一种新的气敏光纤传感材料

本文是本刊3卷2期(1990年6月)《气敏涂层光纤传感器研究》的续篇。上篇介绍氧化锡膜的光反射特性;本篇介绍掺杂ZnO后的Sn_2O-ZnO膜的光透射特性,测试结果见图1和图2。因其制备工艺、气敏机理、试验装置与条件,两者基本相同,故介绍从略。     

国内气敏传感器动态

气敏传感器对促进科学技术发展、安全生产、环境保护等方面的重要作用及其广泛的应用性,早为国内学者和科技人员所关注。目前,研制气敏传感器的单位上百家,在品种开发和提高产品质量方面的研究也已取得较大进展。国际上一些主要的气敏传感器,例如MOS式、MOSFET式、接触燃烧式、固体电解质式、电化学式、热导式、振动式、电极式等等国内都有研究。此外,利用光纤、LB膜等新技术研究气敏的工作也正在进行。金属氧化物半导体式气敏传感器,由于它能检测的气体品种较多,且检测气体的浓度范围符合易燃、易爆气体LEL值的要求,气敏灵敏度亦较高,价格低廉,因此,和国外一样是研究和生产最多的一种气敏传感器。     

一种新型的气敏传感器测量装置

介绍了一种新型、高精度的智能气体体积分数测量设备。该设备将ARM7应用到电路中,利用其强大的数据计算处理能力及控制能力,设计出了显示气体体积分数值的测试电路。传感器输出的电信号采用归十法与多项式拟合相结合的方法进行转换,有效地校正传感器的非线性,提高测量的精度。通过C语言编程实现该算法,经测试,该装置的精度误差保持在±1．5％,能够准确地对环境中的气体进行监控,并具有到限报警功能。     

场效应气敏传感器的研究进展

叙述了场效应气敏器件的基本理论和重要研究方向－高温场效应气敏器件和阵列式智能气体传感器。     

片上加热电容式湿度传感器研究

提出了一种集成加热结构的电容式湿度传感器结构。对传感器的稳态加热特性进行了分析,并利用红外线热成像技术对传感器加热过程以及稳态温度响应进行了研究。在5 V电压信号的加热下,传感器温度上升约30℃,且温度分布均匀,传感器敏感区域温差<4℃。在加热与不加热条件下,分别对传感器的湿度敏感特性与响应时间特性进行了测试。不加热时,传感器的灵敏度为0.00913 pF/%rH,回滞≈0.12 pF,响应时间约120.8 s;以5 V脉冲信号加热后,传感器灵敏度为0.00903 pF/%rH,最大回滞≈0.025 pF,响应时间约75.2 s。加热后传感器性能有了显著提高。     

金属氧化物气敏传感器（Ⅳ）

绝大多数金属氧化物气敏传感器的工作原理是基于待测气体的吸附和紧随着的表面反应过程所引起的电导变化．本章简要介绍金属氧化物的表面性质和表面反应过程,作为深入了解其气敏作用机理和改善气敏传感器性能的基础．     

金属氧化物气敏传感器（Ⅲ）

由于在太阳能电池、透明电极、催化剂,特别是气敏传感器领域的重要应用,金属氧化物材料日益受到重视.现已有不少文献资料介绍金属氧化物的单晶、陶瓷烧结体和膜材的     

金属氧化物气敏传感器（Ⅱ）

金属氧化物气敏传感器是金属氧化物与被测气体发生作用后,改变了它的电性质,从而把气体成份、浓度等化学信息转换成电的信息的一种元器件.金属氧化物的电性质与材     

国外气敏传感器的发展动向

为满足可燃性气体泄漏报警、环境保护检测等对气体传感器日益增长的需要，近年来在世界范围内对气体传感器的开发和研究取得很大的进展，本文简要介绍半导体气敏传感器，固体电解质传感器和其他新型气敏传感器的发展情况。     

金属氧化物半导体SnO2气敏传感器

SnO_2具有金红石型的晶体结构,禁带宽度约为 3.6 eV.由于Sn的电子亲合力不太强,晶态SnO_2都具有氧空位,故属于N型金属氧化物半导体.作为施主的氧空位,其能     

TiO2气敏传感器研究进展

TiO2气敏传感器具有工作温度低、灵敏度高、响应速度快、制备简单等独特优点,已经成为人们关注的热点.本文概述了TiO2材料的导电类型和气敏机理,介绍了TiO2气敏传感器两个方面的研究进展:运用传统掺杂方法和利用纳米技术改善传感器性能;展望了TiO2气敏传感器今后的研究和发展方向.     

掺入SiO2纳米颗粒对厚膜ZnO气敏传感器气敏性能的影响

利用丝网印刷技术,制备出掺入SiO2和未掺入SiO2的ZnO厚膜气敏传感器,测试对甲醇和乙醇的气敏性能,并用场发射扫描电子显微镜(FESEM)来分析表征气敏膜的微观形貌。结果表明SiO2的掺人有效地抑制了ZnO晶粒的长大。在工作温度为400～450℃时,SiO2的掺入显著提高了ZnO厚膜气敏传感器对甲醇和乙醇的敏感度,...