低噪声放大器的设计

符号一览表 a 有源器件每平方根赫兹等效输入端噪声电压 b 每平方根赫兹等效输入端噪声电流 a_1 由I_c产生的分量 a_2 由R_x产生的分量 C_u 集电极——基极等效电容 E_R 均方根噪声电压     

晶体三极管β值的测试方法

β代表晶体三极管共发射极直流电流放大系数,β=I_c/I-b。I_c是集电极电流,I_b是基极电流。 当I_c和V_(ce)(集电极-发射极电压)取值不同时β值也略有不同。因此手册上所规定的β值都是在一定的I_c和V_(ce)数值下测得。测试时按图1所示的电路进行。先调节E_c使V_(ce)为规定值,再调节E_b使I_c为规定值。     

一种高精度低噪声运算放大器设计北大核心

设计并实现了一种高精度低噪声运算放大器。提出了一种基极电流消除技术，补偿了输入对管基极电流，有效地降低了运算放大器的输入偏置电流，从而能够通过提高输入对管的集电极电流来减小输入噪声电压，实现了较低的运算放大器总等效输入噪声。同时，采用集电极-发射极电压补偿电路，消除了厄利效应的影响，提高了电路精度。电路采用36 V互补双极工艺流片，测试结果表明，芯片的失调电压为6.94μV,在1 kHz下的电压噪声密度为■,电流噪声密度为■。     

晶体管的特性显示(下)

(四)转移特性共发射极组态的电流转移特性定义为集电极电压恒定时,集电极电流与基极电流之间的关系曲线.显示原理方框图见图10.锯齿电压经大电阻R_(62)变成锯齿电流加到被测管的基极,集电极电流由串入发射极电路中的电阻R_(68)上取得.转移特性亦采用单条显示.被测管集电极电压由电位器W_2改变,电压     

晶体管的散弹噪声

晶体管散弹噪声理论已在早先的文章中发表了,对硅晶体管考虑的发射极空间电荷区陷井效应也作了修正。本文旨在讨论此修正。让 I_e 和 I_c 分别为发射极和集电极的直流电流,于是;I_c=α_(dc) I_e (I_c)_(sat)(1)式中,α_(dc)是直流电流放大系数,(I_c)_(sat)是集电极饱和电流。在硅晶体管中(I_c)_(sat)≈O,所以α_(dc)=I_c/I_e。故低频电流放大系数α_0为;     

SiGe HBT射频噪声模型研究

对现代的双极型晶体管而言,载流子在基极和集电极的空间电荷区（CB SCR）传输延迟可比基极渡越时间,甚至要大于后者。为了更精确地表征了SiGe HBT的射频噪声性能,对van Vliet模型做了扩展,使其包含基极集电极空间电荷区的延迟效应。用2个与噪声相关的延迟时间对transport模型进行了扩展,使得在没有非准静态Y参数的情况下仍然可以对基极和集电极电流噪声进行精确建模。最后,在JC=12.2 mA/μm2,AE=0.12×18μm2条件下,分别对2种模型的基极和集电极噪声电流谱及其归一化相关系数做图并与计算得出的解析值相比较,验证了模型的有效性。     

无偏置源的多谐振荡器

普通等待式的多谐振荡器,为保持其中一个晶体管截止,要求有偏置电压(图a).在晶体管BG_1的基极接一个二极管D_1,可不用偏置源(图b).当电路处于静态时,供给BG_1基极电流唯一的电压是导通管BG_2的集电极-发射极饱和电压.这电压为激起通过BG_1的基极的电流是太小了,因BG_1的基极-发射极     

长波长PIN／HBT集成光接收机前端噪声分析

文章研究磷化铟(InP)基异质结双极晶体管(HBT)和PIN光电二极管(PIN-PD)单片集成技术,利用器件的小信号等效电路详细计算了长波长PIN/HBT光电子集成电路(OEIC)光接收机前端等效输入噪声电流均方根(RMS)功率谱密度.分析表明:对于高速光电器件,当频率在100 MHz～2 GHz范围内时,基极电流引起的散粒噪声和基极电阻引起的热噪声起主要作用;频率大于5 GHz时,集电极电流引起的散粒噪声和基极电阻引起的热噪声起主要作用.在上述结论的基础上,文章最后讨论了在集成前端设计的过程中减小噪声影响的基本方法.     

低噪声高增益晶体管

在运算放大器中希望能将输入基极电流限制在小电流数值。这样的放大器电路的输入级晶体管,要求在1微安以下的集电极电流范围具有1000以上的直流电流放大系数。并且计时用的电子学仪器或生理电子学仪器等要求极力减小功耗的场合所应用的晶体管,必须是微小集电极电流的晶体管,也就是必须要有足够大的电流放大率。特别是在立体电视前置放大器等的低频低噪声放大电路的第一级晶体管中,必须减小1/f噪声和脉冲噪声(又可称为猝发噪声或爆裂噪声)。由文献我们可知,就这些噪声而言,在集电极电流相同的条件下,直流电流放大率越大,基极电流就越小,因而噪声功率就越     

高侧电流检测电路

图1所示精确的高侧电流检测电路没有像有些电路那样使用专用的隔离电源电压。它所选用的晶体管仅仅限制共模输入电压范围。该电路侧量一只小型电流敏感电阻器R_5两端的电压。整个电路是以Q_1和Q_2组成的高侧电流镜为中心来进行工作的。所有元器件都有一个总的功能,那就是使Q_1和Q_9的集电极电流相等。另一个使用Q_3的电流镜设定这两个集电极电流的数值。集电极电流=(V_(cc)-0.9)/(R_5+R_6)≈100μA。你最好通过分析由R_1、R_s、R_2、Q_(1B)(发射极一基极)和Q_(1A)(基极一发射极)组成的环路来计算电路的增益。如图1所示,I_s是高侧测量电流,I_1和I_2是Q_(1B)和Q_(1A)的镜电     

