一类具有椭球误差的多无线性模型参数的Bayes估计

本文讨论下列线性模型Ｙｍ×ｎ＝βｍ×ｐＸｐ×ｎ＼＋βｍ×ｎ其中ε服从一类特殊的矩阵椭球分布，特征矩阵为。给出了在Σ＞０已知；Ｖ＞０，已知，Σ＝σ２Ｉｎ，σ２＞０未知；Ｖ＞０未知三种情形下参数矩阵β的Ｂａｙｅｓ估计。     

扩展增长曲线模型中协差阵的最小模估计问题

考虑扩展增长曲线模型Ｙ＝Σ＾（ｍ，ｉ＝１）ＸｉｂＩＺ’ｉ＋Ｕε其中Ｘｉ，Ｚｉ，Ｕ均为已知矩阵，Ｒ（Ｚ１）∩←…∩←Ｒ（Ｚｍ），Ｂｉ是回归系数国，Ｙ＝（ｙ（１），…，（ｙ（ｎ））‘和ε＝（ε（１），…，ε（ｓ）’分别是ｎ×ｐ观测资料矩阵和ｓ×ｐ随机误差矩阵。     

多元线性超结构关系模型参数估计的大样本性质

讨论了如下线性超结构关系模型βｘｋ＋α＝０，ζｋ＝ｘｋ＋εｋｋ＝１，２，．．．ｎ，（εｋ，ｋ＝１，２，．．．ｎ）ｉ，ｉ，ｄ，Ｅ（ε１）＝０，Ｖａｒ（ε１）＝σ＾Ｉｍ其中（ｘｋ，ｋ＝１，２，．．．．，ｎ）为相互独立的ｍ维ｒ．ｖ．列，且和随机误差（ε，ｋ＝１，２，．．．．，ｎ）相互独立，在一定条件下，证明了ＬＳ估计量β，α，σ＾２的强相合性，唯一性，并给出了估计量的一类ａ．ｓ．收敛速度０（ｎ＾－１／２     

MB26合金超塑性的研究

研究了新型高强度镁合金ＭＢ２６超塑性拉伸、压缩的变形行为。结果表明，热挤压态ＭＢ２６合金不经过任何预处理即具有很好的超塑性。超塑性拉抻时，在４００℃、ε０＝１．１７×１０＾－２ｓ＾－１的变形条件下δ＝１４５０％，σ＝８．７ＭＰａ，ｍ值为０．６；超塑性压缩时，在４００℃、ε０＝８．３×１０＾３ｓ＾－１变形条件下，压缩真应变ε高达２．１８以上，σ＝１８ＭＰａ，ｍ值在０．４以上。     

Styan不等式的推广

设ｘ为ｎ×１单位向量，Ａ为ｎ×ｎ正交阵，Ｓｔｙａｎ［１］证明了这里λ１和λｎ为Ａ的最大和最小特征值。本文的目的是将上式的ｘ推广为ｎ×ｐ矩阵Ｘ，即证明了，对一切满足Ｘ′Ｘ＝Ｉｐ的矩阵ｘ和正定阵Ａ这里ｎ＞２ｐ，λ１≥…≥λｎ为Ａ的特征值，ｔｒ（Ａ）表示方阵Ａ的迹。     

均值向量的线性函数估计的线性可容许性

设Ｙ＝（Ｙ１,…,Ｙｎ）＇相互独立。考虑模型｛ＥＹ＝β△↓＝（α１ｆ（θ１）,…,αｎｆ（θｎ））＇ ｃｏｖ（Ｙ）＝ｄｉａｇ（α１ｇ（θ１）,…,αｎｇ（θｎ））其中ｆ（·）、ｇ（·）是定义在（０,＋∞）上的取正值的已知函数,α＝（α１,…,αｎ）＇∈Ｒ＋＾ｎ,θ＝（θ１,…,θｎ）＇∈Ｒ＋＾ｎ均为未知参数向量。本文讨论了ｐ＇β的线性估计的线性可容许性,获得了充要条件。     

多元正态分布参数的最优同变估计

设Ｘ１,…,Ｘｎ是取自ｍ维正态总体Ｎｍ（μ,Σ）的ｉ,ｉ,ｄ子样,并且μ‘Σ＾－１μ＝Ｃ＾２,Ｃ＾２〉０已第：文中在损失函Σ＾－１,δ）＝ｔｒ「（Σ＾－１－δ）Ａ」得到了Σ＾－１的最优同变估计。     

