IRCCD微透镜阵列的计算机模拟设计与分析

本文从理论上分析了用于红外电荷耦合器件（ＩＲＣＣＤ）的微透镜成像的机理，采用光线追迹法建立了微透镜阵列的数学模型和设计方法，并针对１２８×１２８元ＰｔＳｉ－ＩＲＣＣＤ进行了计算机模拟设计，研究了结果表明，采用微透镜阵列可使ＩＲＣＣＤ的填充因子达到１００％。     

高性能PtSi凝视红外焦平面列阵的研究与进展

本文叙述了国内外ＰｔＳｉ凝视红外焦平面列阵（ＦＰＡ）的研究发展状况。详细介绍了提高ＰｔＳｉ肖特基势垒探测器（ＳＢＤ）灵敏度的研究工作。这些ＳＢＤ工作温度约为８０Ｋ，应用于中红外波段（３～５μｍ）。象素数达５１２×５１２，１０２４×１０２４的凝视列阵已见报道。ＰｔＳｉＳＢＤＦＰＡ能在３００Ｋ实现热成象，其噪声等效温差（ＮＥａｒ）达到０．０３Ｋ。文中还介绍了我国研制的１２８×１２８元，２５６×２５６元ＰｔＳｉ凝视红外焦平面，并讨论了凝视ＦＰＡ的设计选择，最后对其特性进行了简要总结。     

凝视PtSi红外焦平面列阵的结构和性能

ＰｔＳｉ红外焦平面列阵的结构设计，必须有利于提高器件的性能参数。ＩＴＣＣＤ（内线转移电荷耦合器件）是迄今ＰｔＳｉ ＦＰＡ用得最多的读出结构，采用隔行扫描特点，对小象元尺寸，填充系数很难提高。而缩小象元尺寸，增大填充系数是大型凝视ＰｔＳｉ ＦＰＡ的发展方向和必由之路，为此，近年来国外采用了一些新的器件结构，如ＣＳＰ、ＬＡＣＡ、ＭＯＳ、ＤＳＩ、硅圆柱透镜列阵、混合式结构等，研制成了高性能的大型凝视Ｐｔ     

1.52μm红外光电探测器

利用ＰｔＳｉ与Ｐ－Ｓｉ接触，研制成功肖特基势垒红对光电探测器（简称ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ）。在液氮温度（７７Ｋ）下，对１．５２μｍ红外光，它的灵敏度为２．６９×１０－２Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％，反偏４Ｖ时的漏电流为５×１０－５μＡ。此外，对ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ的量子效率进行了计算机模拟计算。     

Rt／Si 快速热退火固相反应制备超薄PtSi薄膜

对Ｐｔ／Ｓｉ快速热退火固相反庆形成超薄ＰｔＳｉ薄膜进行研究。溅射Ｐｔ薄膜的厚度在５－－２０ｍｍ之间，用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＳＥＭ等分析测试手段对固相反应ＰｔＳｉ薄膜的结构特性进行观测，并对ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明，５５０－－６００快速退火有利于Ｐｔ／Ｓｉ反应形成性能优良的ＰｔＳｉ／Ｓｉ肖特基热垒接触。     

国内制成高分辨率线阵PtSi红外CCD

国内制成高分辨率线阵ＰｔＳｉ红外ＣＣＤ目前国内线阵位数最多的红外ＣＣＤ探测器──ＧＺ６１５１Ｃ型１０２４位扫描型线阵ＰｔＳｉ红外ＣＣＤ，于１９９３年９月在电子部４４所研制成功，并顺利地通过了产品设计定型鉴定。硅肖特基势垒红外焦平面列阵具有一系列独特的...     

Pt／Si快速热退火固相反应制备超薄PtSi薄膜

对Ｐｔ／Ｓｉ快速热退火固相反应形成超薄ＰｔＳｉ薄膜进行研究。溅射Ｐｔ薄膜的厚度在５～２０ｎｍ之间，用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＳＥＭ等分析测试手段对固相反应Ｐｔｓｉ薄膜的结构特性进行观测，并对ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明，５５０～６００℃快速返火有利于Ｐｔ／Ｓｉ反应形成性能优良的ＰｔＳｉ／Ｓｉ肖特基势垒接触。     

77K杜瓦瓶制冷铂硅线列红外CCD探测器组件

７７Ｋ杜瓦瓶制冷铂硅线列红外ＣＣＤ探测器组件何剑（电子工业部第四十四所重庆永川６３２１６３）本组件由１０２４位ＰｔＳｉ肖特基势垒线阵ＣＣＤ、杜瓦瓶和二次集成的ＣＣＤ外围驱动电路组成。它的研制成功，填补了国内空白，缩短了与国外的差距。本文介绍了ＰｔＳｉ...     

