第三代半导体材料发展前景分析

半导体材料为现代科技的发展提供了强大助力,同时它的发展也推动了世界工业和产业的发展,极大地提升了社会的生产力。今天,第三代半导体材料的研发受到了世界各国政府、企业的高度重视。本文将结合半导体材料的发展历程,研究第三代半导体材料的特性、国内外研发趋势、现存问题,为第三代半导体材料发展提供改进对策,为第三代半导体材料发展前景提供参考。     

双碳目标下宁波市第三代半导体产业发展策略研究

我国在应对全球气候变化的会议中提出“碳达峰”和“碳中和”的目标。因第三代半导体在材料应用领域具备优良的性能,能够在降低能量损失和减小装备体积方面发挥较为明显的优势。为了进一步分析第三代半导体材料在宁波市半导体产业领域的应用,文章基于第三代半导体的材料优势以及宁波市第三代半导体的行业现状,分析了宁波市第三代半导体产业发展对双碳目标的影响。宁波市第三代半导体材料产业的发展研究对于改善我国的生态结构产业布局、促进社会产业科技的变革,支撑碳达峰、碳中和的目标实现和促进宁波市经济的发展具有重大的意义。     

光纤技术及其应用展望

作为第三代激光技术的光纤激光器由于采用了双包层分叉光纤和高功率的多模半导体二极管为泵源,输出功率已经实现50KW。应用范围已突破狭窄的光纤通讯网络,在激光加工、激光医疗等行业得以日益广泛的应用。     

基于第三代照明半导体氧化铝陶瓷基PCB关键技术研究

LED半导体照明以节能、环保及光亮度更高,将逐渐替代其它普通节能灯,成为未来照明的发展趋势。文章通过第三代照明半导体氧化铝陶瓷基PCB的激光打孔技术、氧化铝陶瓷基与FR4混压技术、流胶及对位精度控制技术、氧化铝陶瓷基与FR4混压翘曲控制技术、板裂控制技术等关键技术研究,找到适合第三代照明半导体氧化铝陶瓷基PCB的制作方法,解决了氧化铝陶瓷制作过程中崩孔、板裂、翘曲等问题,完成了第三代照明半导体氧化铝陶瓷基PCB制作。     

碳化硅单晶切割技术研究

碳化硅单晶材料是第三代宽禁带半导体材料的代表,对电子产业的发展起到强有力的支撑。晶片加工技术是器件生产的重要基础和基本保证,任何具有优异特性的材料只有在成功有效的加工技术下才能发挥实际效能。本文介绍了切割工艺,通过工艺实验及对实验结果的分析,确定了切割工艺参数。     

SiC及其功率器件的激光制孔研究进展

SiC作为第三代半导体材料的典型代表,因具有优异的物化性能,在功率器件领域具有极大的应用前景.文章简要介绍了激光制孔的基本原理,综述了 SiC的长脉冲与超短脉冲激光制孔研究进展,对比了长脉冲与超短脉冲激光的加工特点,分析了不同脉冲宽度下SiC的制孔效果.同时,介绍了 GaN/SiC,AlGaN/GaN/SiC等SiC功率器件的激光制孔研究现状.最后,指出了 SiC及其功率器件激光制孔面临的挑战,并展望了未来的发展方向.     

毫米波化合物半导体材料研究进展

毫米波集成电路成为毫米波系统应用中必不可少的核心技术,化合物半导体材料砷化镓、磷化铟无疑在毫米波集成电路制造中占据重要地位,继砷化镓、磷化铟占据毫米波芯片衬底材料主流之后,以氮化镓材料为代表的第三代半导体材料逐渐成为目前国际毫米波芯片制造的材料研究热点。本文对以砷化镓、磷化铟、氮化镓为代表的毫米波化合物半导体材料技术及其发展,进行了总结与展望。     

宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望

碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料.文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景.同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望.     

用于激光加工的激光器及其特点

激光最大的应用领域之一是材料加工，激光器已把自己确立为一种不可缺少的工业工具。ＣＯ２、Ｎｄ：ＹＡＧ和准分子激光器是当前用于材料加工的三种主要的激光器。半导体激光技术的迅速发展使得二极管激光器、二极管泵浦全固体化激光器、光纤激光器和超短脉冲激光器在工业应用中有了光明的前景。     

激光微纳制造在传感领域中的应用

物联网和可穿戴器件的快速发展对传感器的制备和性能提出了更高的要求。由于加工速度快、精度高、可控性强、易集成、与材料兼容性高等优点,激光微纳制造已逐渐成为一种流行的材料制备和器件加工技术。通过激光诱导加热、反应和分离这三种激光加工方式实现了对不同材料的激光处理,这为传感器的制备奠定了基础。近年来,研究人员利用激光微纳加工技术制备了应用于紫外线、气体、湿度、温度、应变/应力、生物、环境等信号监测的不同传感器。总结和归纳了目前存在的问题,展望了激光微纳制造在传感领域中的发展方向。希望文中对激光微纳制造应用于传感领域的介绍和总结能够为未来的研究和发展提供思路和参考。     

电子科学技术中的半导体材料发展趋势

电子科学技术当今渗透于我们生活中的各个领域,它引领着当前新兴技术产业的发展脚步,作为电子科学技术发展基石的半导体材料迭代发展,它决定了当今电子工业产业的走势.从第一代半导体材料硅、锗等代表性半导体材料的发展到当今碳化硅、氮化镓、氧化锌等第三代半导体材料的深入研究,它们都遵循着半导体材料朝着高集成度、低特征尺寸、更宽的禁带宽度等方向进行发展.     