污染数据半参数回归模型的估计方法

考虑半参数回归模型ｙｊ＝ｘｊβ＋ｇ（ｔｊ）＋εｊ，ｊ＝１，２，…，ｎ其中（ｘｊ，ｔｊ）为取值于Ｒ×［０，１］上的固定设计，β为未知参数，ｇ是定义在［０，１］上的未知函数，εｊ为随机误差，Ｅεｊ＝０，Ｅε２ｊ＝σ２１．但ｙ１，…，ｙｎ受到另一独立同分布的随机变量序列ｕ１，…，ｕｎ两种不同方式的污染，ｕｊ与ｙｊ独立．本文利用矩估计方法给出两种污染方式下β、ｇ及污染参数的估计．     

MsISIMs五嵌段镶嵌荷电膜的研制

以五嵌段聚合物ＭｓＩＳＩＭｓ为原料，ＰＰ微孔膜为基膜制备复合膜，再经化学改性而 一种新型镶嵌荷电膜，测试结果表明，该膜具有精细的微观相分离结构，由阴离子交换区域，中性区域，阳离子交换区域交替排列组成，其阴，阳离了交换区域尺寸为０．０１μｍ，十分有利于提高离子迁移效率和分离效果，该膜的膜面电阻为９．７×１０＾２Ω．ｃｍ＾２，电压渗析系数值β＝１．４×１０＾－９Ｖ／Ｐａ基膜的接触度θ＝６９°表明该膜具     

有向图2k·C‘^—及2k·C7^—的优美性

杜之豪（１９９４）中提出的猜想；在ｎ·Ｃ２ｐ＋１在ｎ∈０（ｍｏｄ２）时是优美图，证明了当ｐ＝２，３时为真。     

Nb,Ti微合金钢热变形的动态模拟变形抗力模型

本报道Ｎｂ，Ｔｉ微合金钢的热变形动态模拟变形抗力模型。在试验中用热加工模拟试验机进行高温压缩试验，其变形温度为１１２３－１４２３Ｋ，变形速率为０．１－６０ｓ＾－１。结果表明，在峰值以前该钢种的流变应力数学模型为：σ＝５．９９．ε＾０．１６７·ε＾（６．４７×１０＾－５·Ｔ）·ｅｘｐ（４０６４／Ｔ）。形变激活能（Ｑ）为４４４ｋｊ／ｍｏｌ，０β系数为０．０８０。峰值应力（σｐ），临界应变（εｃ）和…     

一氧化碳和苯乙烯交替共聚物的合成与表征

利用乙酸钯和２，２′－联吡啶组成的催化剂体系催化一氧化碳和苯乙烯交替共聚合成出聚（１－氧代－２－苯基丙撑）（ＳＴＣＯ）。采用ＩＲ、ＮＭＲ、元素分析以及广角Ｘ光散射对该聚合物以表征。该共聚物晶体为单斜晶胞，晶胞参数为ａ＝１５．７×１０－１０ｍ，ｂ＝６．１７×１０－１０ｍ，ｃ＝７．４５×１０－１０ｍ，α＝９０．０°，β＝１０４．３°，γ＝９０．０°；晶胞体积为６９７．２×１０－３０ｍ３；空间点群为Ｐ２１／ｃ。此外，对该共聚物热降解进行了初步研究。     

RF等离子体CVD合成氮化碳薄膜的XPS研究

采用射频等离子体化学气相沉积技术合成氮化碳薄膜，测量其Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），获得两组Ｃ（１ｓ）电子和Ｎ（ｌｓ）电子结合能，它们是Ｅ（Ｃ＾１）＝３９８．０￣３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｃ＾２）＝２８４．６￣２８４．８ｅＶ；Ｅ（Ｎ＾１）＝３９８。０￣３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｎ＾２）＝４００．０￣４００．９ｅＶ。证实了薄膜中碳原子存在ｓｐ＾３杂化轨道成键和ｓｐ＾２杂化轨道成键两种键合形式。该方法合成的氮化碳薄     

腐蚀磨损数学模型

测试了化学镀Ｎｉ－Ｐ合金静腐蚀、动腐蚀和腐蚀磨损试验结果。通过对试验结果的处理，建立了动腐蚀速率和腐蚀磨损速率与冲击速度Ｖ、介质浓度Ｃ的数学模型：Ｖ＝Ｋ１Ｖ＾ｎ１＋Ｋ２Ｖ＾ｎ２Ｃ＾ａ（ａ＝Ｋ３Ｖ＾ｎ３）。建立了腐蚀磨损速率Ｖｗｃ与纯磨损速率Ｖｗｏ、纯腐蚀速率Ｖｐｃ及动腐蚀速率Ｖｏｃ之间数学模型：Ｖｗｃ＝Ｖｗｏ＋Ｖｐｃ＋ＫｗｃＶｗｏ，Ｖｐｃ＝Ｖｗｏ＋（１＋Ｋｗ）Ｖｏｃ＋Ｋｗｃ（１＋Ｋｗ）ＶｗｃＶｏｃ     

