多晶硅生产中SiCl_4氢化工艺进展

多晶硅生产方法中,改良西门子法由于安全性好、沉积速率高、纯度较高等优点,成为目前应用最广泛的工艺。其中SiCl_4氢化制备SiHCl_3工艺,是其中一项关键技术,也是多晶硅生产中耗能较多的工序。在国家提倡节能降耗、生态环保的背景下,如何提高SiCl_4氢化转化率,提高产量和质量,降低能耗,意义重大。本文针对这个问题,对目前的各种氢化技术进行了对比研究,发现催化氢化中的氯氢化技术节能降耗最显著,综合指标好,是有前景的氢化技术。     

多晶硅生产原料中添加四氯化硅的工艺研究

提高精馏塔塔顶温度,在原料三氯氢硅中混入体积分数0.9%～20.3%的四氯化硅;调整了进入还原炉的混合气流量和硅棒温度,弱化了四氯化硅的加入对硅沉积速度的不利影响。显著降低了尾气组分中四氯化硅的含量,而多晶硅产品品质和沉积速度无明显变化。优化条件下,进气中STC质量分数从4.21%增加到18.11%,尾气中STC质量分数从32.05%减小到     

多晶硅生产中精馏工艺优化

主要针对现阶段已经开展的精馏工序中的工艺进行优化分析。     

SiH_4-N_2二元气体混合物压缩因子的测定

本文据Burnett法原理,建立了一套测定气体PVT性质的实验装置。用该装置测定了SiH_4-N_2体系不同温度和不同浓度下的压缩因子数据。并使用MH状态方程对数据进行了关联。计算精度满足工业配气和精密度配气的要求。     

C_6H_(14)-CH_2Cl_2溶剂中异丁烯聚合工艺研究

研究了IB在C6 H1 4 -CH2 Cl2 溶剂中的聚合规律。重点讨论了IB浓度、BF3 用量、BF3 加入方式、溶剂配比、聚合温度、水和甲醇浓度对IB在C6 H1 4 -CH2 Cl2 溶剂中聚合的影响。为BF3 催化体系用于分子量 5 0 0 0 0～ 70 0 0 0PIB工业生产提供了较佳的实验数据     

Ca_4(SiO_4)(SO_4)Cl_2的制造及特性

一、引言 近年来,在CaO-SiO_2-CaCl_2系统的研究中,中国和德意志民主共和国在同一时期各自独立地进行了多种实验并取得了类同的结果。最近,我们在工作中又取得了新的成果,今作如下介绍。 据我们所知,文献只报道了一种具有磷灰石结构的氯硫硅酸钙Ca_(10)(SiO_4)_3(SO_4)_3·Cl_2。我们进行过下述实验:对Belinit中的Ca_8Mg(SiO_4)_4Cl_2,以硫酸盐和硫化     

多晶硅工艺过程危险、有害因素浅析

多晶硅生产过程中主要危险品有氢气、液氯、三氯氢硅等,生产过程中存在火灾、爆炸、中毒、窒息、触电伤害等诸多危险、有害因素。     

Cl_2在盐酸溶液中溶解性的研究

对Cl2在盐酸溶液中溶解性及其溶解行为进行了实验研究,分别考察了盐酸浓度和盐酸温度对Cl2溶解性的影响。结果表明,当盐酸浓度<0.5 mol/L时,Cl2在其中的溶解度随着盐酸浓度的增大而减小;当盐酸浓度>0.5 mol/L时,Cl2在其中的溶解度随着盐酸浓度的增大而增大;温度越高,Cl2在盐酸溶液中的溶解度越小。     

多晶硅生产中精馏工序工艺优化浅析

在改良西门子法多晶硅生产中,精制三氯氢硅是主要的中间产品,精制三氯氢硅质量对多晶硅的质量有很大的影响,精制三氯氢硅来源于精馏工序。本文首先对现有的多晶硅装置精馏工序工艺流程和主要功能进行了简要的介绍,然后重点介绍了已开展精馏工序的工艺优化工作以及后期可进一步开展的优化工作。     

直接由工业Sb_4O_5Cl_2合成SbOCl阻燃剂

以湿法锑白工艺中的中间产物Sb_4O_5Cl_2为原料,在常温(25℃左右)、低酸([H+]<3.1 mol/L)的温和条件下,合成了高纯度、高白度的微细Sb℃l阻燃剂. 最佳合成条件为：搅拌速度大于40 s(1,反应时间大于16 h, CSb3+≥290 g/L,这时固体Sb_4O_5Cl_2的转化率达100%,产物平均粒度5.90 μm,颗粒为立方晶体. 测试表明,产物Sb℃l的阻燃协效性能优于超细Sb_2O_3,且能降低色料用量, 提高高聚物的透明度.     

