BaBiO3/SrFe0.9Sn0.1O3-δ厚膜NTCR的电性能研究

以SrFe0.9Sn0.1O3-δ为电阻相,BaBiO3为烧结助剂,在氧化铝基板上涂刷成膜,并采用固相法制备了NTC厚膜热敏电阻(NTCR).借助XRD、SEM、阻温特性测试仪,研究了添加不同量BaBiO3样品的相组成、微观结构以及电性能.结果表明:所得NTC厚膜电阻呈明显的NTC热敏特性,且主要组成物相为钙钛矿结构的SrFe0.9Sn0.1O3-δ;厚膜表面颗粒均匀细小,尺寸在2～3μm范围内:随着BaBiO3含量的增加,其室温电阻R25从初始的4 000kΩ降至372 kΩ,对应的B25/85值从4 378 K逐渐降低为3 113 K.     

MnO_2掺杂量对BaCo_(0.05)Co_(0.1)Bi_(0.85)O_3厚膜NTCR电性能影响

以新型BaCo0.05Co0.1Bi0.85O3材料为基体,掺杂不同摩尔分数x(MnO2),在840℃下烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和直流阻温特性测试仪,研究x(MnO2)对电阻相组成、微结构及电性能的影响。结果表明:所得的NTC厚膜热敏电阻主要物相为具有钙钛矿结构的BaCo0.05Co0.1Bi0.85O3,且表面致密。当x(MnO2)超过5%时,有新相BaMnO3开始沿晶界析出,获得小尺寸晶粒;厚膜电阻的室温电阻率ρ25及B25/85值随x(MnO2)增加而升高;当x(MnO2)为10%时,ρ25从初始的13.5?·mm升高为810.0?·mm,B25/85值从600K升高到2049K。     

BaSnO_3/BaBiO_3复相陶瓷的显微结构及电性能

以BaCO3、SnO2和Bi2O3为原料,采用传统固相反应法制备了具有NTC特性的BaSnO3/BaBiO3复相陶瓷。借助XRD、SEM和R-t特性测试仪,研究了该陶瓷的相结构、断面形貌及n(BaBiO3)对其电性能的影响。结果表明:随着r(BaBiO3∶BaSnO3)从0.1∶1.0增大到0.9∶1.0,样品的B25/85值从4400K降低到3000K,同时室温电阻率ρ25从106Ω·cm降低到103Ω·cm。     

一种新型NTC厚膜电阻的制备及电性能研究

以新型BaCoⅡ 0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3材料为基体,以CuO为烧结助剂,在790、800、810℃烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和阻温特性测试仪,研究了CuO含量对电阻相组成、微观结构及电性能的影响。结果表明:烧结温度为800℃的NTC厚膜电阻主要物相为具有复合立方钙钛矿结构的BaCoⅡ0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3,并有少量Bi2O3剩余;该组电阻表面颗粒均匀细小,致密性随CuO含量的增加而趋于增加。对烧结温度为790℃的电阻来说,其室温电阻R25和B25/85随CuO含量的增加而逐渐降低;该电阻的R25、B25/85及活化能Ea分别为0.98~13.40kΩ、931~1855K和0.08~0.16eV。     

Sb_2O_3掺杂量对BaBiO_3基陶瓷电性能的影响

为改善BaBiO3基陶瓷的NTC特性,选择Sb2O3为掺杂剂,以固相法合成了BaBiO3基陶瓷。研究了Sb2O3掺杂量对该陶瓷的物相、显微结构及电性能的影响。结果表明:Sb2O3掺杂BaBiO3基陶瓷的B25/85值和室温电阻率ρ25均随着n(Sb2O3)的增加呈现先减小后增大的趋势;当n(BaBiO3):n(Sb2O3)=1000:3时,获得了具有较好NTC特性的样品,其室温电阻率ρ25为416Ω.cm,B25/85值为2378K。     

CuO掺杂BFS基厚膜热敏电阻的研制

以固相法制备的BaFe1–xSnxO3(BFS)材料为功能相、BaBiO3为粘结相、CuO为掺杂剂,制备了新型BFS基厚膜热敏电阻浆料,并用此浆料制备了BFS基厚膜热敏电阻。借助SEM和ρ-t特性测试仪,研究了CuO掺杂量对所制电阻显微结构及电性能的影响。结果表明:随着CuO掺杂量的增加,BFS基厚膜热敏电阻的方阻逐渐降低,其B25/85值则先缓慢上升,接着迅速降低,而后又逐渐增加。当CuO质量分数为14%时,所得电阻样品性能较好且具有明显的NTC特性,其方阻、B25/85值及电阻温度系数αR分别为:2.8×105?·□–1,3285K和3.69×10–2℃–1。     

K~+掺杂量对BaBiO_3基陶瓷NTC特性的影响

用传统的固相法制备了具有NTC特性的K+掺杂BaBiO3基陶瓷。研究了K+掺杂量对其NTC特性的影响。结果表明:试样的B25~85值和室温电阻率ρ25均随着x(K+)的增加呈现先减小后变大的趋势;当x(K+)为20%时,得到了具有较好NTC特性的陶瓷样品,其室温电阻率ρ25为1500?·cm,B25~85值为3176K。     

