一种新型保温柔性一体管的防结露实验研究

保温柔性一体管由内层水管和外敷保温层通过整体式复合工艺制成,内管为规格dn25×en2.3mm的PERT管,外敷保温层为聚乙烯材料通过化学交联闭孔发泡而成。内部水管和外部保温层之间无缝贴合,保温性能良好。近年来逐渐在户式中央空调水系统中推广使用。对保温柔性一体管的保冷层绝热经济厚度和防结露厚度进行计算,并对该管道穿越非空调区域时保冷层表面的防结露特性进行实验研究。研究表明:该保温柔性一体管防结露性能良好,在不同工况条件下,选择相应保冷层厚度的管道可承担空调系统输送冷水的需求。     

Sr0.3Ba0.7Bi3.7La0.3Ti4O15铁电陶瓷的烧结及介电性能

采用两步烧结工艺制备Sr0.3Ba0.7Bi3.7La0.3Ti4O15铁电陶瓷,研究了烧结工艺对陶瓷的晶相和介电性能的影响。结果表明:适当提高最高温度、保温温度和保温时间可改善陶瓷的介电性能。当最高温度为1180～1200℃,在1050～1080℃保温5～15h时,其εr为238～262,tanδ小于10–2,σ为1.0×10–11～10–12S·m–1。该烧结工艺可减少铋的挥发,降低氧空位浓度,因而减弱了陶瓷的高温低频耗散现象。随着保温时间的增加,高温电导得到有效抑制,在1050℃保温15h样品的σ降低了一个数量级,在280℃时为5.2×10–9S·m–1。     

基于FPGA的智能热水器设计

传统电热水器系统大多采用单片机作为控制核心,仅具有加热和保温功能,水温不可见,水量不易控制,大多热水器在保温时采用开关控制,给电力系统带来巨大冲击。本系统选用现场可编程逻辑器件ActelFusion系列FPGA作为控制核心,充分利用其内部模数混合的特点实现水温数字可视化、可预约时间等等功能,运用PID算法实现水的加热和保温,使电力系统受到很小的冲击,且该系统具有安全可靠、节能、高效能、性能稳定、简易操作的特性。     

可伐合金与玻璃一步封接工艺的研究

研究了玻璃与具有Fe3O4氧化膜的可伐合金的封接工艺。结果表明最佳熔封温度为980℃,熔封时间为30 min。在此基础上,开发出将脱碳、氧化和熔封集于一个升降温周期的一步封接工艺。该工艺是将未氧化的可伐合金和玻坯首先升温至500℃并氧化40 min,而后升温至980℃并保温30 min,最后缓慢降至室温。结果表明,当采用该工艺时,与传统工艺相比不仅能简化操作,而且封接件的封接质量更高、可靠性更好。     

基于单片机的饮水机温控系统的设计

介绍一种饮水机的温度控制系统。该系统利用软件编程实现饮水机的智能温控,在保温阶段采用双位调节进行温度控制,控制精度为±2℃,采用该温控系统可以使得饮水机在使用过程不产生"千滚水"。保温温度、保温时间和预加热时间可以自由设定,使得饮水机使用起来更加方便。     

取向硅钢常化处理微观结构的TEM研究

常化工艺是取向硅钢生产工艺的重要一环,合理的常化工艺为随后的冷轧,退火工序创造有利条件,是提高成品磁性的关键工艺.本工作用电子衍衬方法研究3％Si-Fe常化处理后微观结构的变化。采用本工作制订的两段保温常化制度,有助于获得抑制相的理想析出和有利分布,对于抑制初次再晶晶粒长大,完善二次结晶,得到良好磁性,有着重要意义。两段常化工艺,一段是高温1120℃保温2.5分钟,一段是920℃～960℃保温3分钟。主要结果是: 一、抑制相AIN和MnS的析出行为。采用上述两段式保温常化工艺,可明显降低合金的铁损W_(17/50),B_(10)可提高0.01T以上。从920℃到960℃的较宽温度范围内,均可获得大体相同的性能水平,这也正是电镜观察中看到AIN质点析出较多,尺寸比较理想(200～400A)的温度区间,部分热轧试样中也观察到弥散的AIN质点,推测它们是热轧     

