一种应用于CAN总线芯片的过压保护电路设计

为解决传统过压保护电路功耗大、易受干扰的问题,基于0.25μm CMOS工艺设计并实现了一种应用于控制器局域网络(CAN)总线芯片的过压保护电路。其作用是当芯片端口电压高于电源电压或低于地(GND)电平时为芯片提供保护信号,阻止电流倒灌入芯片。在3.3 V电源电压下,该电路具有迟滞功能,防止其受到噪声干扰反复打开和关闭芯片。仿真结果表明,端口电压高于3.55 V时电路提供保护信号,重新下降至3.35 V后系统恢复工作;同理,端口电压低于-0.25 V时电路提供保护信号,重新上升至-0.05 V后系统恢复工作。流片测试结果显示该电路可以为CAN总线芯片提供有迟滞的过压保护功能,与符合仿真结果基本一致。     

一种新型热关断电路的设计

提出了一种新型BiCMOS过热关断电路.该电路结构简单、功耗较低、迟滞温度范围基本保持不变,可集成在电源管理芯片中作为过热保护模块使用.采用0.6,um BiCMOS工艺,对电路进行HSPICE仿真,结果表明:该电路对电源电压有很强的抑制比,可用于2～12 V电源电压.     

一种带电平转换功能的双电源电压输出电路

出于性能、功耗和兼容性的考虑,芯片的核心电路与I/O电路一般采用不同的电源电压.文中设计了一种新型2.5V/5V双电源电压输出电路,此电路带有新型电平转换电路,能够将摆幅为0～2.5V的内部信号转换为摆幅为0～5V的输出信号.同时,文中所设计的输出电路只使用2.5V耐压的薄栅氧MOS器件,虽然在5V电压下工作,却没有栅氧过压问题.     

一种通用宽带FM解调电路的设计

实现了一款可用于卫星接收系统中频段电视信号的解调电路.该芯片的设计基于BiC-MOS工艺.采用5 V电源电压供电,利用单片锁相环(PLL)实现宽带FM解调,外围器件只包括本地振荡维持网络和环路反馈元件,PLL工作频率可达800 MHz.芯片内部还集成了自动增益控制(AGC)、模拟自动频率控制(AFC)模块.该芯片具有较高的信号接收灵敏度.     

一种用于高压芯片的带隙基准源设计

基于TSMC 1.0 μm 40 V BCD工艺,利用带隙原理设计了一款用于高压芯片的基准源电路.仿真结果显示,该电路可以工作在10～25 V电源电压下,输出的基准电压精度为13.3×10-6/℃,输出电流高达20 mA,且受电源电压影响很小.与传统高电源电压基准相比,该电路提高了输出电压的精度和稳定性,具有较大的电流驱动能力,完全可以作为芯片内部电源使用.     

热插拔控制器构成限流电路

为避免电源在系统出现短路或过载时损坏,常采用限流电路为电源提供保护.针对这种应用,集成电路制造商提供了内置P沟道MOSFET和限流门限可调的芯片,这些芯片大多用于5V系统,将系统的最大电流限制在2A以内,电流精度较低(20%至50%).利用具有电流调节功能的"热插拔控制器"可构成高精度的通用限流电路(图1),外部MOSFET和电流检测电阻使该类芯片可用于3V至12V供电系统,CTIM引脚接地,抑制芯片的双速/双电平检测功能,使芯片处于开启模式.依照下式选择检流电阻、设置限流门限:ILIM=(200mV)/RSENSE(RSENSE 为检流电阻)     

热插拔控制器构成限流电路

为避免电源在系统出现短路 或过载时损坏,常采用限流电路为电源提供保护。针对这种应用,集成电路制造商提供了内置P沟道MOSFET和限流门限可调的芯片,这些芯片大多用于5V系统,将系统的最大电流限制在2A以内,电流精度较低（20%至50%）。利用具有电流调节功能的“热插拔控制器”可构成高精度的通用限流电路(图1）,外部MOSFET和电流检测电阻使该类芯片可用于3V至12V供电系统,CTIM引脚接地,抑制芯片的双速/双电平检测功能,使芯片处于开启模式。依照下式选择检流电阻、设置限流门限：ILIM = (200mV)/RSENSE （RSENSE 为…     

