铝蚀刻技术及其装置

有关半导体器件或集成电路的批量生产中的晶体生长、扩散、氧化工艺等加工技术跟电气特性的关系已讨论的比较详细了。而电极形成工艺,除特殊器件外,一般满足于作成欧姆接触就行,而过去未加以详细讨论。最近,对半导体器件或集成电路的高性能、高可靠性的要求变得非常严格起来。在这种性能、可靠性方面,认识到成问题的器件恶化的主要原因,与其说由扩散、氧化工艺引起的,还不如说是由抗蚀剂、电极形成工艺方面引起的。     

微波集成电路工艺概述

本文评述微波集成电路的目前水平。用实例对各种微波集成电路技术进行讨论和比较;介绍基片、导体、介质和电阻的材料工艺;用实例说明分布与集总参数元件的电路设计数据和加工工艺。对一些分布和集总参数电路的设计与性能做了比较。最后指出微波集成电路今后的研制方向。     

半导体集成电路制造中的准分子激光退火研究进展EI北大核心CSCD

随着半导体集成电路芯片的尺寸越来越小、结构越来越复杂,芯片制造过程中的退火工艺技术也在不断进步。激光退火以其在芯片制造过程中热预算控制的优势,在芯片制造退火工艺中的重要性正在显现。而准分子激光的特点是波长短、峰值功率高、作用于大多数物质表面时能量迅速被物质表面吸收。准分子激光退火可以实现对材料表面温度梯度的控制,是半导体集成电路制造中热处理工艺的重要选择。对半导体集成电路制造过程中准分子激光退火研究进展进行了综述。概述了集成电路制造中退火工艺热预算控制与激光退火的理论模拟研究结果;着重介绍了准分子激光退火在离子掺杂控制、超浅节形成、沟道外延等材料处理中的研究进展,以及在金属层制备和3D器件中的应用。研究表明,准分子激光退火工艺有望为三维半导体集成电路制造提供新的解决方案。     

半导体器件的发展动态

本文首先对国内半导体分立器件和半导体集成电路的质量水平做了估价,接着进行了国内半导体器件市场分析,讨论了器件销售所面临的困难和造成困难的原因,探讨了器件生产厂家的出路和发展方向,并对国产器件所存在的问题做了评述。文中还对半导体器件引进生产线情况做了介绍。本文在概述了分立器件的发展方向之后,重点阐述国内半导体集成电路的发展动态(我国IC工业发展现状、国内生产IC的主要品种、“七五”期间IC工业的发展及ASIC),并对国外IC发展动态做了扼要说明。     

浅谈半导体涂胶显影设备生产的洁净度控制

在半导体生产过程中,若生产设备存在杂质污染物会改变或破坏半导体的特性,因此,必须对杂质污染物进行严格控制。基于半导体制造厂对半导体涂胶显影设备中的污染颗粒要求,对半导体涂胶显影设备的零部件清洁过程、装配过程、调试过程、包装过程等环节污染颗粒管控进行介绍,对半导体涂胶显影设备中污染颗粒超标的常见问题进行分析,并提出污染颗粒的把控方法,以期为相关人员提供参考。     

集成电路圆片级可靠性测试

在集成电路制造厂的工艺监控体系中引入可靠性监控对于控制产品的可靠性十分重要.圆片级可靠性测试技术通过对集成电路产品的工艺过程进行可靠性检测,能够为集成电路制造工艺提供及时的可靠性信息反馈.圆片级可靠性测试通常是采用高加速应力对各种可靠性测试结构进行测试,以实现快速的工艺可靠性评价.对半导体集成电路圆片级可靠性测试的背景、现状和发展趋势进行了概况和探讨,介绍了目前在VLSI生产中应用最为广泛的栅氧化层经时击穿、电迁移和热载流子注入效应的可靠性测试结构.     

深亚微米工艺用二次纯水系统

本文介绍了深亚微米工艺用二次超纯水系统主要工艺流程及其各部分的作用。比较了一次纯水电阻率,二次纯水电阻率及二次纯水 TOC 含量的相互关系。讨论了半导体集成电路制造工艺对超纯水的水质要求以及水中杂质对半导体工艺的影响。     

基于氟塑料的超洁净气动液体隔膜阀结构设计与制备

湿法清洗制程是影响集成电路芯片良率的重要因素,气动液体隔膜阀是湿法装备中核心零部件之一。为了解决阀门的生产问题,以集成电路用超洁净气动液体隔膜阀为例,对其结构工作原理和关键密封件进行了论述,并基于氟塑料从原料、结构设计与优化、加工工艺和产品性能四个方面分析了超洁净气动液体隔膜阀生产需要解决的问题,同时也对未来同类阀门的设计指明了方向。     