球面上极小超曲面的Laplacian谱特征

研究了单位球面Ｓ＾ｎ＋１中Ｃｌｉｆｆｏｒｄ极小超曲面Ｍｍ，ｎ－ｍ及常平均曲率超曲面Ｓ＾ｎ－１（ｒ）×Ｓ＾１（√１－ｒ＾２的谱特征，证明了超果Ｓ＾ｎ＋１中极小超曲面的满足适当条件的二组谱集和Ｍｍ，ｎ－ｍ的二维谱集相同，则该超曲面必是ｍ，ｎ－ｍ。如果Ｓ＾ｎ＋１中的常平均曲率超曲面的三组满足条件的谱集和Ｓ＾ｎ－１（ｒ）×Ｓ＾１（√１－ｒ＾２）的三组谱集相同，则该超曲面必是Ｓ＾ｎ－１（ｒ）×Ｓ＾１（√１－     

立方A^4＋M^5＋2O7型化合物与新型负热膨胀材料

概述了立方Ａ＾４＋Ｍ＾５＋２Ｏ７型化合物的结构特点，讨论了ＡＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ａ＝Ｚｒ或Ｈｆ；ｘ＝０．１～１．２）及其部分取代的Ａ＾４＋１－ｙＢ＾４＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｂ＝Ｔｉ，Ｃｅ，Ｔｈ，Ｕ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｇｅ或Ｓｉ；ｙ＝０．１～０．４）和Ａ＾４＋１－ｙＣ＾１＋ｙＤ＾３＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｃ为碱金属元素，Ｄ为稀土金属元素）材料的负热膨胀性能。     

N×N二维DFT的多项式变换算法及其并行算法（N=2^t·3^s）

详细讨论了Ｎ×Ｎ二维ＤＦＴ的多项式变换及其并行算法，这里Ｎ＝２ｔ·３ｓ，将这种算法推广到Ｎ＝ｐ１＾ｔ·ｐ＾２＾ｓ的情形（ｐ１，ｐ２为互异素数）。与通常的行列算法比较，本文算法乘法量减少约５０％，加法量略有增加。     

国产金属有机化合物TMGa,TMAl,TMIn和TMSb的MOVPE鉴定

利用我们研制的常压ＭＯＶＰＥ设备对国产ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ进行了鉴定，为此分别生长了ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ外延层和ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ／ＩｎＧａＳｂ超晶格和ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构。表征材料纯度的７７Ｋ载流予迁移率分别达到ＧａＡｓ：μ＿ｎ＝５６６００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，Ａｌ＿（０．２５）Ｇａ＿（０．７５）Ａｓ：μ＿ｎ＝５１６０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＩｎＰ：μ＿ｎ＝６５３００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＧａＳｂ：μ＿ｐ＝５０７６ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。由１０个周期的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶Ｘ射线回摆曲线上高达±２０级的卫星峰。ＧａＡｓ／Ａｌ＿（０．３５）Ｇａ＿（０．６５）Ａｓ量子阱最小阱宽为１０，在ｌｉＫ下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为３９０ｍｅＶ，其线宽为１２ｍｅＶ。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。     

热处理对Ti_3Al－Nb合金显微组织与拉伸性能的影响

研究了Ｔｉ３Ａｌ－Ｎｂ合金（Ｔｉ－２４Ａｌ－１４Ｎｂ－３Ｖ－０．５Ｍｏ）在不同固溶温度，不同冷却速度以及时效条件下的显微组织与性能之间的关系，结果表明，Ｔｉ３Ａｌ－Ｎｂ合金冷轧板材经α２＋β两相区固溶（９４０℃～１１００℃×１ｈ）水淬处理，其显微组织由初生α２相、β２相和“０”相组成。随着固溶温度的升高，初生α２相逐渐减少，室温力学性能σｂ、σ０．２和δ均相应提高，当初生α２相约为３０％时，可以使合金获得良好的综合性能：σｂ＝９８４，５Ｍｐａ，σ０．２＝７８５．５ＭＰａ，δ＝５．９％。当固溶温度继续升高时，上述性能开始下降。     

等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AIN薄膜的低温生长

使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）基片上已经成功地低温制备出ＡＩＮ多晶膜。实验表明,当脉冲能量密度ＤＥ＝１．０Ｊ·ｃｍ＾－２,脉冲频率ｆ＝５Ｈｚ,氮气气压ＰＮ２＝１．３３×１０＾４Ｐａ,基底温度ｔｓｕｂ＝２００℃,放电电压Ｖ＝６５０,基靶距离ｄｓ－Ｔ＝４ｃｍ时薄膜的生长速度等于６ｎｍ／ｍｉｎ。ＡＩＮ薄膜的折射率为２．０５,和基底的取向关系分别为：ＡＩＮ