一种用于电源管理IC的电流采样电路

利用高压集成功率集成器件,设计了一种用于电源管理IC的电流采样电路.此采样电路具有结构简单、精度高、耐高压(＞800 V)、低损耗等特点;同时实现了功率芯片的自供电功能,无需外加芯片供电电源.     

一种折叠式太阳能移动电源设计

针对现在市场上大部分太阳能移动电源存在着太阳能板面积小,功率不够充电等问题,提出一种效率高,安全可靠的太阳能移动电源设计方案。采用5 V,7 W的较大功率折叠太阳能电池板,分析太阳能与电能转换过程的关键技术和方法,描述充电电路、升压电路、锂电池保护电路和关键芯片设计,例如能实现充电电流控制的专业锂电池充电管理芯片,启动电压可低于1 V的、小尺寸高效率升压DC/DC转换器芯片等。考虑了电源多方面的需求,包括太阳能的充电效率,锂电池的寿命和安全,升压的效率和输出电源的质量等,并通过实验结果验证了电源信号的正常输出,其是一个绿色安全的能源解决方案,具有实用价值。     

一种基于0.18μm CMOS工艺的上电复位电路

介绍了一种采用0.18μm CMOS工艺制作的上电复位电路。为了满足低电源电压的设计要求,采用低阈值电压(约0V)NMOS管和设计的电路结构,获得了合适的复位电压点;利用反馈结构加速充电,提高了复位信号的陡峭度;利用施密特触发器,增加了电路的迟滞效果。电路全部采用MOS管设计,大大缩小了版图面积。该上电复位电路用于一种数模混合信号芯片,采用0.18μm CMOS工艺进行流片。芯片样品电路测试表明,该上电复位电路工作状态正常。     

一种BiCMOS过热保护电路

提出了一种集成于电源管理芯片内部的过热保护电路。采用0．6μm BiCMOS工艺参数，对电路进行模拟仿真，并与先前提出的过热保护电路进行比较。结果表明，该电路具有关断和开启阈值点的准确性强、对温度灵敏度高、超低静态电流和低功耗等特点。     

0.6m CMOS过温保护电路设计

采用CSMC5V0.6μm标准CMOS工艺设计研制了一种过温保护电路。该电路由三部分构成:PTAT(与热力学温度成正比)电压产生电路,带隙基准源电路和比较器电路。芯片测试结果表明在30～130℃温度范围内PTAT输出电压线性度良好(最大偏差小于1.6%),灵敏度约为10mV/℃;关断温度可由外接电阻设定,85℃以下实测值与设定值偏差小于5℃,85℃以上偏差稍大约为10℃。该过温保护芯片电路结构简单、面积小、功耗低,且具有良好的移植性,可广泛应用于LED照明驱动电路,电源管理芯片等场合,也可用于和MOS功率器件混合封装组成带过温保护的功率器件模块。     

一种高精度的自激式多路输出稳压开关电源的设计

提出了一种高精度的自激式多路输出稳压开关电源,较以往多路输出开关电源,所用元件极少,其中自激控制部分仅用11个常用元件实现,但是其输出电源精度却很高。而且只需稍做修改,就可将电路中±9V转换为±12V,±15V,其中主回路稍作修改也可改为3.3V/4A精确输出。此电源电路简单,适用范围广。     

