提高功率晶体管二次击穿耐量的新思路

分析了双极型功率晶体管芯片温度分布与版图设计的相关性，指出版图排不合理导致芯片中区域温度偏高，是诱发二次击穿的一个重要原因。提出了一种提高功率晶体管抗热模式二次击穿耐量的新思路，理论分析与实际应用证明，把发射区安排在基区引线条周边的新设计，可显著改善双极型功率晶体管抗二次击穿特性。     

整合功率光敏可控硅

V03526是可输出1A电流来驱动电阻及电感负载的整合功率光敏可控硅。它采用16引脚DIP封装的,包含GaAs红外LED,该LED可光耦合到单片光敏非过零TRIAC检测器芯片上,从而可启动整合功率TRIAC。由于消除了对外部功率TRIAC的需求,该器件可降低设计成本并节省板面空间。     

整合型功率光敏可控硅

V03526是一款可输出1A电流来驱动电阻及电感负载的整合功率光敏可控硅,它采用16引脚DIP封装,包含GaAs红外LED,该LED可光耦合到单片光敏非过零TRIAC检测器芯片上,从而可启动整合功率TRIAC。由于消除了对外部功率TRIAC的需求,该器件可降低设计成本并节省板面空间。该功率光敏可控硅器件额定阻断电压为600V,在120V及240V的交流线路上可实现直流与交流电压的隔离,从而可提供两倍或更高的安全系数。     

功率晶体管击穿电压与硅片电阻率的取值关系

介绍了用于节能灯照明电路的高耐压功率晶体管的反向击穿电压、饱和压降和开关时间等参数的设计要求。合理选用硅片单晶材料的电阻率 ,对器件工艺设计和制造起到了关键作用。     

交流净化稳压电源的稳态分析与设计

导出了正弦能量分配器的线性等效电路，并给出了描述其电压调节特性的基本方程。分析了电路的空载电压调节特性和负载对电压调节特性的影响，对电路设计中几个重要参数的确定进行了讨论。     

发射极开关晶闸管正向特性分析

本文在对发射极开关晶闸管ＥＳＴ正向特性二维数值分析的基础上，提出了ＥＳＴ正向工作时的五个区域，从剖面图及等效电路图出发，分区、分阶段对其正向特性进行了解析分析，最后将实验结果、解析分析结果及数值分析结果进行比较，发现数值分析结果和解析分析结果吻合较好，同时说明了解析结果和实验结果之间存在差别的原因。     

门极换流晶闸管(GCT)击穿机理的研究

简述了门极换流晶闸管(GCT)的耐压结构及其特点.利用MEDICI软件模拟和分析了具有不同结构参数的四种器件的阻断能力和通流能力,研究了GCT的击穿机理.结果表明,GCT的击穿实质上属于场阻止(FS)型击穿,并非穿通(PT)型击穿.从而指出以往对GCT击穿机理的认识存在局限性.     

新型功率器件MCT的计算机模拟

采用了合理的物理模犁和精确的数值解法，对ＭＣＴ进行了一维数值求解，得到了器件内部载流子分布和电场分布以及外部端特性。这些结果对ＭＣＴ的优化设计具有实际指导意义。     

MOS型硅功率器件的耐压与终端处理

本文介绍了MOS型硅功率器件常见的平面结击穿电压的基本理论和提高击穿电压的基本方法以及终端处理技术发展中所面临的课题。     

水平沟道场控晶闸管正向特性研究

水平沟道场控晶闸管是由结型场效应晶体管和双极型晶体管复合构成的一种晶闸管。它具有输入阻抗高、电压控制和用低压控制大功率输出的特点。文中对已研制成的一种水平沟道场控晶闸管正向特性进行了较为详细的分析。     

薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析

提出了基于二维Ｐｏｉｓｓｏｎ方程的薄膜ＳＯＩ降低表面电场（ＲＥＳＵＲＦ结构解析物理模型．并在该模型基础上,给出了一种分析薄膜ＳＯＩＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压的方法．利用这一方法计算了漂移区长度较长的薄膜ＳＯＩＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压与漂移区掺杂浓度的关系,并定量分析了场ＳｉＯ２界面电荷密度对击穿电压和漂移区临界掺杂浓度的影响．首次提出了临界场ＳｉＯ２界面电荷密度的概念,并研究了其与漂移区掺杂浓度的关系．而且计算结果与ＭＥＤＩＣＩ模拟结果符合得很好．这些为漂移区长度较长的薄膜ＳＯＩＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压的优     

低压降CMOS稳压器的电源噪声抑制分析

通过对低压降CMOS稳压器工作原理的分析,给出了一种频域分析模型。基于此模型,对低压降稳压器的电源噪声抑制进行了分析和研究,得到了低压降稳压器在频域的传递函数;依据此传递函数,给出了改善电源噪声抑制的方法。此外,给出了几种有效提高电源噪声抑制的方法和电路。     

带有场限环的VD-MOSFET的耐压设计

本文针对VD-MOSFET击穿电压,采用场限环终端结构的耐压设计,并进行了综合分析。在解析式中,提出了η的近似表示式。通过与计算机二维分析结果的比较,证实了η表达式的合理性,其最大相对误差约为10％。最后,对500V的VD-MOSFET进行了设计计算,说明了这一设计方法在工程中的适应性。