硅双极型晶体管的直流电流特性

晶体管的电流放大系数h_(FE)要随集电极电流I_C发生变化。在小电流时,h_(FE)随I_c增加而增加;当I_c增加到一定数值时,h_(FE)基本保持不变。但是,当I_c超过某一临界电流数值以后,h_(FE)会快速下降,这种现象在低集电极电压时更为明显。 本文分析了决定硅双极型晶体管电流放大系数h_(FE)的各种因素,讨论了晶体管的大电流特性,并且分析了h_(FE)随I_c增加而下降的各种机理,给出了各种分析模型的数学表达式。     

晶体管电路直流工作点稳定性探讨

在分析晶体管偏置电路稳定性时,国内外传统的分析方法一般是采用稳定系数S=??.它是以I_c为着眼点,又只考虑I_(oo)的影响.是否全面、是否妥当,值得研究.在晶体管输出特性曲线上,直流工作点是由集电极电压U_(oe)和集电极电流I_c决定的.固然I_c变化时工作点会变化,然而集电极对地直流电压U_c变     

基础电子电路及维修知识讲座（二）

六、晶体管基础知识晶体管有很多用处,其中最重要的就是用作放大器。晶体管通过控制集电极直流源的电压获得放大的电压幅度、电流和功率。晶体管由连在一起的两个pn结的三个半导体单元所构成。相对另外两个电极(发射极和集电极)而言,基极是公用的。晶体管用作放大器,需要两个直流源,分别供给发射结作正向偏置和集电结作反向偏置(当然实际电路中可由一个电源供给)。集电极电流(流经集电极——发射极两端子间的电流)由很小的基极电流     

具有新型集电极势垒结构的121GHz谐振隧道热电子晶体管

<正>谐振隧道热电子晶体管(RHET)是一种新型的具有极高频特性的三端器件。前不久,由于采用了InGaAs/InAlAs赝异质结,使器件的集电极电流峰-谷比和微波特性得到了改进。但是在低的集电极-基极电压情况下,器件的电流增益较差,不适合电路应用。 《Electronics Letters》1991年8月报道一种新型的集电极势垒结构RHET,它能改善集电极-基极低电压时的电流增益,从而使器件的微波特性进一步改善。在新结构中i-In_(0.52)(Al_(0.5)Ga_(0.5)_(0.48)As势垒厚度从原来的200nm减到50nm。由于电子只要克服较薄的势垒就能到达集电极,这就使在低的集电极-基极电压下增大了器件的电流增益。器件的发射极谐振隧     

SiGe/Si HBT低频噪声特性研究

对Si/Si1-xGexHBT的低频噪声进行了模拟。频率、基极电流、集电极电流、发射极几何尺寸(面积、条长)、Ge组份x、温度等诸多因素都对低频噪声有影响。模拟结果表明,Si/SiGeHBT具有优异的低频噪声特性。     

光电耦合器件在大信号AGC中的应用

小信号自动增益控制常采用改变晶体管直流工作点的方式来实现(见图1)。当信号增大时可使控制电压减小,管子直流I_c变小增益下降(反向AGC);或使控制电压增大,I_c增大增益下降(正向AGC)。以反向AGC为例,其输出随输入变化的曲线见图2。从图中可以看出管子的集电极电流取I_(c1)时比取I_(c2)时增益要大。     

晶体管放大电路入门：单管放大器

怎样把晶体管的电流放大作用转换成电压放大作用?这就必需外接元件构成放大电路,其中最简单的就是单管放大器。基本单管放大器的电路如图1所示.其中晶体管T作电流放大,将输入基极电流放大p倍产生输出集电极电流。R_B叫基极偏置电阻,由电源Ec通过R_B产生直流基极电流I_(BQ)     

金星、福日37厘米彩电基板放电故障二例

故障现象:一台福日14英寸彩电,开机后满屏红光;一台金星14英寸彩电,开机后满屏绿光,均伴有回归线,初判是某一视放管集电极电压过低导致相应的阴极电流过大造成的。测试各视放管的各极直流电压,发现基极、发射极电压均正常,而满屏红光(或绿光)的红色(或绿色)视放管集电极电压低至40V左右(正常约148V)。用万用表“×1kΩ”档测视放管集电极对地电阻(红表笔接地),阻值仅1～2kΩ     

高精度线性电路低频电压噪声密度的测试

文中报告了作者研制的QD-3181型线性电路电压噪声测试仪,给出了对几种高精度线性集成电路低频电压噪声密度的测量结果和比较。在10Hz、100Hz、1kHz三点频下,测得作者研制的超β器件的低频电压噪声密度分别为4.0nV/(Hz)~(1/2)、2.0nV/(Hz)(1/2)和1.5nV/(Hz)~(1/2)。     

功率SiGe/Si HBT的温度特性

测量了Si/SiGe HBT在23~260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性,以及Early电压VA的变化情况。结果表明,随电流和温度的增加,β减少,VBE随温度的变化率dVBE/dT小于同质结Si BJT。在高集电极-发射极电压和大电流下,在输出特性曲线上观察到了负微分电阻(NDR)特性。结果还显示,电流增益-Early电压积与温度的倒数(1/T)呈线性关系,这对模拟电路应用是很重要和有用的。