GaN 功率器件调制电路在T/R组件中的设计与应用

介绍了一种GaN 功率器件调制电路的设计方法。该调制电路广泛用于T/ R 组件发射链路的大功率 GaN 功放,具有高电压工作、大电流供给以及尖峰电压抑制等功能。文中重点论述了调制电路的原理,指出尖峰电 压抑制功能是实现该调制电路的难点。经仿真分析实现了延时在500 ns 以内、负压检测电平在-4. 2~ -3. 8 V 的关 键指标。最后选用聚四氟乙烯印制板设计出GaN 功率器件调制电路实物,在T/ R 组件中进行了应用验证,测试结果 与仿真结论相符。该调制电路体积小、可靠性高,可用于高功率GaN 功放的设计,具有广阔的工程应用前景。     

CMOS宽带互阻放大电路

介绍了用ＣＭＯＳ电流反馈放大器构成互阻放大器的基本原理。该互阻放大器具有宽频带、高增益、低功耗的特点,实用于Ｉ－Ｖ转换。文中给出设计指导思想,并给出模拟结果。     

大功率LED的驱动电路设计

LED(Light Emitting Diode)作为新一代绿色光源,具有节能、环保和光转换效率高等特点,在照明应用方面已广泛展开.尤其是大功率LED光源更是备受喜爱,由于LED光源不能直接用市电220v电压直接供电,需特殊电压供电,因此,需要专门的驱动电路来点亮LED.本论文主要介绍一种LED恒流驱动电路,其采用恒流芯片PT4115来实现对大功率LED的高效恒流驱动.此电路具有效率高、成本低,可靠,安全等优点,适合当今大功率LED驱动电路的市场发展前景.     

一种应用于DC/DC转换器的自举电路设计

设计了一种适用于DC/DC转换器的自举升压电路.采用该电路可将功率PMOS管替换为NMOS管.在相同尺寸条件下,NMOS管具有较小的导通电阻,从而提高DC/DC转换器的效率.电路基于华宏NEC的0.35 μm BCD工艺,利用Cadence中的Spectre进行了验证.并给出了该自举电路的设计思想、电路的工作原理,以及自举电容最小值的计算.当电源电压降至1.4 V,电路仍能保持正常工作.当自举电容为10 nF,电源电压为5 V,工作频率可高达2 MHz.     

基于ATMEGA16的开关电源设计与制作

电源广泛应用于各种电子设备及电子电路中。以ATMEGA16单片机为控制核心,设计并制作了具有输出电压步进可调的开关电源。其硬件由整流、滤波、单片机供电电源、DC-DC变换及LED显示组成。经实验测定,输出电压0～9.9V步进0.1V可调,输出电流1.5A,当输出电压9V、输出电流1.5 A时,电压调整率小于0.67%,效率可达78.78%。     

一种用于高压降压型转换器的高精度强驱动能力驱动电路

This paper presents a novel driving circuit for the high-side switch of high voltage buck regulators.A 40 V P-channel lateral double-diffused metal–oxide–semiconductor device whose drain–source and drain–gate can resist high voltage, but whose source–gate must be less than 5 V, is used as the high-side switch. The proposed driving circuit provides a stable and accurate 5 V driving voltage for protecting the high-side switch from breakdown and achieving low on-resistance and simple loop stability design. Furthermore, the driving circuit with excellent driving capability decreases the switching loss and dead time is also developed to reduce the shoot-through current loss. Therefore, power efficiency is greatly improved. An asynchronous buck regulator with the proposed technique has been successfully fabricated by a 0.35 m CDMOS technology. From the results, compared with the accuracy of16.38% of the driving voltage in conventional design, a high accuracy of 1.38% is achieved in this work. Moreover,power efficiency is up to 95% at 12 V input and 5 V output.     

一种具有省电模式CMOS振荡器电路

提出了一种适用于电源转换芯片的具有省电模式的CMOS振荡器电路,其特有的变频模式和间歇模式可以有效降低整个电源系统在轻载与空载时的功率损失,使得整个系统能随负载的变轻而线性降低开关频率,并在空载状态下进入间歇模式。基于SinoMOS1μm40V CMOS工艺,仿真和流片结果证明了该振荡器电路能够为电源转换系统芯片降低功耗提供所需要的功能,即根据负载情况自动调整PWM开关频率。