La_(0.6)Sr_(0.4)CoO_3薄膜的制备及NTC特性研究

为研制具有较低室温电阻值的NTC薄膜热敏电阻,以La0.6Sr0.4CoO3陶瓷为靶材,采用RF磁控溅射法,在Al2O3基片上沉积了La0.6Sr0.4CoO3(LSCO)薄膜。研究了溅射过程中氩氧体积流量比对LSCO薄膜结晶性能和方阻的影响以及LSCO薄膜的阻温特性。结果表明:随着氩氧体积流量比的增加,LSCO薄膜的主晶相衍射峰强度及方阻均先增大后减小。LSCO薄膜具有显著的NTC特性,室温时的电阻温度系数α25为2.24×10–5;其lnR-T–1曲线具备良好的线形度,线性偏差仅为2.09%;另外,其室温时的电阻R25仅为18.75k?。     

Na~+掺杂量对BaBiO_3基陶瓷NTC特性的影响

以BaCO3、Bi2O3为原料,Na2C2O4为掺杂剂,用传统固相法制备了具有NTC特性的BaBi1–xNaxO3陶瓷。用XRD,SEM和ρ-t特性测量仪,研究了Na+掺杂量对该陶瓷的物相、显微结构及电性能的影响。结果表明:BaBi1–xNaxO3陶瓷的B25/85值和室温电阻率ρ25均随着x(Na2C2O4)的增加呈现先减小后变大的趋势;当x(Na2C2O4)为0.050时,获得了具有较好NTC特性的试样,其ρ25为2200?·cm,B25/85值为3365K。     

PbO和Bi_2O_3-Li_2CO_3助烧剂对Pb(Zr_(0.9)Ti_(0.1))O_3厚膜热释电性能的影响

采用丝网印刷工艺制备了Pb(Zr0.9T0.1)O3(PZT)厚膜,研究了过量PbO和Bi2O3-Li2CO3共同助烧对PZT厚膜低温烧结特性、微观结构、相构成以及介电和热释电性能的影响。结果表明:随着过量PbO及Bi2O3-Li2CO3添加量的增加,PZT厚膜的烧结温度和晶粒尺寸均逐渐降低。当PbO过量6.4%(质量分数)、Bi2O3-Li2CO3添加量为5.4%(质量分数)时,PZT厚膜可在900℃低温下致密成瓷,且其热释电系数和探测率优值均得到大幅提高;所得样品在30℃时的热释电系数为10.6×10–8C.cm–2.K–1,探测率优值为8.2×10–5Pa–1/2。     

Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷的制备与复阻抗分析

采用传统固相反应法制备了Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷,运用X射线衍射仪、直流阻温测试仪、交流阻抗技术对其结构和电学性能进行了测试,并对Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷的微观导电机理进行了分析.结果表明:Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷由立方尖晶石相和岩盐相NiO组成.其电阻主要来源于晶粒和晶界的贡献,在293～363 K测试温区内,其晶粒电阻和晶界电阻都表现出明显的NTC特性,且两者导电机理均符合小极化子跳跃电导模型,晶界电阻受岩盐相NiO的影响大于晶粒电阻.     

SrBiFeO基NTC陶瓷的制备及其电性能研究

以Bi2O3、Fe2O3和SrCO3为主要原料,采用传统固相法制备出具有NTC特性的SrBiFeO(SBF)陶瓷。研究了该陶瓷的物相结构、断面形貌及电性能。结果表明:试样由BiFeO3、SrFeO3-x和三方晶系的Sr2.25Bi6.75O12.38相组成,试样的室温电阻率ρ25随Fe2O3掺杂量的增加呈现先减小后增大的趋势,而B25/85值却呈现单调递增趋势,陶瓷试样SBF30即:n(Bi2O3):n(SrCO3):n(Fe2O3)=50:70:15时具有较好的NTC特性,ρ25为1.192×103Ω.cm,B25/85值为3 604 K。     

SrFe_xSn_(1-x)O_(3-δ)陶瓷材料的微观结构和NTC特性

采用传统固相反应法,制备了一种新型NTC热敏陶瓷SrFexSn1-xO3-δ(0.2≤x≤0.5)。研究了该陶瓷体系样品的相组成、微观结构以及电性能。结果表明:所有样品均为纯钙钛矿相,并且呈现典型的NTC特性;随着Fe含量的升高,SrFexSn1-xO3-δ陶瓷样品的室温电阻率急剧降低,其B25/85和激活能则呈现温和降低的趋势。当0.2≤x≤0.5时,陶瓷样品的室温电阻率,B25/85以及激活能分别处于(518.00～3.56)×103Ω·cm、4912～3793K和0.424～0.327eV。     

Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷的制备与复阻抗分析

采用传统固相反应法制备了Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷,运用X射线衍射仪、直流阻温测试仪、交流阻抗技术对其结构和电学性能进行了测试,并对Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷的微观导电机理进行了分析。结果表明:Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷由立方尖晶石相和岩盐相NiO组成。其电阻主要来源于晶粒和晶界的贡献,在293~363 K测试温区内,其晶粒电阻和晶界电阻都表现出明显的NTC特性,且两者导电机理均符合小极化子跳跃电导模型,晶界电阻受岩盐相NiO的影响大于晶粒电阻。     

