硼硅玻璃掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响

研究结果表明 ,硼硅玻璃料的掺入超过一定量时会使压敏电场上升。当玻璃料含量占初始配方总质量的 5 %时 ,压敏电场最小 ,非线性系数最小 ,漏电流最大 ;当玻璃料含量占 5 %～ 10 %时 ,随玻璃料掺入量的增加 ,非线性系数明显上升 ,漏电流迅速减小 ,压敏电场迅速上升。     

提高ZnO压敏电阻器电性能的研究

采用sol-gel法制备了复合纳米添加剂。将其与ZnO,Sb2O3混合,球磨后按传统工艺制备了ZnO压敏电阻器。通过粒度测试,分析了复合纳米添加剂的粒径大小;借SEM分析了电阻器的微观形貌,并测试了电阻器的电性能。结果表明:添加剂的粒径集中在100nm以下,用该添加剂制成的电阻器微观结构更均匀,其8/20μs通流能力达2500A,2ms方波能量耐受能力达46J。     

ZnO-玻璃系压敏电阻老化特性研究

研究了ZnO–玻璃系压敏电阻的直流老化特性、交流老化特性和大电流冲击老化特性。在恒定直流偏压作用下,ZnO–玻璃系压敏电阻伏–安特性出现非对称性蜕变,非欧姆特性降低。在交流偏压作用下,ZnO–玻璃系压敏电阻伏–安特性出现对称性蜕变。在脉冲大电流作用下,其伏安特性也呈现出非对称性蜕变。适当的低熔点氧化物和一价离子掺杂可改善样品的老化性能。还利用原子缺陷势垒模型对几种老化现象进行了理论分析。     

Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响

本文研究了Ｎｂ＿２Ｏ＿５掺杂以及Ｎｂ＿２Ｏ＿５与ＺｎＯ煅烧对ＺｎＯ压敏电阻器电性能的影响。实验表明，Ｎｂ＿２Ｏ＿５的掺入使压敏电场减少，当Ｎｂ＿２Ｏ＿５含量为０．１％ｍｏｌ时，其压敏电场最小．非线性系数最大。煅烧温度越高，压敏电场越高，非线性系数越大。     

压敏电阻器的电阻值

压敏电阻器是一种限压型非线性电阻器,主要用于抑制浪涌过电压。通常不用电阻值而用电压(压敏电压、限制电压)或电流(漏电流、最大脉冲电流)来描述它的特性。但是,在有些问题中,例如在压敏电阻器的冲击电流试验中,要考虑它与冲击电流发生回路的匹配问题,这时用电阻值这个参数就更为方便。根据作者在研制压敏电阻器测试仪器中所进行的实验,对压敏电阻器的电阻值这个参数作一些讨论。     

籽晶对氧化锌压敏电阻器性能的影响

采用熔盐法,以强碱为助熔剂可在较低的温度下培育出针状、块状、球状的ZnO籽晶。本文详细地研究了籽晶的大小、形状、含量对氧化锌压敏电阻器性能的影响。实验表明,籽晶对降低压敏电压有十分明显的作用。     

轧膜成型PTCR瓷片平整烧成工艺的研究

为制备平整的PTCR瓷片,通过大量试验,分别从烧成温度、升温、降温阶段等各种烧成工艺对采用轧膜成型法制备PTCR瓷片性能的影响,得到了最佳平整度和电性能参数的烧结工艺。     

ZnO压敏电阻器生产工艺的改进

压敏电阻器的生产工艺是影响产品质量的重要因素之一。通过试验，对生产工艺中，影响ＺｎＯ压敏电阻器直流老化性能的因素，如原材料细度、烧成气氛、成型密度、热处理温度和时间、掺杂等进行了研究，并据此确定了最佳工艺条件。     

轧膜成型对BaTiO_3片式PTCR性能的影响

为制备片式BaTiO3陶瓷PTCR元件,采用轧膜成型的方法。通过研究材料性能与成型因素的关系,并通过与干压成型工艺对比,研究了轧膜成型工艺对陶瓷PTCR性能的影响。 通过调整影响轧膜成型的条件,可以制得具有良好可塑性、均匀度、致密度、光洁度的薄膜。     