单、多晶硅生产废水处理站升级改造工艺设计

针对浙江某阳光能源有限公司排放的单、多晶硅生产废水的特点,采用混凝沉淀-水解酸化-活性污泥作为主体处理工艺,工程设计规模1 000 m3/d。工程实践表明:出水水质稳定达到并高于《污水综合排放标准》(GB8978—1996)的三级排放标准。系统运行稳定,耐冲击负荷,处理成本低,系统COD总去除率大于92%,SS总去除率大于90%。着重介绍了升级改造工程处理工艺的选择、工程设计参数、设备配置等情况,总结了改造后工程运行效果。     

SiCl_4-GeCl_4-O_2系统的多相平衡和对于掺杂SiO_2的MCVD过程锗分布关系

本文叙述SiCl_1-GeCl_4-O_2系统多相平衡的计算结果。作出GeO_2-SiO_2相图和含Ge分子的浓度分布图,并讨论了MCVD掺杂SiO_2光纤的锗产率。     

新化合物Ca_8Mg(SiO_4)_4Cl_2的合成

在CaO-MgO-SiO_2-CaCl_2四元体系中,我们最近合成了一个新化合物。该化合物属于立方晶系,晶形为六角八面体,比重D_(abs)=3.08g/cm~2,折射率n=1.6910。在差热曲线上得知晶体在810～1260℃范围内稳定,1265℃左右不一致熔融。由化学分析确定分子式为Ca_8Mg(SiO_4)_4Cl_3。根据粉末X射线衍射测定晶胞参数α=15.064(?),晶胞类型为面心立方格子;由四圆单晶衍射仪测得晶胞参数α=15.0653(?)。空间群为Fd3m,Z=8,并由直接法解出了晶体结构。     

新化合物Ca_8ZnSi_4O_(16)Cl_2

分析纯CaCO_3、SiO_2过300目筛后,将CaCO_3、ZnO、SiO_2、CaCl_2按摩尔比7:1:4:3混匀。取该料约5g置于φ10×15mm铂坩埚内,迅速升温至1220℃,再尽快降至1160℃恒温1h。取出的试样冷却后依次用水和乙醇洗去过量的CaCl_2,得到一种纯净的化合物晶     

新化合物Ca_8Mg(SiO_4)_4Cl_2的晶体结构

新化合物Ca_8Mg(SiO_4)_4Cl_2是无色透明的八面体晶体,属立方晶系,密度D_m=3.08g/cm~2,折射率n=1.691,晶胞参数a=15.065(4)(?),空间群为Fd3m,Z=8。用SyntexP3/R3四圆衍射仪系统收集单晶衍射强度数据,以SHELXTL直接法程序解得晶体结构,对原子的座标参数及热参数进行四轮最小二乘修正,最后偏差因子R=0.073。 化合物晶体结构中的Mg原子以[MgO_4]~(6-)原子团形式存在,这种现象在硅酸盐矿物晶体结构中极为少见。     

Na2CrO4-NaOH-H2O体系中Na2CrO4 蒸发结晶工艺研究

以90 ℃的Na2CrO4-NaOH-H2O体系相图为依据,采用蒸发盐析结晶的方法从体系中分离铬酸钠晶体,研究了搅拌强度、蒸发速度、结晶温度、晶种添加等因素对工艺过程的影响规律,得到最优工艺操作条件：搅拌强度为能使晶体离底悬浮所需的最小转速;每1 050 g原料的蒸发速率约为140 mL/h;结晶温度为90 ℃;并添加一定量的晶种。在以上操作条件下制备出的铬酸钠晶体粒度较大,尺寸均一。同时研究了不同氢氧化钠浓度下体系压力与沸点间的关系,为铬酸钠结晶过程的温度控制提供了基础数据。     

二甲醚产物中CO、CO2、CH4、C2H4的气相色谱分析

用填充柱气相色谱法分析了气态二甲醚产物中所含的CO、CO2、CH4、C2H4，用外标法对这些组分进行定量，得到了满意的结果，并在1．0万t／a二甲醚生产装置中得到应用。     

改良西门子法多晶硅生产中分离工艺的改进

对改良西门子法多晶硅生产中尾气分离工艺进行了改进。应用Aspenplus软件,利用精馏、吸收和吸附等不同分离方法进行组合,确定了尾气的分离序列,得到了操作条件温和的4个流程方案。用温焓图进一步分析各流程方案,发现各流程进行热匹配的意义不大,但分离过程所需的冷凝温度为250K,易于实现。通过对比流程设备、吸收剂加入量、主要设备的操作压力、需公用工程加热与冷却的负荷等参数,确定了尾气分离的最佳流程。该流程的操作条件温和,且分离效果较好。     

Sr_5Si_2O_7Cl_4:Eu~(2+)材料的发光特性

采用高温固相法合成Sr5Si2O7Cl4:Eu2+材料。在370nm激发下,Sr5Si2O7Cl4:Eu2+材料呈现峰值位于490nm的非对称发射,对其进行Gaussian曲线拟合,得到峰值位于485nm和520nm两个明显的发射峰。利用van Uitert公式讨论Eu2+在基质中的晶格环境和发光特性,确定晶体中有蓝和黄绿两种发光中心:485nm发射来源于七配位的Eu2+中心发射;520nm长波发射与杂质束缚激子有关。进一步研究Sr5-xCaxSi2O7Cl4:Eu2+材料的发光性质,当0x0.5,Ca2+固溶于Sr5Si2O7Cl4基质晶格,Eu2+占据七配位Sr2+格位,晶体主要产生蓝色中心的蓝绿色发射;当0.5x2,Ca2+掺量增加使晶胞参数变小,晶格中的杂质束缚激子态的束缚增强,Eu2+处于杂质束缚激子中心所形成的激发态能量进一步降低,发射位于长波段,Sr5-xCaxSi2O7Cl4:Eu2+主要产生黄绿色中心的黄绿色发射。