荫罩式等离子体显示板条纹分布变化的研究

采用基于粒子-蒙特卡罗模型的OOPIC-PRO软件对荫罩式等离子体显示板(PDP)的放电进行模拟,研究扫描电极宽度、氖氙混合气体比例、气压等参数变化对主放电区域及条纹分布的影响,并与高速ICCD相机拍摄的条纹分布进行比较分析。模拟和实验结果表明:随着电极宽度增加,主放电区域增大,条纹区域减小,放电效率降低;随着氙比例和气压的升高,主放电区域减小,条纹区域增大,放电效率提高。研究结果揭示了PDP放电单元中条纹区域的粒子能量适宜激发产生辐射紫外光子的氙谐振态和激发态粒子,这对提高PDP的放电效率乃至发光效率尤为关键。     

荫罩式等离子体显示板荧光粉制备的研究

本文以开发高分辨率荫罩式等离子体显示板(SMPDP)的荧光粉涂覆工艺为目的,采用丝网印刷法完成荫罩涂粉工艺。通过优化印刷图案及工艺参数,在200 mm×200 mm面积的0、.227×RGB×0.675规格、"品"字形单元分布的荫罩上,完成了红(R)、绿(G)、蓝(B)三色荧光粉的涂覆。并制备了4英寸显示屏,完成老化。     

荫罩式等离子体显示板寻址放电延迟时间的研究

高氙浓度是提高等离体显示器亮度和发光效率的有效手段,但必须关注高氙比例对寻址放电延迟的影响。本文采用7英寸小屏实验平台研究氙比例增加对寻址放电延迟的影响,分析了氙比例增加,寻址电压和维持电压变化条件下,寻址放电的形成性延迟和统计性延迟的变化规律。研究结果表明寻址形成性延迟随寻址电压和维持电压的增加而减小,随氙比例的增加而增加,寻址形成性延迟时间与电子在一个平均自由程内获得的电场能量成反比。而寻址统计性延迟随寻址电压、维持电压的变化基本保持不变,随氙比例的变化规律性不明显,说明氙比例不是寻址统计性延迟的主要影响因素。研究表明荫罩式等离子体显示屏即使在50%氙比例时,仍可实现1.6μs的寻址。     

基于宏单元实验的荫罩式PDP结构的优化

本文分析了荫罩式等离子体显示板(SMPDP)的优点和存在的不足,以提高PDP放电效率为目的,提出了非对称SMPDP结构。用宏单元实验研究的方法,比较了两种SMPDP的放电特性,确认非对称结构的红外辐射强度和红外效率比原有结构有较大提高。通过扫描电极结构的优化,使非对称结构的红外效率又有了进一步的提高。     

新型荫罩式PDP单元结构的优化设计

本讨论了新型荫罩式PDP单元结构的变化对放电的影响，从放电强度和放电效率的角度对单元结构进行优化设计。研究了取代介质障壁的荫罩的高度、宽度变化和荫罩内边界形状的变化对放电的影响，给出了不同结构下平均粒子浓度随时间的变化曲线和放电效率的变化趋势。模拟结果表明荫罩边界为内斜式的结构在响应时间、峰值浓度和放电效率上都具有较大优势，是一种较好的单元结构。     

Ne-Xe混合气体对荫罩式等离子体显示器放电影响的研究

本文使用7英寸荫罩式等离子体显示器(SM-PDP)的实验小屏,在真空系统上动态地改变混合气体中Xe浓度和气体压强,测量了着火电压、发射光光强、电子温度、电流、亮度和效率等参数,并分析了混合气体对(SM-PDP)放电的影响。结果表明,提高Xe浓度和气体压强虽然带来了着火电压的升高,但是同时也使得电流下降,亮度和效率大幅提高。通过提高Xe浓度和气体压强,导致电子和中性粒子的碰撞截面变大:一方面电子的碰撞几率增加,使得放电中电子温度降低,增加了基态Xe原子到低能级的直接激发;另一方面中性粒子的碰撞几率增加,使得173 nm的真空紫外线辐射增强,从而改善总的气体放电效率。     

高Xe混合气体对荫罩式等离子体显示器性能的影响

本文以提高荫罩式等离子体显示器(SM-PDP)的发光效率为目标,以7"小屏为实验平台,采用实验测试的方法研究了提高Xe浓度对着火电压、静态margin、单脉冲亮度和发光效率的影响.结果表明,Xe浓度的提高虽然增加了着火电压,但同时也加大了静态margin、提高了单脉冲亮度以及发光效率,因此不失为改进SM-PDP的发光效率和性能的良好途径.     

