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原集成电路 型号可代换型号功能代号封装代号AMll988LM8360,LM8361,LM8362,MHZ7317B.TMS1943,TMS1951NL,LM8368,LM5402,TMS1944M55501.MM5387AMM5387AN,HA38991A,LM89363D③D(子0400拜PC5530,5G5544H,IHSS44H,SM5544H,M3272B①KD4836220,7910,SVM553O,SVM5535C②HA38991A见AMll988D③HD438968G4,LC765o,LC7651.MN6252,拜PD1958C,拼PD1960C,卜PD196lCA①LM5512LM5512F.STP5512,5M5512.SM5511A①LM5512FLM5512,STP5512,SM5512,SM5511A①LHSO93IC5547,MSM5093RSB①LC5547LH5093,MSMSO9…  相似文献   

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~~中外模拟集成电路产品互换对照表@郝鸿安~~  相似文献   

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该文针对航空国产大规模数字集成电路缺乏应用验证的现状,描述了验证总思路、流程、相关的关键技术和验证内容.对国产大规模集成电路的航空综合应用验证和航空装备的国产自主可控发展具有指导作用.  相似文献   

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窗外泛缓公共通道扫描通道亮度、色度处理中央处理器KG一4701、4702、4703、4706(47em)东芝TA7680东芝TA7698三菱M50436一560SPKG一5 106一5116(51em)东芝TA7680东芝TA7698三菱M50436一560SPKG一5 186一2、5186一3(51em)东芝TA7680东芝TA7698三菱M50436一560SPKG一2 156(54em)东芝TA7680东芝TA7698三菱M50436一560SPKG一5401、5406、5416、5426、5436、 5446(54em)东芝TA7680东芝TA7698三菱M50436一560SPKG一6409(64em)KG一2909(74em)东芝TA7680东芝TA8759AN松下MN15287KWEBKG一6401(64em)三菱MS 1496P东芝TA87…  相似文献   

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Hitachi公司的HN29V25611ABP-50是一种256Mb“与”型闪速存储器。它是采用0.18μm工艺制造的。这种高密度闪速存储器采用11.26×9.22mm的72脚CSP封装,其安装面积要比TSOP封装减少57%。  相似文献   

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面积仅15×15毫米的浮点DSP Analog Devices的SHARC系列32位数字信号处理器(DSP)又添新成员:ADSP-21065L SHARC DSP。该产品价格低廉,体积更小、性能更高,并完全符合业界规格。 ADSP 21065L采用196脚小型BGA封装,面积仅15×15毫米,并具有多项独特性能,例如能以高性能专利多处理电路和片上SDRAM接口同样地处理定点或浮点数据,奠定了SHARC在通讯、汽车、音频和生物统计学等应用领域上的技术领先地位。客户可利用这些优点开发出多功能,高性能、低成本电子数字产品。  相似文献   

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可降低系统成本的μC 飞利浦半导体公司的87LPC768 8位μC是80C51型μC的衍生产品,它的特点是有4K字节OTP存储器和128字节RAM。其PWM的输出分辨率能被配置成任何位数的应用,最多可配置到10位。采用20脚PDIP和SOIC封装。传真:(886)2-2134 2941网址:www.semiconductors.philips.com  相似文献   

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王德沅 《电子技术》1990,17(3):44-46
原用集成电路型号可直接代换的集成电路型号国内产品生产厂电路类别国外产品国内产品8P204TA7613P、TDA1083、ULN加04ABGDZ芯04、BH习2042,14,工5,16,17G8到7峨义旧1TBA820L,MCE820D820,F能205,]9,20B另N76伪3ND’8N76013ND8入76013ND8入76(Xi3双DD日T狡433分TK433一1058TK433一了‘,5,S,PK433叱sTK43子劝5的工作温度达]05OC)BBTK4358TK435一1058TK435一105,STK435C工05含义同上)B STK44i 日TK44卜105STK弓41)勺5,日TK4,1(l05含义同.上)B日TK4佣3Brl,K4O盆5STK40习5(P0~邵W),STK婆O习3(尸。一20W)I考…  相似文献   