当前IC生产中洁净室技术的要点

一、前言 当前集成电路(IC)生产,污染硅片的物质主要有悬浮粒子、细菌、金属物、有机物和气体杂质。其中,粒子对硅片的污染仍是主要的。粒子主要来自洁净区(空间)及工艺介质(超纯水、超纯气体及超纯化学药品等),而洁净区的粒子的控制仍是主要矛盾;细菌、金属物、有机物和气体杂质对硅片的污染主要来自工艺介质。因此,IC生产中,洁净室技术主要是对洁净区内悬浮粒子进行控制。另外,亦对静电、电磁及微振等有控制要求。     

结构相似性原理在半导体集成电路检验中的应用

介绍了如何应用结构相似性程序对半导体集成电路的最终检验进行分组和试验，从而提高检验效率，降低检验成本。     

垂直集成——延长摩尔定律的有效途径

主要概述了目前集成电路由两维的平面集成向3维的立体集成转变过程中的主流和热点技术,包括后道封装制程中实现裸片堆叠、载体堆叠和封装体堆叠的TSV三维封装,以及前道晶圆制程中将传统的晶体管二维平面结构向三维立体结构的多栅晶体管过渡的创新技术。根据全球半导体联盟打造3D集成电路计划和目前应对垂直集成技术的工艺设备现状,展望了半导体垂直集成技术实现量产的前景。     

半导体产业及其支撑技术的发展动向

作为当今社会高技术产业之一的微电子工业,以其卓越的成就,影响着人们的生活方式,改变着现代社会的生产方式和经济结构。对代表微电子技术的集成电路工业,世界各国都极为重视,投入了大量的人力和巨额的资金,从而使其发展日渐成熟。本文主要介绍了半导体存储器的生产和研究情况。另外,还介绍了ASIC、逻辑电路、砷化镓器件、半导体材料和设备等方面的发展情况。     

A perspective from the 2003 ITRS: MOSFET scaling trends, challenges, and potential solutions

The IC industry has been rapidly and consistently scaling the design rules, increasing the chip and wafer size, and cleverly improving the design of devices and circuits for over 35 years. As a result, the industry has enjoyed exponential increases in chip speed and functional density versus time combined with exponential decreases in power dissipation and cost per function versus time, as projected by Moore's Law by G.E. Moore (1995). As metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) are scaled to deep submicron dimensions, the integrated circuit (IC) industry is running into increasing difficulties in continuing to scale at the accustomed rate, owing to the small dimensions and certain key device, material, and process limits that are being approached.     

How China is closing the semiconductor technology gap

China has been obtaining and advancing technology in a manner and at a pace that has surprised most people. The high-tech semiconductor industry exemplifies this growth. In less than 10 years China went from being five generations behind in integrated circuit (IC) semiconductor processing, to being current with the state-of-the-art. With the help of Chinese engineers, often educated by U.S. companies including Motorola and Intel, Chinese companies will soon be producing the leading IC technologies for the world. With the already existing infrastructure to incorporate semiconductors into advanced systems, and a large internal (and external) market, China's future truly looks bright.     

For the record: Kilby and the IC

The records that Jack Kilby, developer of the monolithic integrated circuit, kept of his progress 30 years ago are examined. His was a demonstration of the first working semiconductor integrated circuit, a phase-shift oscillator. This showed that the IC concept was applicable to linear circuits     

极端远紫外光刻技术

半导体器件与集成电路的不断小型化要求特征尺寸越来越小 ,极端远紫外光刻是 5种下一代光刻技术候选者之一 ,它的目标是瞄准 70纳米及 70纳米以下的特征尺寸光刻。本文从极端远紫外光源、极端远紫外光学系统、反射掩模、光刻胶、光刻机等方面对极端远紫外光刻技术进行了分析论述 ,并且对它的应用前景进行了简要分析     

多元因子分析法在集成电路技术中的应用

多元因子分析是一种对多变量进行简约的数理统计方法,它在具有多参数的半导体器件和集成电路CAD/CAT中都具有明显的应用价值。本文在简介多元因子分析原理的基础上,给出了一个具体的集成电路参数测试的应用实例。最后对多元因子分析方法在集成电路技术中的应用前景进行了展望。     

我国集成电路产业发展对策初探

分析了我国集成电路产业的现状,针对我国集成电路产业发展存在的障碍,提出了发展我国集成电路产业的对策。     

X-ray scattering from silicon surfaces: a useful tool for quality control

The semiconductor industry started to conquer the nm-scale in process technology to create the next generation of microsized integrated circuits. With the down-scaling of semiconductor structures, surfaces and interfaces need precise control to achieve high yielding integrated circuits. For roughness determination of high quality surfaces and thickness control of ultra-thin layers, X-ray scattering proves to be an innovative tool. We demonstrate that specular and diffuse X-ray scattering from a silicon surface with a thin thermal oxide allows the precise determination of real structure parameters such as roughness, bulk density, oxide thickness, lateral correlation length and fractal dimension.