Cr:Mg2SiO4晶体中络离子(CrO4)4-的自旋极化MS-Xα计算

本文采用自旋极化MS-Xα方法计算了Cr:Mg2SiO4晶体中络离子(CrO4)4-的电子结构,给出了Td群和C(3v)群下的单电子能量本征值、本征函数和自旋极化分裂值。用过渡态理论计算了部分光学跃迁和电荷转移跃迁的能量。采用Case-Karplus电荷分配法计算得到自旋-轨道耦合常数ζ(?)。讨论了配位体的距离对单电子轨道和基态组态的影响,也讨论了对称性变化的影响。     

Mg_2SiO_4:Cr~(3+)晶体的生长及其特性

介绍了用提拉法生长的Mg_2SiO_4:Cr~(3+)单晶的生长、结构和形态特征,测定了该晶体的吸收谱和荧光谱。荧光谱电子振动边带在800～1400nm,吸收谱中有一定的Fe~(3+)吸收。     

4-(4-乙烯基苯基)苯甲酸-(-4乙烯基)苯酯的合成

以联苯为原料,经傅克酰化、溴代、格氏和氧化反应,制备了4-(4-乙酰基苯基)苯甲酸;以苯甲醚为原料经傅克酰化,醚解制备了4-乙酰基苯酚;两者再经酯化、还原、脱水反应,合成了一种新型的双官能团聚合物材料单体4-(4-乙烯基)苯基苯甲酸-(4-乙烯基)苯酯,基于联苯的总收率为7%～10%,其结构经1 H NMR和FT-IR确认,并用偏光显微镜和差示扫描量热仪对其液晶性进行了研究。     

红外可调谐NaCl(OH~-)∶(F_2~+)_H色心激光

采用我们研制的优质Nacl(OH~-)∶(F_2~+)_H色心晶体作激光介质,在X型激光腔中,实现了中心波长为1.57μm,可调谐波段为1.40～1.75μm的低温红外连续可调谐色心激光运转。探讨了(F_2~+)_H心的几个吸收带,激光输出与工作介质和辅助光的关系等问题。     

Na_5Sm(WO_4)_4发光晶体的生长及光谱特性

本文报道了用助熔剂缓冷法生长新型发光晶体Na_6Sm(WO_4)_4,计算了它的晶格常数,测定了它的红外光谱、吸收光谱、荧光光谱和激发光谱,并确定了晶体中Sm~(3+)离子的能级.研究表明,该晶体是有前途的激光晶体.     

NaY(WO_4)_2:Tm,Yb晶体的上转换发光

用高频加热 Czochralski法生长了 Yb3 ,Tm3 共掺的 Na Y(WO4) 2 晶体。测量了晶体在室温下的 2 90～ 2 0 0 0 nm内的吸收谱 ,并对跃迁的能级进行了指认。在 972 nm二极管激光器泵浦下观察到 Tm3 的 793nm和45 7nm上转换发光 ,研究了 NYW晶体中 Yb3 向 Tm3 进行的能量传递的机制     

Ni2 :BeAl2O4晶体的生长及光谱特性

应用提拉(CZ)法,在合适的化学组份配比、固液界面温度梯度与生长速度等优化工艺条件下,成功地生长出了初始Ni2+掺杂为0.15 mol%、尺寸Φ50 mm×90 mm的优质Ni2+BeAl2O4晶体.测定了晶体的吸收光谱,观测到385、638和1 067 nm 3个主要吸收带,它们分别归属于八面体配位中Ni2+的3 A2g(3 F)→3 T1g(3 P)、3 A2g(3 F)→3 T1g(3 F)与3 A2g(3 F)→3 T2g(3 F)跃迁.根据获得的吸收光谱与晶体分裂场理论,计算了Ni2+的八面体晶格场参数Dq=937 cm-1以及Racah参数B=907 cm-1.研究了不同激发波长下的晶体在可见光波段的荧光特征,在480～550 nm范围发现荧光发射,这归属于八面体格位中Ni2+的电子从1 T2(1 D)能级到3 A2(3 F)的跃迁.     

Nd~(3+)∶NaY(WO_4)_2晶体的激光性能研究

本文报道一种新型的激光晶体Nd~（3+）∶NaY（WO_4）2．测定了它的结构、荧光光谱、吸收光谱。用φ3mm×25mm2的小型脉冲觎灯泵浦φ3mm×5．95mm2的激光棒，获得22．5mJ的激光能量输出，物化性能好，是一种有良好应用前景的激光晶体．     

Zn~(2+)和PO_4~(3-)复合掺杂α-Ni(OH)_2的结构及电化学性能

采用化学反应共沉淀法制备出Zn2+和PO43-阴阳离子复合掺杂的α-Ni(OH)2粉体材料.通过对其微结构表征和电化学性能的测试分析结果表明,随着阳离子Zn2+含量相对增加,阴离子PO43-含量相对减少,晶胞参数α和C逐渐增大,当把掺入Zn2+,PO43-的摩尔百分比为23.4%,5.21%时的α-Ni(OH)2样品作为MH-Ni电池的正极活性材料时,电化学阻抗和扩散电阻较小,电池在以80 mA/g恒电流充电5 h,40 mA/g恒电流放电,终止电压为1.0 V的充放电制度下,具有1.34 V较高的放电中值电压,放电比容量为335.31 mA·h·g-1,而且在强碱溶液中稳定存在,30次充放电循环后没有相变化,放电比容量保持率为94%.     