La_2O_3掺杂对Mn-Co-Ni系NTC热敏电阻材料性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了Mn1.6Co0.8Ni0.6O4–xLa2O3(x=0,0.01,0.03,0.05,0.07)系列NTC热敏电阻样品,运用XRD、SEM和电性能测试等手段,研究了La2O3掺杂对样品相结构和电性能的影响。结果表明:所制掺杂样品均由尖晶石相和钙钛矿相组成,其中钙钛矿相的名义组成可用化学式La(Mn-Co-Ni)O3表示,随着La2O3掺杂量x由0增加到0.07,Mn-Co-Ni系NTC热敏电阻材料的电阻率由643.cm增加到912.cm,相反地材料常数B值却由3 464 K减小到3 393 K。     

磷锑共掺SnO2陶瓷的电阻-温度特性

采用湿化学法制备了磷锑共掺氧化锡Sn1-3xSbxP2xO2+6(x=0.004,0.010,0.030,0.050)材料.利用XRD、SEM、电阻-温度特性测试系统和交流阻抗技术对所制氧化锡材料的物相组成、微观结构及导电特性进行了研究.结果表明:在x=0.004和0.010时,所制氧化锡材料由纯四方结晶相组成,但在x≥0.030时,材料中出现了微量的P2O5和SnP2O7杂质相;所制氧化锡材料的电阻-温度特性具有负温度系数(NTC)效应,选主要是晶粒效应和晶界效应共同作用的结果;最后利用能带理论对该材料的NTC导电机理进行了分析讨论.     

磷锑共掺SnO_2陶瓷的电阻-温度特性

采用湿化学法制备了磷锑共掺氧化锡Sn1–3xSbxP2xO2+δ(x=0.004,0.010,0.030,0.050)材料。利用XRD、SEM、电阻–温度特性测试系统和交流阻抗技术对所制氧化锡材料的物相组成、微观结构及导电特性进行了研究。结果表明:在x=0.004和0.010时,所制氧化锡材料由纯四方结晶相组成,但在x≥0.030时,材料中出现了微量的P2O5和SnP2O7杂质相;所制氧化锡材料的电阻–温度特性具有负温度系数(NTC)效应,这主要是晶粒效应和晶界效应共同作用的结果;最后利用能带理论对该材料的NTC导电机理进行了分析讨论。     

Sr_xPb_(1-x)TiO_3基陶瓷材料热敏特性研究

以 Srx Pb1 - x Ti O3为基料 ,液相掺杂一定量的 Y和 Si,采用传统固相合成工艺方法制备出了具有明显 V型阻温特性的半导体热敏电阻 ,通过扫描电镜形貌观察、R- T特性测试及复阻抗分析表明 ,Srx Pb1 - x Ti O3陶瓷的阻温特性明显受半导化程度的影响 ,居里点以下的 NTC效应往往随着半导化程度的提高而降低。掺杂玻璃相物质Si(OC2 H5 ) 4能增强 Srx Pb1 - x Ti O3陶瓷 NTC效应 (t相似文献   

高阻高B值(FeCoCrMnZn)3O4高熵热敏陶瓷

高熵氧化物陶瓷由于独特的结构及新奇的“高熵效应”而表现出优异的性能。为制得高灵敏度和高稳定性的NTC热敏电阻,采用固相反应法制备了(FeCoCrMnZn)₃O₄高熵热敏陶瓷,研究制备工艺对其物相组成、显微结构和电学性能的影响。结果表明：(FeCoCrMnZn)₃O₄粉体在900℃煅烧即可形成尖晶石结构的单相固溶体,(FeCoCrMnZn)₃O₄陶瓷中各元素均匀分布,符合高熵化特征,其室温电阻率高达142.5 kΩ·cm,热敏常数B值高达4487 K,而电阻漂移率仅为1.22%(1425℃,4 h)。总之,(FeCoCrMnZn)₃O₄高熵热敏陶瓷具有良好的NTC特性,较普通NTC热敏电阻而言,具有更高的电阻率、B值及稳定性,可用于抑制大功率电器产生的浪涌电流及温度的检测和控制等。     

Mn掺杂对SrBiFeO陶瓷NTC特性的影响

以Bi2O3,Fe2O3,MnO2和SrCO3为主要原料,采用传统固相法制备出具有负温度系数(NTC)特性的SrBiFeMnO陶瓷。研究了该陶瓷的物相结构、断面形貌及电性能。结果表明:试样的室温电阻率ρ25和热敏电阻特性常数B25/85随着x(Mn)的增加均呈现先增大后减小的趋势。在25～200℃的测试温区内,x(Mn)为0.1时,掺杂的SrBiFeO陶瓷材料的电阻率-温度特性呈现良好的线性关系;x(Mn)为0.5时,掺杂SrBiFeO陶瓷材料具有较好的NTC特性,其ρ25为145Ω.cm,B25/85为2950K。