MgO/MgF2掺杂对Al2O3陶瓷烧结、显微结构及微波介电性能的影响

采用搅拌混合法和无压烧结工艺,制备了Mg2+浓度为500 ppm的MgO掺杂和MgF2掺杂的Al2O3陶瓷,系统地研究了MgO和MgF2掺杂对Al2O3陶瓷致密化、显微结构和微波介电性能的影响.研究结果表明:与MgO掺杂相比,MgF2掺杂在较高温度下能更加有效地促进Al2O3陶瓷的致密化.在1550℃烧结条件下,MgF2掺杂的Al2O3陶瓷比MgO掺杂的Al2O3陶瓷的晶粒更大,同时介电常数也更高.但另一方面,MgF2掺杂的Al2O3陶瓷介电损耗也远比MgO掺杂的Al2O3陶瓷要高.同时简单分析了造成此现象的原因.     

掺纳米Al2O3的纳米ZrO2(4Y)固体电解质的电性能

以纳米ZrO2(4Y)粉和纳米Al2O3粉为原料, 单轴成型, 1 200, 1 300 ℃无压烧结. 对掺不同质量分数(0.0～5.0%)Al2O3的ZrO2(4Y)烧结体, 用XRD, SEM和TEM研究了相组成和微观结构. 在不同温度下(300～1 000 ℃)测试了交流阻抗谱, 发现掺很少量的纳米Al2O3可降低ZrO2(4Y)的晶粒电阻. 但随着Al2O3掺入量的增加, 晶界电阻增大, 晶粒电阻也有所回升. 晶粒和晶界电导活化能则随Al2O3掺入量的变化不大. 对1 200 ℃,2 h烧结样品, 在1 000 ℃时, 掺0.5% Al2O3的ZrO2(4Y)样品有最大电导率, 为3.8×10-2Ω-1·cm-1.     

微波干燥制备Al2O3纳米粉体的研究

以AlCl3和NH3·H2O为原料,采用沉淀法制备Al2O3纳米粉体,利用XRD、TEM、DTA等分析测试手段对所得Al2O3粉体的晶相组成、粒径分布等性质进行了研究,发现微波处理10分钟后在550℃加热30分钟即可得到平均粒径小于35纳米的Al2O3纳米粉体。     

Al2O3纤维增强钛酸铝陶瓷

介绍了一种Al2O3纤维增强钛酸铝陶恣复合材料，在一定范围内随着Al2O3纤维含量的增加，复合材料的抗弯强度和断裂韧性均提高，当Al2O3纤维含量达到4.5%(体积分数）时抗弯强度和断裂韧性达到最大值，使钛酸铝基体材料分别提高近120％和75％。     

Sm2O3掺杂的Bi2O3-ZnO-Nb2O5基陶瓷的烧结特性与介电性能

用传统的固相法合成了Sm2O3掺杂的Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)基陶瓷(Bi1.5-xSmxZn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(0≤x≤0.6,BSZN),通过XRD、AV2782阻抗分析仪等测试手段对其烧结行为、相结构及介电性能进行了系统研究.结果表明纯BZN陶瓷的结构为立方焦绿石单相;当Sm2O3掺杂量较少(0＜x≤0.5)时,样品的相结构仍然保持立方焦绿石单相;随着Sm2O3掺杂量的进一步增加(x≥0.6),样品出现其它相.同时,试样的介电性能随结构的变化而呈现有规律的变化.     

Y2O3改性Al2O3陶瓷微波介电损耗研究

本文以Al2O为模型材料研究了影响材料介电损耗的因素,发现Y2O3掺杂有利于陶瓷的致密化,并能对Al2O陶瓷的微结构与晶粒尺寸起到调控作用。由于离子半径的差别,Y^3＋离子难以进入刚玉结构的间隙或发生取代置换Al^3＋抖离子形成固溶体,而是与Al2O反应生成Al5Y3O12在Y2O3掺杂改性过程中,非本征因素成为影响Y2O3陶瓷微波介电性能的主要因素,使得Al2O陶瓷微波介电损耗从8．4×10^-5增加到2．2×10^-4。     

Al2O3/YSZ离位复合及性能研究

采用水基料浆注模、凝胶离位复合法制备Al2 O3 /YSZ材料 ,工艺关键是高质量水基料浆的配制、注模和凝胶固化的物理—化学过程的控制。研究结果表明 ,Al2 O3 与YSZ几乎不固溶 ,Al2 O3 主要作为第二相存在于YSZ晶界 ,Al2 O3 可有效抑制YSZ晶粒长大 ,从而提高了YSZ的强度。     

CuO和B2O3复合掺杂对BaTi2O5陶瓷的降温烧结与电性能研究

采用非均相共沉淀法制备Ba Ti2O5粉体,以固相烧结法制备了Cu O和B2O3复合掺杂的Ba Ti2O5陶瓷,并对样品进行了XRD、SEM表征和电性能测试。结果表明:掺杂后制得的Ba Ti2O5陶瓷在1100℃烧结2 h的致密度达到96.71%,晶粒发育较完整,在室温下具有良好的铁电滞后特征,在测试频率1 KHz时,Ba Ti2O5陶瓷的介电常数为εr=71.96,说明在烧结过程中加入复合烧结助剂Cu O和B2O3可以促进液相形成并减少了气孔率,从而提高了陶瓷的致密度和介电性能。     

TiO2与SiO2掺杂对Al2O3相转变的研究

通过球磨混合法,制备TiO2、SiO2和TiO2+SiO2掺杂的Al2 O3粉体,经不同温度煅烧后进行X射线衍射(XRD)测试,比较研究这三种掺杂对Al2 O3粉体相转变温度的影响.研究结果表明,TiO2、SiO2掺杂对γ-Al2 O3向α-Al2 O3的相转变均有促进作用.在掺杂质量分数为0.5％的情况下,二者可分别...     