射频磁控溅射法制备(111)取向Pt薄膜

以稀土元素Pr薄膜为缓冲层,采用低功率射频磁控溅射法在室温玻璃衬底上成功制备了(111)强烈取向的Pt薄膜,研究了退火热处理工艺对Pt薄膜择优取向及晶粒尺寸的影响规律,并对Pt(111)取向生长机制进行了初步探讨。结果表明,所采用的退火工艺能够促进Pt纳米晶粒的逐步长大,但对Pt薄膜沿(111)择优取向生长的影响并不明显;保温5 h时晶粒生长较快,延长保温时间对晶粒生长速度的影响不大,但随着退火时间的增加,薄膜质量会越来越好。稀土Pr对Pt(111)择优取向生长可能有一定的促进作用。从简化工艺及降低成本角度考虑,该工艺优于以往的制备工艺,可望用做制备高取向PZT铁电薄膜所需的(111)强烈取向Pt底电极。     

一种基于标准CMOS工艺的单片光互连

探索了采用标准CMOS工艺实现单片光互连的可行性。采用特许(Chartered)半导体公司3.3V、0.35μm标准模拟CMOS工艺设计并制造了一种单片光互连系统,并用两种结构研究了衬底噪声耦合对互连性能的影响。测试结果表明:该光互连系统可工作于几×103Hz,验证了基于标准CMOS工艺的单片光互连系统是可行的。     

英飞凌LDMOS工艺可使RF晶体管功率密度提高25%

英飞凌科技(InfineonTechnologies)日前在MTT国际微波研讨会上,展示了下一代LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)工艺。该工艺可用于制造适用于无线网络基站和中继器的功率放大器等产品的高功率RF(射频)晶体管。据介绍,采用这种工艺制造的设备其工作频率可以满足高速无线接入网络的要求,在功率密度方面,比采用英飞凌现有工艺生产的设备高出25%。此外,随LDMOS一起采用的新型塑料封闭技术,可降低系统总体成本。这种解决方案能够让无线网络系统开发商降低成本,提高系统性能,增强系统质量和可靠性。英飞凌副总裁兼射频功率产品部总经理Helm…     

PECVD系统

CenTurio是一套高效湿法工艺系统，并配备有CenTurioDry干法工具和极其有效的清洗系统。该系统可用于大部分衬底材料的一般刻蚀和／或清洁工艺。     

新型低功率类比数字转换器系列 8位元或10位元,速率可高达68MSPS

EXAR公司推出三种新型低功率类比—数字转换器(ADC),可用于通讯、视频和工业应用。XRD64L06、XRD64L40及XRD6202可在数码相机、机器视觉系统、I与Q调制解调器和文档扫描仪等方面为用户提供一系列新的设计方案。该套XRD64L06、XRD64L40(10位元)及XRD6202(8位元)解析元件具有多种配置方案,可满足不同市场的需求。 该系统中的每种元件均为采用标准CMOS工艺生产的单片转换器。其中     

(Bi_(1/2)Na_(1/2))_(1-x)Ba_xTiO_3系铁电陶瓷制备工艺研究

采用 XRD、SEM等分析技术 ,研究了制备工艺对 (Bi1 /2 Na1 /2 ) 1 - x Bax Ti O3(简称 BNBT)结构形成的影响 ,给出了温度和时间对该体系晶体结构形成的影响特征。研究结果表明 ,在适当温度及保温时间下 ,能获得全钙钛矿结构的 BNBT固溶体 ;在同样工艺条件下 ,钡成分的增加有抑制晶粒长大的作用     

