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激光剥离(LLO)技术是研制新型氮化镓(GaN)基谐振腔结构光电子器件的关键技术。然而LLO后的GaN表面往往具有较大的粗糙度,而制作谐振腔结构器件需要很高的表面平整度,因此需要对LLO后的GaN表面进行抛光。分别采用金刚石粉抛光液和胶粒二氧化硅抛光液进行机械抛光和化学机械抛光(CMP),并对比了两种方法获得的抛光结果,研究发现前者会在抛光后的GaN表面引入划痕,而采用后者可以得到亚纳米级平整度的表面。进一步的实验结果表明,胶粒二氧化硅抛光液同样适用于图形化衬底外延片激光剥离后的GaN表面抛光。 相似文献
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微电子机械系统(MEMS)器件加工中,采用表面Si工艺和体Si工艺的混合工艺或MEMS SOI工艺,用SiO2的湿法腐蚀液缓冲氢氟酸(BOE)释放MEMS Si结构时将会出现一个新问题,阐述了该新问题的工作机理并给出可行的解决方法.以100 mm(4英寸)p型双面抛光Si片(100)替代MEMS器件Si结构,详细阐述了经过不同方法处理的Si片表面在不同温度下的BOE溶液以及加有表面活性剂的BOE溶液中是否产生气泡,并通过测量BOE溶液与Si片表面的接触角大小来衡量表面活性剂的效果.文章指出BOE溶液的温度、Si片表面的粗糙度以及表面活性剂的类型对气泡的产生具有很大的影响,同时指出阴性表面活性剂为抑制气泡产生的最佳表面活性剂. 相似文献
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CMP抛光运动机理研究 总被引:2,自引:0,他引:2
靳永吉 《电子工业专用设备》2005,34(9):37-41
通过对硅晶片化学机械抛光过程中抛光运动机理的理论分析,研究了硅晶片的抛光运动特性,探讨了主要工艺参数对硅晶片化学机械抛光后晶片表面粗糙度和表面平整度、抛光均匀性的影响规律。 相似文献
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随着超大规模集成电路的快速发展,硅片表面的Haze值对于现代半导体器件工艺的影响也越来越受到人们的重视.通过实验研究了精抛光工艺参数对硅片表面Haze值的影响规律.结果表明,随着抛光时间的延长,硅的去除量逐渐增大,硅片表面Haze值逐渐降低;同时抛光过程中机械作用与化学作用的协同作用对Haze值也有较大影响.随着抛光液温度的降低与抛光液体积流量的减小,化学作用减弱,硅片表面Haze值逐渐减小.而随着抛光压力的增大,机械作用逐渐起主导作用,硅片表面Haze值逐渐降低.但当Haze值降低到某一数值后,随着硅去除量的增大、抛光液温度的下降、抛光液体积流量的降低、抛光压力的增大,硅片表面的Haze值基本保持不变. 相似文献
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化学机械抛光(CMP)技术是半导体工艺中不可缺少的重要工艺。针对硅晶圆CMP平坦性问题,系统地考察了压力、转速、抛光垫、浆料、温度等因素对硅晶圆平坦化速率的影响,从中找到它们之间的优化参数,减少CMP工艺中的表面划伤、抛光雾、金属离子沾污,清除残余颗粒,保证硅晶圆的平坦化质量。 相似文献
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硅片CMP抛光工艺技术研究 总被引:3,自引:1,他引:2
介绍了硅片机械-化学抛光技术,重点分析了10.16 cm硅片抛光加工过程中抛光液的pH值、抛光压力和抛光垫等因素对硅片抛光去除速率及表面质量的影响.通过试验确定了硅片抛光过程中合适的工艺参数,同时对抛光过程中出现的各种缺陷进行了分析总结,并提出了相应的解决方案. 相似文献
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There are two important things when doing the CMP, one is the high removal rate, and the other is low nonuniformity. The factors, which may effect the result of polishing process, are pressure applied to wafer and the rotation speed of the wafer. In this study, the best polishing pressure distribution was studied. The effect of different boundary conditions between wafer and wafer carrier on the polishing pressure distribution was analyzed. The clearance between pad and wafer also analyzed 相似文献
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硒化镉(CdSe)的表面加工质量对CdSe基器件的性能至关重要.化学机械抛光(CMP)是一种获得高质量晶体加工表面的常用方法.为改善CdSe晶片的表面加工质量,以SiO2水溶胶配制抛光液,研究了抛光液磨料质量分数、抛光液pH值、氧化剂NaClO的质量分数、抛光盘转速和抛光时间等因素对CdSe晶片抛光去除速率和表面质量的影响,优化了CdSe的CMP工艺参数.结果表明,在优化工艺条件下,CdSe的平均去除速率为320 nm/min,晶片的抛光表面无明显划痕和塌边现象.原子力显微镜(AFM)测量结果表明,抛光后的CdSe晶片表面粗糙度为0.542 nm,可以满足器件制备要求. 相似文献
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Large area CVD grown diamond coatings should have very smooth surface in many of its applications, like microwave power transmission windows etc. Combination of mechanical and chemical forces during polishing helps to achieve desired surface roughness of the polycrystalline diamond (PCD) coatings. Authors report the variation of pressure, slurry feeding rate, addition of chemicals and the time of polishing to observe the efficiency of chemo-mechanical polishing (CMP) technique in planarising CVD diamond material grown over 100 mm diameter silicon wafers. PCD were found to be polished by bringing down the as-grown surface roughness from 1.62 µm to 46 nm at some points on large areas. One coherence scanning interferometer was used to check the roughness at different stages of CMP. Raman spectroscopy was used to evaluate the polished PCD samples in terms of their quality, internal stress at different positions on the same wafer surface after CMP process. It was found that the well polished regions were of better quality than the less polished regions on the same wafer surface. But due to coating non-uniformity of the deposited PCD grown by microwave plasma CVD over large area, CMP could not produce uniform surface roughness over the entire 100 mm diameter wafer surface. We concluded that CMP could effectively but differentially polish large area PCD surfaces, and further process improvements were needed. 相似文献
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锗晶片化学机械抛光的条件分析 总被引:2,自引:0,他引:2
在不同务件下(不同助剂比例和不同研磨液浓度),通过对锗化学机械抛光速率变化的研究,探讨了锗片在SiO2胶体磨料与H2O2混合液加抛光助剂条件下的化学机械抛光过程,分析了助剂比例对抛光速率的影响. 相似文献
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《Semiconductor Manufacturing, IEEE Transactions on》2009,22(4):512-521