化合物半导体特性及封装工艺控制

当今世界信息化进程日新月异,化合物半导体由于它独特的特性而得到快速的发展,已成为现代信息技术的基础材料。本文详细阐述了半导体材料发展历程、分类,第二代、第三代化合物半导体特性及封装工艺控制。讨论对比了不同化合物半导体材料差异与性能优缺点、应用领域和发展前景。从环保安全、工艺应用、工艺控制、封装材料选用等方面总结了化合物半导体封装工艺控制的关键要求。     

Si基GaN功率器件的发展态势

宽禁带半导体材料GaN作为第三代半导体材料具有传统半导体材料所不具备的优异性能,在高频、高压、高温和大功率器件领域具有重要的应用。介绍了硅基GaN(GaN-on-Si)器件提高性能的技术路线,以及与之相关的材料集成技术。     

半导体晶圆激光切割新技术

激光切割半导体晶圆具有切槽窄、非接触式加工和加工速度快等特点,但仍然存在材料重凝、热影响区较大和易产生裂纹等问题。为了解决这些问题,分析了问题的成因,并分别从激光器、光学系统和加工介质3个方面详细介绍了一些新型半导体晶圆激光切割技术,阐述其基本原理,分析其优缺点及主要应用和研究领域,为进一步研究和工业化应用提供了技术参考。     

激光束与半导体材料相互作用机理的研究

讨论了半导体材料四种类型的激光吸收机理,着重研讨了半导体材料激光微细加工中常用的低强度激光辐照下材料表面的光能吸收机制。介绍了一种有效的实验研究方法。     

固态微波电子学的新进展

固态微波电子学是现代电子学的重要分支之一,其基础材料已由第一代半导体Si和Ge、第二代半导体GaAs和InP,发展到第三代半导体GaN和SiC,石墨烯和金刚石等C基新材料正在进行探索性的研究,其加工工艺的尺寸也已进入纳米尺度,其工作频率已达到1 THz,应用的频率可覆盖微波毫米波到太赫兹.目前固态微波电子学呈多代半导体材料和器件共同发展的格局.综述了具有代表性的1 1类固态器件(RF CMOS,SiGe BiCMOS,RF LDMOS,RF MEMS,GaAs PHEMT,GaAs MHEMT,InP HEMT,InP HBT,GaN/SiC HEMT,GFET和金刚石FET)近几年的最新研究进展,详细介绍了有关固态微波电子学的应用需求、技术特点、设计拓扑、关键技术突破和测试结果,分析了当前固态微波电子学总的发展趋势和11类固态微波器件的发展特点和定位.最后介绍了采用3D异构集成技术的射频微系统的最新进展,指出射频微系统是发展下一代射频系统的关键技术.     

锑化物半导体材料与器件应用研究进展

窄禁带的锑化物半导体材料近年来被国际上公认为第三代超高速、超低功耗集成电路和第三代焦平面阵列红外探测器的首选材料体系.概述了它们独特的能带结构和物理特性及其为各种新型功能器件的研发提供的极大发展空间,指出该材料成为美国、日本、德国、以色列等发达国家竞相开展研究的热点领域.概要介绍了锑化物半导体材料的制备工艺、存在的问题和器件应用的一些最新成果,给出了今后该领域的发展趋势.     

激光微加工技术辅助制造

在以前的一系列文章中探讨了激光技术辅助半导体制造的许多方面,如光刻、计量、晶片测试和检查,以及电路修复．由于半导体工业进一步向小型化方向发展,因而半导体加工中仍将继续采用激光装置来制作许多商品中的集成电路（IC）．采用传统方式的加工技术,如打孔、焊接和切割,都必须加以小型化以便能加工基片或晶片上的电路．机械切削、打孔、焊枪及锯子等并不能在很小的工件上运用．本文探讨采用激光替代这些加工工艺时三个方面的应用：制造柔性电路（flexiblcircuits）时材料切除、焊接和打孔。1柔性电路柔性印刷电路是印刷电路板与连…     

中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部产品推介

<正>中国电子科技集团公司第十三研究所从事半导体光电器件研制与生产30余年,拥有一条国际先进水平的工艺线,涵盖材料外延、圆片加工和器件封装等全套工艺,主要产品有大功率半导体激光器、高速半导体激光器和高速探测器。其中大功率激光器代表产品有连续/准连续阵列激光器、高亮度光纤耦合激光器和窄脉冲激光器,应用于固态激光器泵浦、光纤激光器泵浦和激光雷达等领域;高速激光器和探测器代     

中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部产品推介

<正>中国电子科技集团公司第十三研究所从事半导体光电器件研制与生产30余年,拥有一条国际先进水平的工艺线,涵盖材料外延、圆片加工和器件封装等全套工艺,主要产品有大功率半导体激光器、高速半导体激光器和高速探测器。其中大功率激光器代表产品有连续/准连续阵列激光器、高亮度光纤耦合激光器和窄脉冲激光器,应用于固态激光器泵浦、光纤激光器泵浦和激光雷达等领域;高速激光器和探测器代