掺钕钛酸铋铁电陶瓷靶的研制

用添加晶种的方法制备了掺钕钛酸铋(BNT)铁电陶瓷靶材。通过XRD及SEM研究了烧结工艺对铁电陶瓷BNT晶相结构的影响,用RT66型铁电测试仪测定铁电材料BNT的电滞回线。结果表明,采用在800℃预烧、保温2h,1100℃烧结、保温12h的烧成工艺,所得的BNT铁电陶瓷具有良好的c轴取向,具有较好电滞回线(Pr-Ec)。在应用电压为5V,测试频率为1MHz下,BNT铁电陶瓷的剩余极化强度(Pr)及矫顽场强(Ec)可分别达到2.2×10–6C/cm2和5×103V/cm。     

大容量系统用纠双错Reed-Solomon速算法及其VLSI实现

提出了一种适用于大容量(Mass-Storage)系统可纠双错的Reed-SoIomon快速编、译码算法,具有硬件实现代价小,运算速度快的优点.该电路设计已成功地应用于大容量片上系统(SOC)芯片中,该芯片采用台机电TSMC的0.25 u m的工艺实现,直接验证了本文的理论成果.     

双栅GaAs MESFET的计算机辅助测试与分析

研制了双栅GaAs MESFET的计算机辅助测试系统,可广泛应用于一般四端(或小于四端)器件.该系统包括硬件部分——四端器件直流特性的计算机读入设备FMR,和通用软件部分——FMR-BASIC.同时研制了工艺参数最优化分析程序——DGF TPOA,从而能够自动测报常规直流特性,并由所测结果按最优化技术(单纯形调优法)分析给出工艺参数n、a、L_1、L_2.     

WaferMasters推出表面光度测量系统OSP-300提供非破坏性晶圆表面表征

领先的晶圆处理技术及设备供应商WaferMas-ters Inc.近日宣布推出激光光学表面光度系统OSP-300。该系统可提供内嵌式非接触表面轮廓表征，用于各个工艺步骤问，该产品可用于研发和生产。     

一种中心频率可调的VCO电路设计

采用0.18μm CMOS工艺设计了一种用于高速锁相环系统的压控振荡器(VCO)电路,该电路的中心频率可根据需要进行调节.电路采用SMIC 0.18 μm工艺模型,使用Cadence的Spectre工具进行了仿真,仿真结果表明,该电路可工作在2.125～3.125 GHz范围内,在5 MHz频偏处的相位噪声为-105 dBc/Hz.     

得可Gemini印刷平台亮相2014Nepcon中国电子展背靠背印刷配置将生产力翻倍

正得可2014 Nepcon中国电子展上首次推出最新印刷平台-Gemini。该背靠背(B2B)印刷系统可按需提供工艺处理模块,帮助大批量电子制造商显著提高产出水平,同时又能确保卓越的精度、质量和良率。以久经市场验证的Horizon iX系列为基础,     

SPS工艺对铜/金刚石复合材料性能的影响

采用SPS(放电等离子烧结)工艺制备了高体积分数铜/金刚石复合材料,研究了SPS中主要的工艺参数烧结温度、保温时间和烧结压强对复合材料相对密度和热导率的影响。结果表明:最佳的烧结温度为930℃;热导率和相对密度随保温时间延长有所提高,20min后趋于稳定;而随烧结压强由10MPa提高到70MPa,热导率约上升15%。经过优化工艺后,所制备的铜/金刚石复合材料最高热导率达到354.1W(m.K)–1,最高相对密度为98.4%。     

简述多单元叠加式馈源的加工方法

介绍某系统发射阵列天线的加工工艺。该天线具有多单元、叠加式、配合面多、尺寸精度要求高、超薄片嗽叭加工易变形、加工难度大等特点。通过试验和论证总结出一种可投入批量生产的工艺方法，阐述了该方法的具体工艺实现和加工过程。