低压ZnO压敏电阻器的配方研究

介绍了低压ＺｎＯ压敏电阻器的几个配方试验。此瓷料制作的瓷片其电性能：Ｕ（１ｍＡ＜５０Ｖ，非线性系数α＞３０，漏电流、通流能力均良好。     

ZnO压敏元件非线性特性的劣化及恢复

分析了烧成和热处理工艺中可能导致 Zn O压敏元件非线性特性异常的因素 ,如炉温不匀、温度梯度太大 ,降温时间太长 ,炉道通风流量过大等。试验证明 ,在 90 0～ 10 5 0℃下 ,对非线性特性劣化的 Zn O压敏元件进行热处理 ,可使非线性特性恢复正常。     

微波烧结ZnO压敏电阻的可行性研究

采用微波烧结工艺制备了ZnO压敏电阻,研究了其致密化过程,运用XRD、SEM、电性能测试等手段,分析了烧结温度对其微观结构和电性能的影响。结果表明:微波烧结工艺不仅可显著提高ZnO压敏电阻的致密化,而且能够改善材料的微观结构和电性能。微波工艺的烧结周期仅是传统工艺的1/10~1/8。微波烧结样品的小电流特性有所提升;其通流量为11.6kA,比商用ZnO压敏电阻(7.75kA)高。     

sol-gel法制备ZnO薄膜压敏电阻

利用sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上,制备掺有Bi2O3、Co2O3、Cr2O3和MnO2的ZnO薄膜压敏电阻。薄膜由旋涂法制备,并在300℃下预处理、600℃退火。制得的ZnO薄膜结晶良好。膜厚约为1μm,ZnO薄膜压敏电阻的非线性系数为15.1,压敏电压为3.037 V,漏电流为43.25μA。     

Zn2SiO4掺杂对氧化锌压敏电阻性能的影响

采用普通陶瓷工艺制备了Zn2SiO4掺杂的氧化锌压敏电阻,研究了Zn2SiO4掺杂量对氧化锌压敏电阻的致密度,晶粒微观结构,小电流性能和通流能力的影响.结果表明:当Zn2SiO4掺杂量达到0.75％(摩尔分数)时,氧化锌压敏电阻晶粒致密均匀;电学性能得到改善,压敏电压梯度和非线性系数分别高达438 V/mm和85,漏电...     

烧银电极对SrTiO_3环形压敏电阻器性能的影响

研究了两种烧银电极对SrTiO3 环形压敏电阻器性能的影响 ,并与In Ga合金进行比较。发现两种电极与瓷体分别形成欧姆和非欧姆接触。其中非欧姆接触造成试样的压敏电压U10mA和非线性指数α增大、介电损耗tgδ下降。分析了试样的微观界面 ,认为烧银电极与瓷体之间 3 0 40 μm厚的强还原金属锌层是形成欧姆接触的关键。     

层状结构低压ZnO压敏陶瓷的制备及性能研究

Double-layered, low-voltage ZnO varistors have been fabricated by feeding two kinds of ZnO powders into a die using dry extrusion molding. Compared with ZnO varistors fabricated by the conventional route, the layered ZnO varistors have larger non-linear coefficients, lower breakdown electric fields, and lower leakage current densities. The improvement in electrical performance of the layered low-voltage ZnO varistors is attributed to the asymmetric band structure at grain boundary between the two layers.     

Preparation and characterization of layered low-voltage ZnO varistors

Double-layered, low-voltage ZnO varistors have been fabricated by feeding two kinds of ZnO powders into a die using dry extrusion molding. Compared with ZnO varistors fabricated by the conventional route, the layered ZnO varistors have larger non-linear coefficients, lower breakdown electric fields, and lower leakage current densities. The improvement in electrical performance of the layered low-voltage ZnO varistors is attributed to the asymmetric band structure at grain boundary between the two layers.     

Nb_2O_5掺杂量对ZnO压敏电阻器性能的影响

通过掺杂微量Nb2O5制备了ZnO压敏电阻器,运用扫描电子显微镜(SEM)和电性能测试手段分析了Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器微观结构和电性能的影响,测量了晶界势垒高度φH,并探讨了其对ZnO压敏电阻器性能的影响。结果表明:掺杂适量的Nb2O5可以明显改善ZnO压敏电阻器的微观结构和电性能;当Nb2O5的掺杂量为摩尔分数0.10%时,所制ZnO压敏电阻器的晶粒尺寸最大,且压敏电压V1mA、非线性系数α和φH值分别为174V,30和0.463 eV。