新型荫罩式PDP单元结构的优化设计

本文讨论了新型荫罩式PDP单元结构的变化对放电的影响 ,从放电强度和放电效率的角度对单元结构进行优化设计。研究了取代介质障壁的荫罩的高度、宽度变化和荫罩内边界形状的变化对放电的影响 ,给出了不同结构下平均粒子浓度随时间的变化曲线和放电效率的变化趋势。模拟结果表明荫罩边界为内斜式的结构在响应时间、峰值浓度和放电效率上都具有较大优势 ,是一种较好的单元结构     

带有浮动电极的等离子体显示板发光效率数值模拟研究

针对表面放电AC PDP中一种大放电间隙的情形，采用流体模拟方法，研究浮动电极的宽度、间隙以及浮动电极与显示电极平面之间的介质厚度及其相对介电常数对发光效率的影响，结果发现浮动电极的宽度和间隙对发光效率影响较大，而浮动电极与显示电极平面之间的介质厚度及其相对介电常数则对发光效率影响较小，采用浮动电极后最小维持电压得到了较大幅度的降低。     

非对称荫罩式PDP放电特性和工作参数的模拟研究

本文采用二维流体模型模拟了非对称荫罩式PDP结构的放电过程和放电特性。非对称荫罩式PDP结构的放电过程表明，该结构可产生斜拉的长路径放电，有效地提高放电效率。在5．8×10^4Pa，Ne＋10％Xe的工作条件下，非对称结构相较对称结构发光效率提高了32％左右。同时通过对非对称结构各种参数的模拟表明，在扫描电极的中心偏离荫罩下开孔中心150μm，扫描电极宽度在60μm左右，工作气体压强在5．9×10^4Pa～6．6×10^4Pa，Xe比例在15％～20％左右，可使放电效率提高约65％。     

新型SMPDP菱形单元结构的研究

为了提高等离子体显示单元的亮度和放电效率,本文采用三维流体模型对新型荫罩式等离子体显示板(SMPDP)的菱形单元结构进行了优化。研究了放电单元中的荫罩小孔结构改变对寻址期和维持期放电的影响。详细分析了小孔取向平行寻址电极和垂直寻址电极条件下电场和壁电荷的分布,以及对寻址时间、真空紫外辐射量和放电效率的影响。模拟结果表明:当小孔垂直寻址电极、长度和宽度分别为240μm和120μm时为最佳结构,通过优化小孔结构可以获得较高的寻址速度和放电效率,又可保证荧光粉的涂覆面积。     

新型荫罩式PDP效率三维模拟研究

针对目前PDP效率较低的问题,本文采用三维流体模型计算了新型荫罩式PDP(SMPDP)不同放电单元结构的放电特性和放电效率.在此基础上采用蒙特卡罗模型,研究了SMPDP放电单元中的光子辐射和捕获过程,给出了达到荧光粉层上的光子情况.研究了SMPDP结构电极宽度和位置以及气压和气体成分对放电效率的影响.设计了一种具有较高效率的荫罩式PDP结构,并提出了提高SMPDP效率的方法.     

各种结构等离子体显示屏放电过程的研究

采用放大单元的方法研究了表面放电结构、对向放电结构和新型荫罩式等离子体显示屏（SMPDP）的放电过程。分别制作了放大倍数为40的表面放电结构、对向放电结构和荫罩式结构PDP的放大单元。建立了放大单元的光辐射特性测试系统，采用高速ICCD拍摄了相应结构的放电过程并分析研究了各自的放电特性。结果表明，SMPDP的放电过程为非均匀场中的对向放电过程，具有较表面放电结构和对向放电结构更优越的放电性能。     

SMPDP放电单元中荧光粉层对放电特性的影响

本文采用流体模型 ,计算了新型荫罩式PDP(SMPDP)放电单元的放电特性。研究了放电单元中荧光粉层的厚度对放电过程和着火电压的影响。模拟结果表明 ,在SMPDP结构中 ,荧光粉层厚度的变化 ,对放电过程的影响小于通常的表面放电型PDP(ACCPDP)。最低着火电压随荧光粉层厚度的不同变化较小。因此 ,SMPDP结构中 ,荧光粉层涂敷的不均匀性对放电均匀性的影响小于ACCPDP结构