一种用于触摸屏SoC的10位200kS/s SAR ADC IP核

采用“5MSBs (Most-Significant-Bits) + 5LSBs (Least-Significant-Bits)”C-R混合式D/A转换方式以及低失调伪差分比较技术,结合电容阵列对称布局以及电阻梯低失配版图设计方法,基于0.18µm 1P5M CMOS Logic工艺,设计实现了一种用于触摸屏SoC (System-on-Chip)的8通道10位200kS/s逐次逼近型A/D转换器IP核。在1.8V电源电压下,测得的微分非线性误差和积分非线性误差分别为0.32LSB和0.81LSB。在采样频率为200kS/s,输入频率为91kHz时,测得的无杂散动态范围(SFDR: Spurious-Free Dynamic Range)和有效位数(ENOB: Effective-Number-of-Bits)分别为63.2dB和9.15bits,功耗仅为136µW。整个A/D转换器IP核的面积约为0.08mm2。设计结果显示该转换器满足触摸屏SoC的应用要求。     

低功耗、全差分流水线操作CMOS A/D转换器

提出一种基于运算跨导放大器共享技术的流水线操作A/D转换器体系结构,其优点是可以大幅度降低芯片的功耗和面积.采用这种结构设计了一个10位20MS/s转换速率的全差分流水线操作A/D转换器,并用CSMC 0.6μm工艺实现.测试结果表明,积分非线性为1.95LSB,微分非线性为1.75LSB;在6MHz/s采样频率下,对1.84MHz信号转换的无杂散动态范围为55.8dB;在5V工作电压、20MHz/s采样频率下,功耗为65mW.     

0.18 μm 1.8 V 10 bit 100 MS/s CMOS电流舵D/A IP设计与验证

基于GSMC 0.18μm CMOS工艺,采用曲率补偿带隙参考电压源和中心对称Q2随机游动对策拓扑方式的NMOS电流源阵列版图布局,实现了一种10 bit 100 MS/s分段温度计译码CMOS电流舵D/A转换器.当电源电压为1.8 V时,D/A转换器的功耗为10 mW,微分非线性误差和积分非线性误差分别为1 LSB和0.5 LSB.在取样速率为100 MS/s,输出频率为5 MHz条件下,SFDR为70 dB,10 bit D/A转换器的有效版图面积为0.2 mm2,符合SOC的嵌入式设计要求.     

一种1.8V 10位120MS/s CMOS电流舵D/A转换器IP核

采用低摆幅低交叉点的高速CMOS电流开关驱动器结构和中心对称Q2随机游动对策拓扑方式的pMOS电流源阵列版图布局方式,基于TSMC 0.18靘 CMOS工艺实现了一种1.8V 10位120MS/s分段温度计译码电流舵CMOS电流舵D/A转换器IP核.当电源电压为1.8V时,D/A转换器的微分非线性误差和积分非线性误差分别为0.25LSB和0.45LSB,当采样频率为120MHz,输出频率为24.225MHz时的SFDR为64.9dB.10位D/A转换器的有效版图面积为0.43mm×0.52mm,符合SOC的嵌入式设计要求.     

一种1.8V 10位120MS/s CMOS电流舵D/A转换器IP核

采用低摆幅低交叉点的高速CMOS电流开关驱动器结构和中心对称Q2随机游动对策拓扑方式的pMOS电流源阵列版图布局方式,基于TSMC 0.18靘 CMOS工艺实现了一种1.8V 10位120MS/s分段温度计译码电流舵CMOS电流舵D/A转换器IP核.当电源电压为1.8V时,D/A转换器的微分非线性误差和积分非线性误差分别为0.25LSB和0.45LSB,当采样频率为120MHz,输出频率为24.225MHz时的SFDR为64.9dB.10位D/A转换器的有效版图面积为0.43mm×0.52mm,符合SOC的嵌入式设计要求.     

一种14位400MS/S分段型电流舵DAC的设计

基于TSMC O.25μm CMOS工艺,采用分段开关电流结构,设计了一种基于2.5 V电源电压的14位400MS/s D/A转换器.该D/A转换器内置高精度带隙基准源、高速开关驱动电路和改进的Cascode单位电流源电路,以提高性能.D/A转换器的积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)均小于0.5 LSB.在400 MHz采样频率、199.8 MHz输出信号频率时,其无杂散动态范围(SFDR)达到85.4 dB.     

99.1 mW 12位40 MSPS流水线A/D转换器

设计并实现了一种12位40 MSPS流水线A/D转换器,并在0.18 μm HJTC CMOS工艺下流片.芯片工作电压为3.3 V,核心部分功耗为99.1 mW.为优化ADC功耗,采用多位/级的系统结构和套筒式运放结构,并采用逐级按比例缩小的设计方法进一步节省功耗.测试结果表明,A/D转换器的DNL小于0.46 LSB,INL小于0.86 LSB;采样率为40 MSPS时,输入19.1 MHz信号,SFDR超过80 dB,SNDR超过65 dB.     

一种10位40 MHz两步式A/D转换器

提出了一种基于两步转换法(5 6)的高速高精度A/D转换器体系结构,其优点是可以大幅度降低芯片的功耗及面积。采用这种结构,设计了一个10位40 MHz的A/D转换器,并用0.6μm BiCMOS工艺实现。经过电路模拟仿真,在40 MHz转换速率,1 V输入信号(Vp-p),5 V电源电压时,信噪比(SNR)为63.3 dB,积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)均小于10位转换器的±0.5 LSB,电源电流为85.4 mA。样品测试结果:SNR为55 dB,INL和DNL小于10位转换器的±1.75 LSB。     

基于MASH结构的24 bit Σ-Δ A/D转换器

设计了一种离散时间型24位Σ-Δ A/D转换器。该A/D转换器基于级联噪声整形(MASH)结构设计,整个转换器由前置可编程增益放大器、级联调制器和数字抽取滤波器等模块组成。该A/D转换器采用标准0.18 μm CMOS工艺实现,版图总面积为6 mm²。测试结果表明,在16 kS/s输出数据速率下,该A/D转换器的信噪比为106 dB,无杂散动态范围为110 dB,功耗仅为20 mW。     

CMOS图像传感器中RSD A/D转换器的设计与实现

提出了CMOS图像传感器中RSD A/D转换器的设计方法.基于冗余符号数(RSD)算法,RSD A/D转换器降低了对比较器的性能要求.并且全差分的模拟信号处理用以改进抗噪声度,信噪比和系统的动态范围.RSD A/D转换器是基于90 nm CMOS工艺实现的,测试结果表明它的微分非线性误差(DNL)为±1 LSB,积分非线性误差(INL)为±1.5 LSB,总的未调整误差(TUE)为-3 LSB～1 LSB,功耗约为20 mW.