添加Al_2O_3对ZrO_2(Y_2O_3)粉末性能的影响

采用化学共沉淀法制备了ZrO_2(Y_2O_3)和ZrO_2(Y_2O_3)/Al_2O_3超细粉末,研究了添加Al_2O_3对粉末性能的影响.添加Al_2O_3.提高了t—ZrO_2的结晶化温度,抑制了ZrO_2晶粒生长.使ZrO_2粒子得以细化.添加Al_2O_3.还提高了介稳t—ZrO_2的稳定性,有效抑制了t—ZrO_2→m-ZrO_2相变.Al_2O_3添加量超过20wt%时.粉末烧结活性降低,烧结温度提高.     

Y_2O_3液相掺杂ZrO_2粉体的制备及其特性

用一种新的液相掺杂技术制备Y2 O3 掺杂的ZrO2 纳米粉体 .在水 -乙醇溶剂中 ,干燥由硝酸铝、硝酸钇和单斜相氧化锆粉体组成的悬浮液 ,然后在 6 0 0℃热分解 ,可以制备出粒度小于 10 0nm的Y2 O3 掺杂单斜相ZrO2 粉体 .这种粉体可以在 0 .1Pa的真空中 ,经 14 5 0℃热压烧结成致密化Y -TZP材料 .此材料的断裂韧性 (KⅠc)为 9.9MPa·m1 /2 ,Vickers硬度 (HV1 0 0N)为 11.72 0GPa     

壬基酚聚氧乙烯醚硫酸掺杂聚苯胺的电导率研究

以壬基酚聚氧乙烯醚(10)硫酸(NPES)为聚苯胺掺杂剂,研究了掺杂剂及其掺杂反应时间、温度等条件对聚苯胺导电性的影响.结果表明:长链NPES的掺杂能够提高聚苯胺导电性,且随着掺杂反应时间的增加,电导率在20h后即达到最大值0.6S/cm;随着掺杂温度的降低,在冰浴条件下,NPES掺杂聚苯胺的电导率较常温时提高两个数量...     

甘氨酸-硝酸盐法制备( Y2O3)0.02-(Sc2O3)0.11-(ZrO2)0.87超细粉体

通过甘氨酸-硝酸盐法(GNP)制备了(Y2O3)0.02-(Sc2O3)0.11-(ZrO2)0.87(2Y-11ScSZ)超细粉体.研究了不同甘氨酸用量对粉体相结构和形貌的影响.然后采用流延成型方法制备薄膜样品,讨论不同烧结温度对样品的影响.实验结果表明:2％物质的量浓度Y2O3的添加能稳定1ScSZ在立方相结构.随...     

纳米级ZrO2（Y2O3）／Al2O3粉末的制备及其烧结性能

本文采用化学共沉淀凝胶法制备了２ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３－ＺｒＯ２－２０ｗｔ％Ａｌ２Ｏ３纳米级超细复合的陶瓷粉末，在常压下对该粉末进行了不同温度下的烧结试验，利用ＸＲＤ分析了粉末的相组成；用ＸＲＤ－ＢＬ法计算了粉晶尺寸，用ＴＥＭ研究了粉末的形貌，大小及其分布，用Ａｒｃｈｉｍｅｄｅｓ法测定了烧结体的体积密度，用ＳＥＭ观察测定了烧结体的显微结构，结果表明，该法制备的粉末尺寸分布范围窄，分散性好，粉体烧结活性高     

添加ZrO_2或Y_2O_3对氧化镁高温真空稳定性的影响

为提高氧化镁在高温真空环境下的稳定性,在粒度≤0.074 mm、w(Mg O)=98.70%的轻烧氧化镁粉中分别外加质量分数为0、0.5%、1%和2%的Zr O2或Y2O3后,混合、成型的试样经1 750℃保温6 h煅烧。将煅烧后试样在真空度为1.5×10-2Pa、于1 600℃保温1 h的条件下进行真空稳定性试验,然后对试样的质量损失、物相组成进行分析,并进行晶体学计算。结果表明:添加Zr O2或Y2O3可引起氧化镁的晶格畸变,Zr4+、Y3+部分取代Mg O晶格中Mg2+位置,形成晶格畸变,同时产生阳离子空位,对周围原子起到束缚作用,降低了原子振动频率,从而减少逸散原子的数量,提高了氧化镁在高温真空条件下的稳定性。     

氧化铝—莫来石—氧化锆复合材料的研究

本文以氧化铝和锆英石超细粉为主要原料,添加一定量CeO_2采用干压成型和二步烧结法,制备了氧化铝—莫来石—氧化锆复合材料,并探讨了组成与性能的关系,复合材料的常温抗弯强度和断裂韧性可分别达到430MPa和4.4MPa.m。Y_2该复合材料的常温力学性能优于烧结莫来石和氧化铝材料,且具有制备工艺简单、烧结温度和成本低的特点,适于批量生产某些陶瓷制品。     

ZrO2增韧Al2O3—TiC系陶瓷复合材料的力学性能及其耐磨性能

本文通过对ＺｒＯ２增韧Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＣ系复相陶瓷材料的制备工艺以及ＺｒＯ２含量的变化对材料断裂韧性、抗弯强度以及硬度的影响研究，采用Ｘ射线衍射法分析断口相变量随组成变化对多元系相陶瓷断裂韧性、抗弯强度的影响，同时分析在不同冲击工况下其耐冲蚀磨损特性与力学性能之间的关系。