烧结温度对Li_2(Mg_(1/2)Zn_(1/2))SiO_4系微波陶瓷介电性能的影响CSCD

采用传统固相合成法制备了Li_2(Mg_(1/2)Zn_(1/2))SiO_4微波介质陶瓷,并系统研究了该陶瓷的相成分、微观形貌、微波介电性能与烧结温度之间的影响关系。XRD结果表明:在1100~1180℃温度烧结,该体系的主晶相均为Li_2(Mg_(0.8)Zn_(0.2))SiO_4,但同时也伴随有少量的MgSiO_3第二相。SEM结果表明:随着烧结温度的升高,样品的晶粒尺寸不断增加,尤其是当烧结温度为1180℃时,有些大晶粒出现了开裂现象,这会在一定程度上降低样品的品质因数(Q·f)。因此,对于微波介电性能,随着烧结温度的增加,Li_2(Mg_(1/2)Zn_(1/2))SiO_4陶瓷的Q·f值呈先增后减趋势,而相对介电常数(ε|_r)的数值较为稳定;此外,该体系谐振频率温度系数(τ_f)随烧结温度的增加逐渐向正值方向移动。当在1160℃烧结4 h时,Li_2(Mg_(1/2)Zn_(1/2))SiO_4陶瓷可获得最佳的微波介电性能:ε_r=6.09,Q·f=21 616 GHz(f=11.62GHz)和τ_f=–64.34×10^(–6)/℃。     

掺铬镁橄榄石的LIF光谱研究

本文用LIF方法研究了铬镁橄榄石(Cr∶Mg_2SiO_4)的室温电子辐射谱。该辐射谱有两个辐射带(S带和L带),其中S带来自Cr~(3+)离子的辐射,而L带则对应于Cr~(4+)的辐射。     

Cr：Mg2SiO4晶体红外光致发光谱的研究

报道了在室温和液氮温度下分别用1064nm和532nm激光诱导的Cr:Mg_2SiO_4晶体的红外光致发光谱,并详细分析光谱的结构和特点.在假设Cr:Mg_2SiO_4晶体中同时存在(CrO_6)~(9-)和(CrO_4)~(4-)两种络离子的基础上讨论了红外光致发光的产生机理,理论计算证明假设是合理的.     

优质大尺寸金绿宝石(Cr3+:BeAl2O4)可调谐激光晶体的生长

应用改进工艺的提拉(CZ)法技术,采用合适的化学组分配比和二次化料过程,选用约60℃的固液界面温度梯度与1mm/h生长速度等工艺参量,成功地生长出了Cr3 离子掺杂、无气泡、无云层和核心、长度与厚度约110×25mm的紫翠色Cr3 :BeAl2O4晶体。测定了晶体的吸收光谱,根据获得的吸收光谱与晶体分裂场理论,计算了Cr3 的八面体晶格场参数Dq=1764cm-1以及Racah参数B=608cm-1。晶体样品加工成6(60、80)mm的激光棒,并实现了激光的输出。     

Pr~(3+)离子及Na_5Pr(WO_4)_4晶体的光谱性质

本文报道了新型发光晶体Na_5Pr(WO_4)_4的生长及Pr~(3+)离子的光谱性质。测定了该晶体的结构以及吸收光谱、荧光光谱和激发光谱。研究表明,该晶体有可能成为继Na_5Nd(WO_4)_4晶体之后又一激光晶体新品种。     

Cr,Ca∶Y_3Al_5O_(12)晶体中四配位四价铬离子激光中心的形成

在以中频感应提拉法生长Cr，Ca∶Y3Al5O12晶体的基础上，根据不同Ca／Cr掺杂浓度比的晶体于空气中退火前后的吸收光谱数据，建立了四配位四价Cr激光中心形成的缺陷反应方程，认为Cr3 到Cr4 的价态转变与晶体中带有两个而不是一个正电荷的氧离子空位有关。     

电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si中SiO_2禁带的影响

根据X光激发电子能谱(XPS)中元素各个态的位置与价带顶、导带底的位置关系,提出了对一个已有唯像模型的修正,由这个修正模型能够利用XPS数据考察异质结的禁带在经历某些过程后是否有变化。将这个方法应用于经历60Co辐照的Si3N4/SiO2/Si,结果表明:从SiO2到Si存在SiO2禁带的弯曲,而辐照将SiO2禁带变薄;同时,SiO2禁带的变化明显依赖于辐照条件。就实验现象的机制进行了探讨。     

Organic light-emitting devices with a 2-(4-biphenyl)-5-(4-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole layer between the α-naphtylphenyliphenyl diamine and 8-hydroxyquinoline aluminum

Organic light-emitting devices (OLEDs) with a 2-(4-biphenyl)-5-(4-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole layer between the α-naphtylphenyliphenyl diamine and 8-hydroxyquinoline aluminum were fabricated using a vacuum evaporation method. Compared to the different thickness of the buffer layer, the OLEDs with the 1.0 nm buffer layer showed the maximum power efficiency. The enhancements in power efficiency result from an improved balance of hole and electron injections. After comparing among different density buffer layer, PBD are good candidates for hole-injecting buffer layer, and 1.0 nm PBD buffer layer shows better operational durability and life.