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设计了九通道的射频合成信号,构成了多频段的射频信号源。利用频率合成器和中频调制芯片,能够将基带或中频的信号直接调制到射频。最后将九路射频信号耦合成一路,构成多频段的射频信号源。 相似文献
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为减小北斗用户机的体积,降低终端成本,缩短终端系统调试时间,文中采用北斗卫星导航系统专用射频芯片,设计了一款新型的北斗用户机模块。该模块体积仅为27mm×19mm。调试后的测试结果为:接收通道噪声系数小于4.5dB,AGC(自动增益控制)范围大于55dB,中频输出幅度为峰峰值1V,输入驻波比小于1.5;发射通道功率调整范围达到-10dBm~5dBm,输出1dB压缩点大于10dBm,本振抑制大于30dB,本振相位噪声误差小于0.9°。测试结果表明射频模块性能全部满足整机要求。 相似文献
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基带信号处理部分是北斗接收机重要的组成部分,主要是对射频通道输出的中频模拟信号数字采样后,实现数字正交下变频、捕获、跟踪,最终完成导航观测量的输出。文章采用基于分段匹配滤波+FFT频率估计的捕获方式;采用非相干锁定环实现码的跟踪,采用相干跟踪环+非相干跟踪环结合的方式实现载波跟踪环路;为北斗接收机基带信号处理提供了一种设计方案。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2018,(2)
<正>南京电子器件研究所将CMOS芯片、GaAs多功能芯片、硅基IPD芯片、TCSAW滤波器等多种工艺制程的芯片异构集成到硅基晶圆上,再采用TSV、微凸点以及晶圆低温键合等工艺在国内首次实现了基于硅基射频微系统集成工艺的三维集成微波模块。如图1所示,该模块包含了接收多功能、8通道滤波、镜像抑制混频多功能、中频多功能以及三种中频带宽可切换功能的集成。图2所示为射频微系统集 相似文献
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设计了一种用于C-HomePlug AV (CHPAV) 2.0标准同轴以太网系统的低中频宽带射频收发器芯片。该芯片支持的射频频率范围为0.3~1.3 GHz,中频最高支持300 MHz带宽。芯片集成双LNA和双PA,提供灵活的增益配置,并有利于噪声与线性度的折中优化。同时,集成了整数分频频率合成器和数字控制接口。芯片采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺实现。仿真结果表明,接收链路最大增益为40 dB,发射功率最高达10 dBm,在3.3 V电源供电下,接收和发射模式的最大功耗分别为64 mA和118 mA。 相似文献
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ADI公司5月8日发布了五款能覆盖250MHz~4 GHz频率范围的引脚兼容正交调制器系列产品以扩展其射频(RF)集成电路(IC)产品,从而允许无线系统设计工程师按照多种工作频段和蜂窝手机标准实现标准化印制电路板(PCB)设计.这些调制器是用来将复数调制信号例如语音、数据或模拟视频信号从基带信号直接上变频到RF频率.ADI公司新的正交调制器可以在输出更高功率的同时提供具有更好线性度的调制信号,从而无需在发射信号链中使用中频电路级即可提高传输质量并且降低系统成本. 相似文献
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围绕第三代移动通信系统 W-CDMA移动台中的频率合成器进行研究 ,采用美国国家半导体公司的小数分频双锁相环路 LMX2 3 5 0设计了专用于 W-CDMA移动台的集成化双锁相环路频率合成器。内容包括锁相式频率合成器的环路设计和仿真 ,射频压控振荡器以及中频压控振荡器的设计和仿真。最后给出了集成化双锁相环路频率合成器应用于直接射频调制发射 /接收中频解调方案 W-CDMA移动台的实验结果。 相似文献
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可编程RF收发器芯片CC1000的原理及应用 总被引:3,自引:0,他引:3
CC1000是Chipcon公司新推出的单片可编程RF收发芯片,该芯片集成了射频发射,射频接收,PLL合成,FSK调制/解调,可编程控制等多种功能,其频率范围为300MHz-1000MHz,灵敏度为-109dBm,可编程输出功率为-20-10dBm,数据速率可达19.2kBaud。文中给出了CC1000的结构,原理,特性及应用电路。 相似文献