Pt／Si界面反应与肖特基势垒形成的研究

利用俄歇电子能谱，二次离子质谱，深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和Ｃ－Ｖ法等测量方法，详细研究了Ｐｔ／Ｓｉ和Ｐｔ硅化物／Ｓｉ界面的反应性质，原子结构及杂质／缺陷的分布，讨论了它们对肖特基势垒的形成，势垒特发生和势垒高度的影响。     

硅化物形成条的条件对Pt硅化物／硅势垒的影响

利用俄歇电子能谱，深能化瞬态谱，及Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ两种电学测量方法对ＰｔＳｉ－Ｎ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／Ｐ－Ｓｉ两种肖特基势垒的形成条件与势垒度之间的关系进行了详细研究。从理论上分析了在退火过程中引入的影响肖特基势垒特性的各种因素，同时指出了获得理想肖特基势垒的退火条件。     

PtSi／Si整流接触的研究

本文对是ＰｔＳｉ／Ｓｉ整流特性的接触进行了详细研究，并试制成功ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ两种用途不同的肖特基势垒二极管。     

PtSi红外图像传感器与热像仪

叙述了ＰｔＳｉ肖特基势垒红外图像传感器的性能，评述了国内外ＰｔＳｉ红外图像传感器的发展，介绍了ＰｔＳｉ热像仪的应用及其市场。     

微透镜阵列的计算机模拟设计

从理论上分析了用于１２８×１２８ＰｔΑＳｉＩＲＣＣＤ的微透镜成象机理，采用光线追迹法建立发微透镜阵列的数学模型和设计方法，并探讨了微透镜阵列折射率与填充系数的关系，主透镜的Ｆ数与衬底厚度的关系，使用计算机模拟设计得出了微透镜阵列的最佳尺寸。     

使用CMOS读出装置的红外焦平面阵列

本文着重介绍使用ＣＭＯＳ多种传输器读出装置的ＨｇＣｄＴｅ，ＩｎＳｎ，ＰｔＳｉ，ＰｂＳｅ，ＰｂＴｅ和ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子阱中波，长波红外焦平面阵列的现状及性能参数。     

硅基异质结光电探测器用材料的应用研究进展

综述当前ＧｅＳｉ／Ｓｉ、ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ、ＨｇＣｄＴｅ、ＰｔＳｉ和ＧａＮ光电探测器用材料的工作原理、特点、研究现状及发展趋势。以新型薄膜外延技术－分子束外延制备的ＧｅＳｉ／Ｓｉ等人工超晶格材料倍受关注,硅基异质子阱材料成为新一代光电探测材料的发展方向。     

PtSi／P—Si红外探测器的优化设计与制作

本文对ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ红外探测器的结构进行了优化设计，并研制成功性能优良的器件。反向击穿电压达１８０Ｖ。在７７Ｋ下，反偏４Ｖ的漏电为５×１０－６μＡ，对１．５２μｍ的红外光，量子效率为２．４％。     

PtSi红外摄像机

本文介绍了ＰｔＳｉ红外摄像机及市场，叙述了ＰｔＳｉ红外摄像机在军事、民用热成像和天文上的应用。     

PtSi探测器的长波红外工作

通过使用分子束外延生长技术在ＰｔＳｉ／Ｓｉ界面上加进一足够薄的高掺杂浓度峰，可使ＰｔＳｉ肖特基红外探测器的截止波长延伸至长波红外范围。     

PtSi红外焦平面列阵研究的新进展

评述了ＰｔＳｉ消特基势势垒红外焦平面列阵的的研究进展。近年来，国外采用一些新的器件结构，制成了高性能的大型凝视ＰｔＳｉ红外焦平面列阵。     

128×128元IRCCD成像技术

研制成功了１２８×１２８元ＰｔｓｉＩＲＣＣＤ，获得了清晰的室温目标热像。文章叙述了该摄像机驱动逻辑电路的设计、驱动方式的研究和视频信号、数字信号的处理。