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本文分析了非均匀掺杂衬底MOS电容对线性扫描电压的瞬态响应,提出了饱和电容法测量非均匀掺杂MOS电容少子产生寿命空间分布的方法.该方法的优点是测量与计算简单. 相似文献
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脉冲MOS结构少子产生寿命的统一表征 总被引:2,自引:2,他引:0
本文提出了一种采用脉冲MOS结构测量少子产生寿命的统一表征谱方法,此方法基于任何一种收敛弛豫过程均可以转换成一种衰减的指数函数的思想,应用关以样原理获得脉冲MOS结构瞬态电容差值谱,从谱图中我们可以直接得到关于少子产生寿命信息。本文综合了众多脉冲MOS结构测量少子产生寿命的物理模型,分析了不同模型之间的精细差别。 相似文献
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本文建议用耗尽的线性扫描电压扫描MOS电容样品。扫描开始前MOS电容被置于强反型态,以消除表面产生的影响。根据扫描所得的电容-时间瞬态曲线,可确定样品中少于产生寿命。实验表明,对于同一个MOS电容样品,不同电压扫描率下得到的结果有很好的一致性,且与饱和电容法的结果相符合。 相似文献
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本工作研究了同时形成polycide栅,源/漏硅化钛接触和浅PN结的MOS器件制造技术。实验结果表明,通过硅化钛薄膜注入As,并利用NH_3等离子体辅助热退火(NPTA)工艺,可制备性能良好的MOS晶体管。以注入杂质的硅化钛薄膜作为杂质源,在一次高温退火过程中同时完成杂质的再分布和低电阻率硅化钛的形成,得到结深小于0.1μm,硅化钛电阻率24μΩ·cm。NPTA退火工艺有效地抑制了Ti/Si和Ti/poly-Si固相反应过程中硅化钛的横向生长,从而获得了自对准程度很高的硅化钛接触和互连。 相似文献
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采用一个最近发展起来的产生区宽度模型,导出了描述阶跃电压作用下MOS电容器的电容-时间瞬态特性方程,给出了阶跃电压法确定产生寿命的一个计算公式。 相似文献
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《微电子技术》1994,22(1):51-56
本文叙述了从西门子、东芝引进的2~3微米MOSIC生产线上,由于离子注入设备的不同,在工艺转换过程中由中方技术人员所解决的几个重要问题。1.用固体(磷、砷)源成功地替代了气体(磷烷、砷烷)源材料.并用国产固体磷替代进口固体磷、用中阻圆片替代高阻圆片顺利完成了注入机的调试和工艺验收。2.通过调整大束流注入机的“T”、“K”因子及中束流注入机的“MASK”面积因子,把注入机校正到符合西门子(2μm)工艺规范;建立了与东芝所用注入机的相关数据曲线。3.首次在MOSIC生产线上采用图片注入后方块电阻分布图形分析法,来判断大束流注入机电子淋浴器工作情况,控制静电破坏,将Z476测试图形成品率由50%提高到98.08%以上。从而保证了IC成品率。离子注入是这条引进MOSIC生产线唯一没有外方专家现场指导的工艺,所有工艺转换及技术改进全部由中方技术人员独立完成,为国家节约专家费5万美元以上。 相似文献
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论述了用现有的光电导衰减法测单晶硅锭中少子寿命计算公式存在的问题。对此提出了相应的改进公式。用改进公式算出的值与实验测得的数据基本一致。 相似文献
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少子产生寿命计算机辅助测量及应用的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量 ,设计了相应的产生寿命 C- t瞬态测量系统 ,能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程的自动化 ,提高了测量速度和准确度。应用于传统的“Zerbst图”法 ,可在原理和数据处理两方面得到较大的改善。 相似文献
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采用线性电流变化法,对功率半导体器件少子寿命测试仪的研制进行了说明,并给出了主要技术参数。该仪器可对整流管、晶闸管及功率晶体管的N基区小注入下的寿命进行测量,通过τp大=2τp小可得到整流管、晶闸管大注入下的少子寿命。 相似文献
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提出了 MOS电容线性电压扫描法测量半导体少子产生寿命的新方法。通过在 MOS C-t瞬态曲线上读取 n个不同时刻的电容值 ,确定出相应的少子产生寿命值。该方法基于最小二乘法原理 ,可有效地消除测量误差的影响 ,其精度随读取点的增加而提高 ,特别适合于少子产生寿命的计算机辅助测量。 相似文献
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单晶硅表面钝化后少子寿命以及制成的太阳电池转换效率与单晶硅表面金字塔大小、形貌和分布密切相关。用不同的碱液刻蚀单晶硅表面,用SEM观察其表面绒面结构,测量了不同碱液刻蚀的单晶硅表面的少子寿命以及对应太阳电池的转换效率。实验研究表明,不同碱液刻蚀的单晶硅表面绒面结构形貌差异大,少子寿命明显不同。进一步研究发现,绒面上金字塔尺寸较大,且分布不均匀,则其少子寿命较短,对应太阳电池的转换效率较低;反之,绒面上金字塔小且分布均匀,则绒面少子寿命相对较长,对应的太阳电池转换效率相对较高。 相似文献
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通过观测MOS电容由深耗尽到反型层的形成过程,可以测量少数载流子的寿命.其方法就是在MOS电容的栅极上加上足能使表面反型的阶梯电压.起初,多数载流子在半导体表面处于非平衡的深耗尽状态,随后,耗尽层内将产生电子空穴对.在电场的作用下,多于向体 相似文献
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本文建议用脉冲MOS电容器的电容—时间瞬态技术测量产生寿命分布.用计算机辅助测量技术可实现阶跃电压产生,电容—时间瞬态采样读出,数据处理和产生寿命分布测量结果输出全过程的自动化. 相似文献
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着重研究了γ辐照后,不同偏置情况下,N—Sub MOS电容的高频C—V曲线随B_2~+注入剂量的变化,并对实验结果进行了分析讨论。 相似文献
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禁带宽度和少子复合寿命是硅晶体管发射区中重要的物理参数。本文利用p-n结反向扩散电流的温度特性和借助于线性外推法,提出了一种确定绝对零度时禁带宽度的新方法。由于发射区重掺杂,本文考虑了载流子的费米-狄拉克统计分布。提出了确定发射区中少子复合寿命的方法。该方法简便实用。 相似文献