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文中设计了一种超宽带双通道正交可切换接收模组,采用射频多功能基板和一体化集成金属化管壳的SiP(System in Package)封装方案,实现了传统微波频段多通道组件的低成本、轻小型化封装集成。该接收模组工作频带覆盖P、L、S波段近5.5倍频宽度,实现双通道接收限幅、低噪声放大、通道间正交切换和时延调制功能。经实物测试,接收模组全频带噪声系数优于1.6 dB,单通道小信号增益大于27 dB,带内增益平坦度优于+/-1.6 dB,输入输出端口驻波系数优于1.6,正交通道间相位不平衡度小于8°,幅度不平衡度小于0.8 dB,整个双通道接收模组(含金属管壳封装)外形尺寸47 mm×47 mm×5.6 mm,重量13g。 相似文献
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基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计制作了一款收发(T/R)多功能芯片(MFC),主要用于射频前端收发系统.该芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关用于选择接收通道或发射通道工作,芯片具有低噪声性能、高饱和输出功率和高功率附加效率等特点.芯片接收通道的LNA采用四级放大、单电源供电、电流复用结构,发射通道的功率放大器采用三级放大、末级四胞功率合成结构,选通SPDT开关采用两个并联器件完成.采用微波在片测试系统完成该芯片测试,测试结果表明,在13~ 17 GHz频段内,发射通道功率增益大于17.5 dB,输出功率大于12W,功率附加效率大于27%.接收通道小信号增益大于24 dB,噪声系数小于2.7 dB,1 dB压缩点输出功率大于9 dBm,输入/输出电压驻波比小于1.8∶1,芯片尺寸为3.70 mm×3.55 mm. 相似文献
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研制了一种小体积的S频段射频收发系统级封装( SIP)模块,内部集成了基于多种工艺的器件。模块接收通道一次变频,发射通道二次变频,内部集成中频和射频本振信号源。模块采用双腔结构,不同腔体之间通过绝缘子进行垂直互连,大大减小了模块体积,模块体积为40 mm×40 mm×10 mm。模块采用正向设计,其主要指标的测试结果为:接收通道动态范围-100~-40 dBm,输出信号0~2 dBm,噪声系数小于等于2.8 dB,带外抑制大于等于50 dBc;发射通道输出信号大于等于2 dBm,二次、三次谐波抑制大于等于60 dBc,杂波抑制大于等于55 dBc,相位噪声在1 kHz和10 kHz处分别小于等于-82 dBc/Hz和-91 dBc/Hz。实测结果与仿真结果基本一致。 相似文献
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设计了13.56 MHz频段无源射频识别电子标签的模拟前端电路,采用常规0.13 μm含EEPROM的CMOS工艺,设计了一种箝位电路,能够实现采用常规5 V器件耐射频识别芯片感应的高压功能,整个芯片实现了射频识别标签通信时所需的稳定电源电压提供、载波中信号的提取、芯片时钟恢复和反向调制信号发射的全部功能. 相似文献
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面向芯片原子钟(Chip Scale Atomic Clock,CSAC)的垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)通过微波调制产生具有特定光频差的相干激光,与原子作用后的跃迁谱线频率作为参考标准,最终可获取高精度的频率信号。因此,垂直腔面发射激光器在芯片原子钟系统中至关重要。介绍了VCSEL激光器的内调制原理,搭建了其内调制特性实验测试平台,开展了激光器对射频调制响应特性研究,记录了激光器边带信号随着注入电流和射频输出功率的变化情况,并分析了射频调制对激光器边带信号的影响特性以及Bogatov现象引起的边带不对称现象。实验结果显示:当射频信号频率为3.41734 GHz,注入电流为1.2 mA,射频输出功率为3.5 dBm时,可获得优化的高频调制光谱,为芯片原子钟提供优质的光源。 相似文献