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本文提出了一种为减少动态大扇入门电路的能量和延迟的新颖技术,其基本思想是通过先对一个小的空电容充电,然后在栅极输出放电从而产生一个低摆动输出信号,通过采用电荷共享的原理,可在栅极产生一个低摆动输出。这种摆动可以用一个感应放大器检测并存储至 CMOS 中。模拟结果显示,与传统方法相比有2到4倍的能量节省和3.6倍的速度提高。文中还给出了采用该方法设计的32×32翻译后援缓冲器(TLB)的设计。参5  相似文献   

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Y2000-62150-351 0012739行为/现场可编程序门阵列=Session 12C:behavioral/FPGA[会,英]//Proceedings of the Asia and South Pa-cific Design Automation Conference 1999(ASP-DAC'99).—351~366(PC)本部分收录4篇论文。题名为:支援基于仿真的设计 HDL 调试用的多级现场可编程序门阵列(FPGA)合成法,多目标数据流图优化用的基于遗传算法的方法,采用典型表示的置换用的快速布尔匹配和符号模型检验用的同步 VHDL 设计的有限状态机(FSM)模拟。  相似文献   

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Y99-61516-266 9913169混合静态和多米诺逻辑电路的定时最佳化=Timingoptimization of mixed static and domino logic[会,英]/Zhao,M.& Sapatnekar,S.S.//1998 IEEE Interna-tional Symposium on Circuits and Systems,Vol.6 of6.—266~269(V  相似文献   

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Y98-61351-1001 9905885数字 VLSI 系统的重新设计工艺的研究=Developmentof redesign process for digital VLSI system[会,英]/Wey,C.-L.//1997 IEEE 40th Midwest Symposium onCircuits and Systems,Vol.2.—1001~1004(HG)Y98-61351-1005 9905886VLSI 数字电路的设计误差诊断和校正=Design errordiagnosis and correction in VLSI digital circuits[会,英]/Veneris,A.G.& Hajj,I.N.//1997 IEEE 40th Mid-west Symposium on Circuits and Systems,Vol.2.—1005~1008(HG)  相似文献   

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Y98-61460-92 9915112互补金属氧化物半导体数字剂量计=Digital CMOSdosimeters[会,英]/Garcia-Moreno,E.//1998 IEEE2nd International Caracas Conference on Devices.Cir-cuits and Systems.—92~97(YG)研究了几种辐射剂量计,这些剂量计用作对集成电路中因辐射泄漏导致的工作失常危险进行量化的嵌入式传感器,它们是与运用 PMOSFET 传感器的传统技术相匹配的。文中主要讲了两种类型的传感器:第一种叫门限剂量计,当辐射总剂量超过预定值时,它的二进制输出就会改变其状态;另一个是一种新的嵌入式剂量计,依辐射剂量而改变频率。还给出了它们的工作特性,电路结构及实验结果细节。参8  相似文献   

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王德沅 《电子技术》1990,17(4):43-45
原用集成电路型号可直接代换的集成电路型号国内产品 生产厂电路类型国外产品国内产品TCA94OTCAg生OETCAg盛o,TCA94o皿两者散热片不同1术TDAIOIOATDA1011TDA10llATDA1010A,TDA1011,TDA10llABTDA1037TDA1037D王037为单功放,1037D为双功放BTDA1083HAI习402,TA7613P,ULN公乞04A6GD习习04,BH习名()4,『82204,8L2习04习,14,15,16,17,19,习26TDAI习名0TDA72习O义G加习0,FS122019,20CTDA151习TDA1512QTDA151习,TDA15]‘艺Q, 两者引脚外形不同BTDA1904TDA1905,P。~SW,有静噪功能BTDA1905TDA19O4,P。~…  相似文献   

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